【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高折射率半导体表面减反钝化复合结构的制备方法，其特征在于包括步骤：Ⅰ.在高折射率半导体表面制备一层用于钝化表面的介质膜，所述介质膜为SiO2膜，SiN膜，TiO2膜，Al2O3膜、HfO2膜中一种或含一种以上成分的组合膜；Ⅱ.再在介质膜上制备基于高折射率介质材料的折射率渐变介质层，其中所述高折射率介质材料根据需要匹配的高折射率半导体材料及其需要减反的波长范围选为SiN、HfO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5和Y2O3中的一种或者几种，所述介质膜与折射率渐变介质层组合为减反钝化复合结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张瑞英，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：
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