【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别涉及ー种可应用于集成电路制程中的。
技术介绍
磁阻元件的主要功能是可因应空间中磁场的变化而改变其电阻值，因此可广泛应用于许多电子产品上，如磁阻式随机存取内存(MRAM)及磁感测器(magnetometer)。但磁阻元件需要配合周边电路才能使其功能完整发挥，因此如何将其顺利地整合至集成电路制程中，进而能与外围电路一井完成于基板上，一直是制造商所欲达成的目标。但目前的技术手段仍存在有许多问题，而如何改进现有手段的缺失，便是发展本专利技术的主要目的。
技术实现思路
本专利技术主要提出一种，透过该方法可将图形化磁阻单元与集成电路巧妙地整合在一起，其包括下列步骤:提供基板；于该基板上方形成集成电路结构层，该集成电路结构层可包含有金属接线、逻辑电路元件、内存元件、静电保护元件(ESD)及其它现有技术的元件结构；于该电路结构层上方形成介电层结构；于该介电层结构中；平坦化该介电层；于该介电层结构中形成至少ー凹槽；利用该至少ー凹槽形成金属镶嵌结构或作为ー对准标记；于具有该至少一凹槽之该介电层结构上方形成磁阻材料层；以及利用该对准标记来对该磁阻材料层进行图案定义...
【技术保护点】
一种磁阻元件结构形成方法，其特征在于，包括下列步骤：提供基板；于该基板上方形成金属镶嵌结构，再于该金属镶嵌结构上方形成图形化磁阻单元，与该金属镶嵌结构完成电性连接。
【技术特征摘要】
2011.11.07 TW 1001406011.一种磁阻元件结构形成方法，其特征在于，包括下列步骤: 提供基板； 于该基板上方形成金属镶嵌结构，再于该金属镶嵌结构上方形成图形化磁阻单元，与该金属镶嵌结构完成电性连接。2.根据权利要求1所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在干，该于该基板上方形成该金属镶嵌结构的步骤包括以下步骤: 于该基板上方形成集成电路结构； 于该集成电路结构上方形成至少ー层平坦化介电层；以及 于该至少ー层平坦化介电层上方形成该金属镶嵌结构。3.根据权利要求2所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在干，该于该基板上方形成该金属镶嵌结构的步骤进一歩包括以下步骤: 于该至少ー层平坦化介电层上方形成介电层结构； 于该介电层结构中形成至少ー个凹槽； 形成磁阻材料层于该介电层结构表面井覆盖该至少ー个凹槽；以及 对该磁阻材料层进行图案定义以形成磁阻单元。4.根据权利要求3所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于，利用该至少一个凹槽作为对准标记来对该磁阻材料层进行图案定义。5.根据权利要求3所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在干，该于该至少ー层平坦化介电层上方形成该介 电层结构的步骤包括以下步骤: ...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘富台，李乾铭，梁志坚，傅乃中，
申请(专利权)人：宇能电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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