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本发明公开了三维集成高密度陶瓷厚膜多芯片组件的集成方法，方法是先制作所需多层陶瓷厚膜基片，在多层陶瓷厚膜基片上，制作厚膜导带-阻带网络，小多层陶瓷基片的对外引脚制作在的同一端的端面或者两面；然后在垂直集成的相应键合区形成金球；再采用厚膜混合...
该专利属于贵州振华风光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过贵州振华风光半导体有限公司授权不得商用。

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