流体产品的分配设备的表面处理方法技术

本发明专利技术涉及流体产品分配设备的表面处理方法。该方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对与所述流体产品接触的所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述待处理表面具有防止所述流体产品和改性的所述待处理表面之间的相互作用的阻隔性能。所述多电荷离子选自氦、硼、碳、氮、氧、氖、氩、氪、氙，离子植入进行至0至3μm的深度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
流体产品的分配设备是公知的。它们可以包含一个或多个储槽、分配元件例如泵、阀或者在储槽中可移动的活塞，以及配备有分配孔的分配头。这样的分配设备通常包含由多种材料生产的组件。因而，储槽可以由塑料或合成材料、玻璃或金属制成。多种部件例如活塞或密封可以由柔性塑料材料例如弹性体制成。其它部件通常由金属制成，例如易拉盖、弹簧或者形成阀的珠。特别是在药物领域中，待分配的流体和多种材料之间的相互作用的风险可能对所述流体有害。这样的相互作用可包括分子从这些材料浸出到流体中。作为实例，这样的相互作用可降解某些活性成分例如荷尔蒙、肽或酶，特别是在鼻喷雾设备中。所有现存的表面处理方法均存在缺点。因此，某些方式仅适合平的表面。其它方法限制基材的选择，例如限制为金。分子的等离子体诱导聚合是复杂且昂贵的，并且获得的涂层难以控制并且存在老化问题。类似地，用紫外辐射诱导分子的聚合也是复杂且昂贵的，并且仅仅对光敏分子起作用。这也适用于原子转移自由基聚合(ATRP)，它也是昂贵且复杂的。最后，电子接枝方法是复杂的，并且要求导电载体表面。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出避免上述缺点的表面处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.02 FR 1055347;2010.07.08 FR 10028681.体产品分配设备的表面处理方法，其特征在于所述方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对与所述流体产品接触的所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述待处理表面具有防止所述流体产品和改性的所述待处理表面之间的相互作用的阻隔性能，所述多电荷离子选自氦(He)、氮(N)、氧(O)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氣(Xe),离子植入进行至O至3 μ m的深度。2.根据权利要求1的方法，其中所述多能量离子用相同的提取电压同时植入。3.根据权利要求1或2的方法，其中所述待处理表面是金属的，尤其是易拉盖、弹簧或者形成阀的珠，或者是玻璃的，尤其是储槽。4.根据权利要求1或2的方法，其中所述待处理表面是软材料，例如弹性体，特别是活塞或垫圈，或者是硬合成材料，例如聚乙烯(PE)和/或聚丙烯(PP)和/或聚氯乙烯(PVC)和/或聚四氟乙烯(PTFE)。5.根据以上权利要求任一项的方法，其中该方法还包含通过离子植入向所述待处理表面赋予至少一种附加性能的步骤，例如降低摩擦和/或降低流体产品在改性的待处理表面上的粘附。6.根据以上权利要求任一项的方法，其中所述方法包含用离子处理聚合物实心部件的至少一个表面，所述方法包含用多能量离子X+和X2+构成的离子束的离子轰击，其中X是选自氦(He)、氮(N)、氧(O)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)的离子的原子符号，其中RX=X+/X2+小于或等于100，例如小于20，X+和X2+以原子百分比表示，其中在预先步骤中确定束的移动速度，在该步骤中确定不导致聚合物热降解的束的最小移动速度，所述热降解由压力提高KT5Hibar表明。7.根据权利要求6的方法，其中离子X+和X2+通过电子回旋加速器共振离子源(RCE)同时产生。8.根据权利要求6或7任一项的方法，其中比率RX大于或等于I。9.根据权利要求6至8中任一项的方法，其中能够实现多能量离子X+和X2+植入的源的提取电压在10至400kV之间，例如大于或等于20kV和/或小于或等于100kV。10.根据权利要求6至9中任一项的方法，其中多能量离子X+和X2+的剂量在5X IO14至IO18离子/cm2之间，例如大于或等于IO15离子/cm2和/或小于或等于5 X IO17离子/cm2，甚至大于或等于5X IO15离子/cm2和/或小于或等于IO17离子/cm2。11.根据权利要求6至10中任一项的方法，其中在预先步骤中确定实心聚合...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·布吕纳，D·比萨多，F·盖尔纳莱克，
申请(专利权)人：阿普塔尔法国简易股份公司，
类型：
国别省市：