电荷泵电路及存储器制造技术

一种电荷泵电路及存储器，所述电荷泵电路包括时钟驱动单元、升压单元、上升摆幅控制单元、第一NMOS管、第一电流镜单元、第二NMOS管以及第二电流镜单元，其中，时钟驱动单元基于第二镜像电流形成时钟驱动信号并输出至升压单元，升压单元基于所述时钟驱动信号输出升压电压至上升摆幅控制单元和第一电流镜单元，上升摆幅控制单元基于所述升压电压输出上升摆幅控制信号至第一NMOS管的栅极，第一电流镜单元输出第一镜像电流，第二电流镜单元对所述第一镜像电流进行镜像，输出所述第二镜像电流。本发明专利技术技术方案提供的电荷泵电路使时钟驱动信号的频率自动跟随漏电流负载的大小进行变化，减小了电荷泵电路的面积、降低了功率损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路设计
，特别涉及一种电荷泵电路及存储器。
技术介绍
随着半导体技术的发展，基于低功耗、低成本的设计要求，存储器的电源电压通常比较低，例如2.5VU.8V等。然而，为了实现存储信息的读写，通常需要远高于电源电压的编程电压和擦除电压，例如8V、11V等。因此，电荷泵电路被广泛应用于存储器中，用于通过较低的电源电压获得较高的编程电压和擦除电压。图1所示为两级Dickson电荷泵示意图。参考图1,Dickson电荷泵每一个升压级由一个二极管接法的NMOS管(栅极与漏极连接)、连接于NMOS管源极的电容构成，电容的另一端连接于时钟振荡电路。其中，每一升压级的电容为等值的耦合电容，时钟振荡电路产生φ、P的两相不重叠时钟，时钟的幅度一般与电源电压VDD相等。电荷泵工作时，当P为低电平，电源VDD通过NMOS管对Cl充电，当供为高电平时，Cl上极板电压跳变为2*VDD，给C2充电，这样，电荷就从左边传到了右边。而当P又为低电平时，由于二极管接法NMOS管的单向导通性，电荷无法从右边传输回左边，这样，随着电荷泵级数的增加，电荷就源源不断地从电源传递到输出端，从而得到所需的高压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电荷泵电路，其特征在于，包括时钟驱动单元、升压单元、上升摆幅控制单元、第一NMOS管、第一电流镜单元、第二NMOS管以及第二电流镜单元，其中：时钟驱动单元，基于第二电流镜单元输出的第二镜像电流形成时钟驱动信号并输出至升压单元；升压单元，基于所述时钟驱动信号提升电压，输出升压电压至上升摆幅控制单元和第一电流镜单元；上升摆幅控制单元，基于所述升压电压输出上升摆幅控制信号至第一NMOS管的栅极；第一电流镜单元，包括栅极相连的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接并输入所述升压电压、漏极和栅极均与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的漏极...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31