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本发明提出一种磁阻元件结构形成方法，包含：提供基板；于该基板上方形成金属镶嵌结构，再于该金属镶嵌结构上方形成图形化磁阻单元，与该金属镶嵌结构完成电性连接。本发明所述之磁阻元件结构形成方法，不但可将集成电路与磁阻材料整合在一起，达到体积极小化...
该专利属于宇能电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宇能电科技股份有限公司授权不得商用。

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