阵列基板及显示器件制造技术

本实用新型专利技术涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及显示器件。所述阵列基板包括形成在基板上的TFT和设置在基板上的像素区域，像素区域对应设置有栅绝缘层，栅绝缘层的一侧表面上交替排列设置第一像素电极和第一公共电极，栅绝缘层的另一侧表面上交替排列设置第二公共电极和第二像素电极，位于不同面上的第一像素电极和第二公共电极上下对应设置，位于不同面上的第一公共电极和第二像素电极上下对应设置；其中，像素电极与公共电极极性相反。本实用新型专利技术实现电极结构在加电压的情况下既有边缘场又有平面电场，可以直接使用IPS驱动方式来进行驱动，降低了驱动的实现复杂度，响应速度快，成本低，在不增加设计难度的情况下提高了透光率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示
，特别涉及一种阵列基板及显示器件。
技术介绍
对于液晶显示器件，由于提供液晶显示的光源经折射和反射后输出时已有一定的方向性，在超出一定范围观看时会产生色彩失真现象，因而可视角度是评价液晶显示器件性能的重要参数。可视角度是指用户可以从不同的方向清晰地观察屏幕上所有内容的角度。液晶显示器件的可视角度包括水平可视角度和垂直可视角度两个指标，最大可视角度越大，可正常观看液晶显示器件图像的范围越大。传统技术中液晶显示器件的最大可视角度通常为120°，一直是制约液晶显示器件显示效果的瓶颈。为实现液晶显示器件的宽视角显示，现有技术中首先出现了 IPS(In-Plane-Switching,平面方向转换)技术，IPS面板中的电极结构如图1所示，IPS面板最大的特点就是它的像素电极3和公共电极4这两类电极都在形成TFT (Thin FilmTransistor,薄膜晶体管)基板的下基板I的同一个面上,形成CF (Color Filter,彩膜)基板的上基板2上没有制作电极，而不像其他液晶模式的电极是在TFT基板的上下两面立体排列。但由于电极在同一平面上，不管在何种状态下液晶分子始终都与屏幕平行，会使开口率降低，减少透光率，所以当IPS应用在大尺寸液晶显示器件(如液晶电视等)上时会需要更多的背光灯，增加背光模组的结构复杂度以及液晶显示器件的成本。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是如何提高液晶显示器件的开口率、透光率、响应速度，以及降低其成本。(二)技术方案为解决上述技术问题，本技术具体采用如下方案进行:首先，本技术提供一种阵列基板，包括形成在基板上的TFT和设置在基板上的像素区域，所述像素区域对应设置有栅绝缘层，所述栅绝缘层的一侧表面上交替排列设置第一像素电极和第一公共电极，所述栅绝缘层的另一侧表面上交替排列设置第二公共电极和第二像素电极，位于不同面上的所述第一像素电极和第二公共电极上下对应设置，位于不同面上的所述第一公共电极和第二像素电极上下对应设置；其中，像素电极与公共电极极性相反。其中，所述栅绝缘层两端边缘处分别设置有像素电极连接线和公共电极连接线。其中，所述像素电极连接线和所述公共电极连接线上分别设有过孔，设置在所述栅绝缘层不同面上且极性相同的像素电极通过过孔相导通，设置在所述栅绝缘层不同面上且极性相同的公共电极通过过孔相导通。其中，所述栅绝缘层同一面上的像素电极和公共电极的面积相等，其中一面上电极的面积大于另一面上电极的面积。其中，面积较小的电极对应设置在面积较大的电极的中部。本技术进一步提供了一种显示器件，所述显示器件包括上述阵列基板。(三)有益效果本技术中，通过在阵列基板栅绝缘层两侧表面上分别设置交替排列的像素电极和公共电极，并使像素电极和公共电极极性相反，且两面上像素电极和公共电极上下对应，实现该电极结构在加电压的情况下既有边缘场又有平面电场，可以直接使用现有的IPS模式中的驱动方式来进行驱动，不会增加驱动电路的复杂度，并且所形成的显示器件响应速度快，成本低，在不增加设计难度的情况下提高了开口率和透光率。附图说明图1为现有技术中IPS模式电极结构的示意图；图2为本技术实施例中阵列基板所采用的电极结构的截面示意图；图3为本技术实施例中阵列基板所采用的电极结构的平面示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1本实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括形成在基板上的TFT和设置在基板上的像素区域，所述像素区域对应设置有栅绝缘层，其中阵列基板所采用的电极结构如图2和图3所示，具体为，所述栅绝缘层的一侧表面上交替排列设置第一像素电极3-1和第一公共电极4-1，所述栅绝缘层的另一侧表面上交替排列设置第二公共电极4-2和第二像素电极3-2，位于不同面上的所述第一像素电极3-1和第二公共电极4-2上下对应设置，位于不同面上的所述第一公共电极4-1和第二像素电极3-2上下对应设置；其中，像素电极与公共电极极性相反。在图3所示优选的实施例中，像素电极极性为+、公共电极极性为-;当然，本领域相关技术人员也能理解，采用与图2完全相反的设置也同样适用于本技术中。采用上述方式，由于像素电极和公共电极交替排列且极性相反，因而在加电时位于同一面的相邻电极之间可以形成平面电场；又由于在两面都对应形成有极性相反的电极，因而在加电时两面的对应电极间又能获得边缘场，从而使得本技术的电极结构在具备IPS模式的优点的前提下，能够通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在(平行于基板)平面方向发生旋转转换，从而提高液晶层的开口率和透光效率。进一步参见图3的平面图，本实施例中的电极结构还包括分别设置在所述栅绝缘层两端边缘处的像素电极连接线6和公共电极连接线7。其中，所述像素电极连接线6和所述公共电极连接线7上分别对应设有第一过孔8和第二过孔9，设置在所述栅绝缘层的不同面上且极性相同的像素电极(第一像素电极3-1和第二像素电极3-2)通过所述第一过孔8与像素电极连接线6相连接，不同面上的公共电极(第一公共电极4-1和第二公共电极4-2)通过第二过孔9与公共电极连接线7相连接。优选地，本技术中的像素电极和公共电极均为条状电极。更优选地，设置在栅绝缘层同一面上的像素电极和公共电极的面积相等，且其中一面上的电极的面积大于另一面上的电极的面积。面积较小的电极对应设置(即投影位置有重叠，但两者之间被绝缘层隔开)在面积较大的电极的中部。通过上述各实施方式中的设置，本技术的电极结构在加电压的情况下形成的电场既有边缘场又有平面电场，属于FFS模式和IPS模式的组合，因而可以直接使用现有的驱动方式来进行驱动，即只需要像普通的显示模式一样的单TFT单像素电极驱动即可，从而降低了驱动的实现复杂度，在不增加设计难度的情况下提高了透光率，成本得到了降低。实施例2本实施例提供了一种阵列基板制备方法，该制备方法针对实施例2中的阵列基板来实施，具体地，该制备方法包括以下过程:在基板上形成TFT以及像素区域，所述像素区域对应形成有栅绝缘层，其中，所述栅绝缘层的一侧表面上交替排列形成第一像素电极和第一公共电极，所述栅绝缘层的另一侧表面上交替排列形成第二公共电极和第二像素电极，位于不同面上的所述第一像素电极和第二公共电极上下对应设置，位于不同面上的所述第一公共电极和第二像素电极上下对应设置；其中，像素电极与公共电极极性相反。根据实施例1中电极结构的设置，在所述栅绝缘层两端边缘处分别形成有像素电极连接线和公共电极连接线，所述像素电极连接线和所述公共电极连接线上分别设有过孔，所述栅绝缘层不同面上且极性相同的像素电极通过过孔相导通，所述栅绝缘层不同面上且极性相同的公共电极通过过孔相导通。进一步地，所述栅绝缘层同一面上的像素电极和公共电极的面积相等，其中一面上电极的面积大于另一面上电极的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括形成在基板上的TFT和设置在基板上的像素区域，所述像素区域对应设置有栅绝缘层，其特征在于，所述栅绝缘层的一侧表面上交替排列设置第一像素电极和第一公共电极，所述栅绝缘层的另一侧表面上交替排列设置第二公共电极和第二像素电极，位于不同面上的所述第一像素电极和第二公共电极上下对应设置，位于不同面上的所述第一公共电极和第二像素电极上下对应设置；其中，像素电极与公共电极极性相反。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括形成在基板上的TFT和设置在基板上的像素区域，所述像素区域对应设置有栅绝缘层，其特征在于，所述栅绝缘层的一侧表面上交替排列设置第一像素电极和第一公共电极，所述栅绝缘层的另一侧表面上交替排列设置第二公共电极和第二像素电极，位于不同面上的所述第一像素电极和第二公共电极上下对应设置，位于不同面上的所述第一公共电极和第二像素电极上下对应设置；其中，像素电极与公共电极极性相反。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层两端边缘处分别设置有像素电极连接线和公共电极连接线。3.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦广奎，柳在健，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：