【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅烷生产
,具体涉及。
技术介绍
硅烷是一种重要的化工产品,其经提纯后得到的超高纯电子气体,是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品,是制备电子级多晶硅、非晶硅薄膜电池、硅片外延、覆膜玻璃、纳米硅材料等产品的主要原料,并且是迄今世界上唯一大规模生产粒状高纯度硅的中间产物,对信息产业和新能源产业的发展有着举足轻重的作用。目前,硅烷的制备技术主要掌控在发达国家的少数企业手中,主要生产企业有美国REC公司、MEMC公司、美国UCC公司等。归纳起来,国内外生产硅烷法技术主要有:1.硅化镁合金法制备硅烷:该法称硅化镁法,日本小松技术。它利用硅化镁与氯化铵在-20°C左右的液氨中进行化学反应得到硅烷;是早期国际上普遍采用的一种生产方法,后来逐渐被其它方法所取代;适于间歇生产,能耗高,副产物难以分离,同时又因为发生过爆炸,现没有工业化装置。2.三氯氢硅还原法制备硅烷:又称氢化锂还原三氯氢硅制备硅烷法。它采用金属氢化物氢化锂做还原剂,原始技术来源于美国UCC公司;该技术不适于大规模生产,同时存在原材料成本高、操作繁琐、原料进口难等问题。3.四 氟 ...
【技术保护点】
一种高纯硅烷的制备方法,其特征在于:包括下列步骤:1)将钠溶解在液氨中形成混合液;2)将步骤1)所得混合液置于反应釜中,将惰性气体充入反应釜内进行气体置换至反应釜内气体合格;3)在搅拌条件下,将SiF4和H2持续通入反应釜内与混合液进行反应,制得粗硅烷;4)将步骤3)所得粗硅烷进行吸附、精馏,即得所述高纯硅烷。
【技术特征摘要】
1.一种高纯硅烷的制备方法,其特征在于:包括下列步骤: 1)将钠溶解在液氨中形成混合液; 2)将步骤I)所得混合液置于反应釜中,将惰性气体充入反应釜内进行气体置换至反应爸内气体合格; 3)在搅拌条件下,将SiF4和H2持续通入反应釜内与混合液进行反应,制得粗硅烷; 4)将步骤3)所得粗硅烷进行吸附、精馏,即得所述高纯硅烷。2.根据权利要求1所述的高纯硅烷的制备方法,其特征在于:步骤I)中钠与液氨的摩尔比为1:1.0~5.0。3.根据权利要求1所述的高纯硅烷的制备方法,其特征在于:步骤2)中所述气体合格是指反应爸内气体中水分< 10ppm、02 ( 20ppm。4.根据权利要求1所述的高纯硅烷的制备方法,其特征在于:步骤3)中SiF4、H2的通入量为:SiF4、H2与钠的摩尔比为1.0:3.0~7.0:2.0~3.0。5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:李保山,李世江,侯红军,杨华春,李云峰,于贺华,薛旭金,刘海霞,刘陈红,薛峰峰,
申请(专利权)人:多氟多化工股份有限公司,北京化工大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。