【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种探针卡，用于对一芯片堆迭结构进行电性测试，该芯片堆迭结构包含一基板，以及至少一芯片，其中该基板具有一芯片堆迭区，以及位于该芯片堆迭区外的多个测试端点，该至少一芯片设置于该芯片堆迭区内且具有多个直通硅晶穿孔电极，该探针卡包含：一电路板；一探针头，组装于该电路板上并与该电路板电性连接；以及一第一探针组及一第二探针组，分别具有多个第一垂直探针及多个第二垂直探针，所述多个垂直探针分别设置于该探针头上，所述多个第一垂直探针位于该探针头的一内部区域，用以探触该至少一芯片的所述多个直通硅晶穿孔电极，所述多个第二垂直探针位于该探针头的一外部区域，用以探触该基板的所述多个测试端点；其中，所述多个第一垂直探针具有一第一长度，所述多个第二垂直探针具有一第二长度，且该第二长度大于该第一长度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘安鸿，李宜璋，黄祥铭，黄士芬，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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