【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高纯硅烷的制备工艺，特别是涉及一种与改良西门子法联产，经过高纯三氯氢硅多步歧化制备高纯硅烷，适合国内多晶硅企业采用的工艺。
技术介绍
娃烧,英文名称:silane,分子式为SiH4。娃烧作为一种重要的娃源材料,广泛应用于半导体微电子1C、光伏太阳能电池PV、液晶显示器IXD等产业。目前，硅烷的生产方式主要有三种:氟化铝钠法、硅镁合金法和氯硅烷歧化法。其中氟化铝钠法以氢化铝钠和四氟化硅为原料，反应合成硅烷气体，经过后续吸附、精馏分离纯化精制后得到6N以上的高纯度电子级硅烷气体，美国MEMC公司采用该方法已经大规模生产高纯硅烷，国内已有企业引进此工艺生产线，但运行情况很不理想；硅镁合金法也称小松法，以工业硅粉、金属镁和氯化铵为原料，经两步反应得到硅烷，由于成本较高，至今没有大规模生产线；氯硅烷歧化法多以三氯氢硅为原料，经多步歧化反应，最终生成硅烷和四氯化硅，与氢化工序配合形成闭合回路，排出物少，对环境有利，材料利用率高，无副产品，美国REC公司采用该方法大规模制备硅烷气体，国内暂无企业采用此工艺。综合评价三种工艺的优良性，并结合目前国内的国情，氯硅...
【技术保护点】
改良西门子法联产制备高纯硅烷的方法，其特征是改良西门子法制备多晶硅提纯歧化工序生成的高纯三氯氢硅，一部分继续原来路线进入还原工序沉积得到多晶硅；一部分进入硅烷制备工序，得到高纯硅烷产品和副产四氯化硅。
【技术特征摘要】
1.改良西门子法联产制备高纯硅烷的方法，其特征是改良西门子法制备多晶硅提纯歧化工序生成的高纯三氯氢硅，一部分继续原来路线进入还原エ序沉积得到多晶硅；一部分进入娃烧制备エ序，得到闻纯娃烧广品和副广四氣化娃。2.如权利要求1所述的方法，其特征是硅烷制备エ序由一级歧化反应器(I)、一级精馏塔(2)、ニ级精馏塔(3)、ニ级歧化反应器(4)和三级精馏塔(5)组成:高纯三氯氢硅首先进入一级歧化反应器(1)，得到反应生成的ニ氯ニ氢硅、四氯...
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