半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造方法，旨在消除读写数据时相邻的磁隧道结之间的磁场感应“互扰”(串音)现象。该半导体器件包括磁隧道结单元和围绕磁隧道结单元侧壁的磁场屏蔽材料层。制造半导体器件的方法包括形成磁隧道结单元，沉积隔离电介质层以覆盖磁隧道结单元的顶部和侧壁，在隔离电介质层上沉积磁场屏蔽材料层。磁场屏蔽材料层消除或减弱相邻的磁隧道结之间的磁场感应以及消除磁场感应“互扰”现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及。
技术介绍
磁性随机存取存储器(magnetic random memory, MRAM)是非易失性存储器的一种类型，利用磁特性而非电特性存储数据。MRAM基于磁隧道结MTJ(magnetic tunneljunction)存储数据。MTJ包括两个磁性膜:固定层和自由层。固定层的磁化方向被固定，自由层的磁化方向可以自由转动。在固定层和自由层之间具有绝缘层。由于MRAM基于MTJ存储数据，当对MTJ读写数据比特时，相邻的MTJ与此MTJ之间具有磁场感应，产生磁场感应“互扰”(串音)现象，影响此MTJ读写数据的准确性和有效性。目前比较常见的MRAM有星状曲线MRAM(Astriod MRAM)、旋转力矩转移MRAM(STTMRAM)和跳变位MRAM (toggleMRAM,或称为“触发式MRAM”)，以上几种MRAM都不能克服MTJ之间的磁场感应“互扰”(串音)现象。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是消除读写数据时相邻的MTJ之间的磁场感应“互扰”(串音)现象。根据本专利技术的第一方面，提供了一种用于一种制造半导体器件的方法，包括:形成磁隧道结单元；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：形成磁隧道结单元；沉积隔离电介质层以覆盖所述磁隧道结单元的顶部和侧壁；以及在所述隔离电介质层上沉积磁场屏蔽材料层，所述磁场屏蔽材料层具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述磁隧道结单元上方，所述第二部分隔着所述隔离电介质层与所述磁隧道结单元的侧壁相邻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾贤成，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11