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本发明公开了一种半导体表面减反钝化复合结构的制备方法，包括步骤：Ⅰ.在半导体表面制备一层用于钝化表面的介质膜；Ⅱ.再在介质膜上制备基于高折射率介质材料的折射率渐变介质层，其中高折射率介质材料根据需要匹配的高折射率半导体材料及其需要减反的波长...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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