【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
流体产品的分配设备是公知的。它们通常包含储槽、分配元件例如泵或阀，以及配备有分配孔的分配头。弹性体部件例如垫圈具有某些缺点，特别是在制造和组装阶段。因而，为了避免可能阻塞制造和/或组装线的粘合，必须将垫圈用滑石粉处理、洗涤并干燥。这些过程使得所涉及的分配设备的生产和组装复杂化。类似的问题可发生于其它弹性体部件，例如泵活塞。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出弹性体表面、特别是垫圈的处理方法，该方法克服上述缺点。特别是，本专利技术旨在提供弹性体表面的处理方法，该方法是有效、持久、无污染且实施起来简单的。特别是，本专利技术提供通过多电荷且多能量的离子处理弹性体聚合物部件的方法，所述离子属于由氦(He)、氮( N)、氧(O)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)构成的组，该聚合物部件形成流体分配设备的一部分，特别是用于药物的。大部分市售聚合物不传导电流。它们的表面电阻率在IO15至1017Ω/ □之间。然而，由于多种原因，可能需要导电性，这些原因包括:-抗静电效应:持续几周或几个月的表面电阻率降低会是足够的。-静电荷的耗散:这通过耗...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.02 FR 1055358;2010.07.08 FR 10028681.体产品分配设备的弹性体表面的处理方法，其特征在于所述方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对所述设备的待处理的至少一个弹性体表面进行改性的步骤，改性的所述弹性体表面限制制造和/或组装过程中弹性体表面的粘附，所述多电荷离子选自氦(He)、氮(N)、氧(O)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)，离子植入进行至O至3μπι的深度。2.根据权利要求1的方法，其中所述多能量离子用相同的提取电压同时植入。3.根据以上权利要求任一项的方法，其中多能量氦离子He+和He2+同时植入。4.根据权利要求3的方法，其中比率RHe小于或等于100，例如小于20，并且大于1，其中RHe=He+/He2+，He+和He2+以原子百分比表示。5.根据以上权利要求任一项的方法，其中在处理过程中弹性体表面的温度小于100°c，优选小于50°C。6.根据以上权利要求任一项的方法，其中改性的所述弹性体表面具有抗静电性能。7.根据以上权利要求任一项的方法，其中所述方法包含用离子处理弹性体聚合物实心部件的至少一个表面，所述方法包含用多能量离子X+和X2+构成的离子束的离子轰击，其中X是选自氦(He)、氮(N)、氧(O)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)的离子的原子符号，其中RX=XVX2+小于或等于100，例如小于20，X+和X2+以原子百分比表示，其中在预先步骤中确定束的移动速度，在该步骤中确定不导致聚合物热降解的束的最小移动速度，所述热降解由压力提高10_5mbar表明。8.根据权利要求7的方法，其中离子X+和X2+通过电子回旋加速器共振离子源(RCE)同时产生。9.根据权利要求7或8任一 项的方法，其中比率RX大于或等于I。10.根据权利要求7至9中任一项的方法，其中能够实现多能量离子X+和X2+植入的源的提取电压在10至400kV之间，例如大于或等于20kV和/或小于或等于100kV。11.根据权利要求7至10中任一项的方法，其中多能量离子X+和X2+的剂量在5XIO14至IO18离子/cm2之间，例如大于或等于IO15离子/cm2和/或小于或等于5 X IO17离子/cm2，甚至大于或等于5X IO15离子/cm2和/或小于或等于IO17离子/cm2。12.根据权利要求7至11中任一项的方法，其中在预先步骤中确定实心聚合物部件表面的特征性能的演化随着多能量离子X+和X2+剂量的变化，例如做为待处理部件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·勒戈格兰，P·莱昂内，D·比萨多，F·盖尔纳莱克，
申请(专利权)人：阿普塔尔法国简易股份公司，
类型：
国别省市：
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