三维集成高密度厚膜多芯片组件的集成方法技术

本发明专利技术公开了三维集成高密度陶瓷厚膜多芯片组件的集成方法，方法是先制作所需多层陶瓷厚膜基片，在多层陶瓷厚膜基片上，制作厚膜导带-阻带网络，小多层陶瓷基片的对外引脚制作在的同一端的端面或者两面；然后在垂直集成的相应键合区形成金球；再采用厚膜混合集成的方式进行集成，在小多层陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成引线键合；最后，采用共晶、合金或浆料粘接等焊接方式将集成后的小多层陶瓷基片垂直集成在底座多层陶瓷基片上。本发明专利技术采用三维竖向垂直集成，可将一个以上半导体芯片或其他片式元器件垂直集成在同一底座多层陶瓷基片上，实现高密度三维集成，提高多芯片组件的集成度和提高应用系统的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多芯片组件(简称MCM)，具体而言，涉及陶瓷厚膜多芯片组件(简称MCM-C)，进一步来说，涉及三维集成高密度陶瓷厚膜多芯片组件(简称3D-MCM-C)。
技术介绍
原有多芯片组件的集成技术中，在多层陶瓷厚膜基片(简称LTCC)表面采用二维平面集成技术(简称2D集成技术)，将半导体芯片、其他片式元器件直接装贴在多层陶瓷基片表面上，或采用三维平面垂直集成技术(简称3D集成技术)，在2D集成技术的基础上，将2个以上的芯片按一定的顺序和粘片工艺水平垂直堆叠，再采用键合丝(金丝或硅铝丝)进行引线键合，完成整个电气连接，最后在特定的气氛中将管基和管帽进行密封而成。原有技术存在的主要问题是:①对于二维平面集成技术，半导体芯片、其他片式元器件以最大面方向贴装到陶瓷基片上，芯片与基片的引线键合从一个焊点到另一个焊点之间需要一定的跨度，再加上基片上还需要根据具体电路的要求制作必要的厚膜电阻、厚膜电容、厚膜电感等，因此，基片表面的芯片贴装数量有限，芯片集成效率受基片面积的影响，芯片集成度难以提高；②对于三维水平垂直集成技术，受半导体芯片面积的限制，水平堆叠的芯片数量不可能太多，一般在5层以本文档来自技高网...

【技术保护点】
三维集成高密度陶瓷厚膜多芯片组件的集成方法，其特征是：先按多层陶瓷厚膜基片常规工艺制作所需多层陶瓷厚膜基片，在多层陶瓷厚膜基片上，采用丝网印刷、浆料烧结、激光调阻的方式制作导带?阻带网络，将所有对外进行电气连接的引脚制作在小多层陶瓷基片的同一端的端面或者两面；然后在每根引脚的键合区和底座多层陶瓷基片表面相应的键合区形成金球；再采用厚膜混合集成的方式进行半导体芯片或片式元器件的集成，在小多层陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；最后，采用共晶焊接、合金焊或浆料粘接的方式将集成后的小多层陶瓷基片垂直集成在底座多层陶瓷基片上。

【技术特征摘要】
1.维集成高密度陶瓷厚膜多芯片组件的集成方法，其特征是:先按多层陶瓷厚膜基片常规工艺制作所需多层陶瓷厚膜基片，在多层陶瓷厚膜基片上，采用丝网印刷、浆料烧结、激光调阻的方式制作导带-阻带网络，将所有对外进行电气连接的引脚制作在小多层陶瓷基片的同一端的端面或者两面；然后在每根引脚的键合区和底座多层陶瓷基片表面相应的键合区形成金球；再采用厚膜混合集成的方式进行半导体芯片或片式元器件的集成，在小多层陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨成刚，苏贵东，
申请(专利权)人：贵州振华风光半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：