一种新型三维微波多芯片组件结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型三维微波多芯片组件结构，涉及微波微电子封装领域。自下而上包括底层硅片、MMIC芯片、顶层硅片、ASIC芯片；底层硅片上腐蚀有芯片安装槽，并在表面电镀第一金属层，MMIC芯片通过导电胶层粘结在芯片安装槽底部，在MMIC芯片的上表面与底层硅片的上表面上依次生长有密封保护层、第二金属层、第一阻焊层，顶层硅片底部与底层硅片的芯片安装槽对应位置腐蚀有底部凹槽，底层硅片和顶层硅片对应位置均刻蚀有焊球凸点电极，顶层硅片的第三阻焊层刻蚀有金属电极，ASIC芯片焊接在顶层硅片的金属电极上。通过采用硅腔结构和苯并环丁烯二次布线，以圆片级方式完成三维微波多芯片组件的工艺生产，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微波微电子封装领域。
技术介绍
随着微波毫米波技术的发展，小型化、集成化和多功能成为射频微波组件的发展方向。小型化、集成化的发展主要体现在以下两个方面：（1）开发多功能芯片，能够将包括低噪声放大器、驱动放大器、混频器、滤波器、开关、数控衰减器、数控移相器等微波功能单元集成在一个微波单片集成电路（MMIC）上，来实现系统的小型化，但该方式不能实现不同材质芯片的功能集成。（2）采用三维系统集成方案，将组件中的大规模集成电路（ASIC）和不同材质的MMIC等放置在不同层，然后采用垂直互联的方式实现三维微波多芯片组件。目前的三维微波多芯片组件技术是先将MMIC和ASIC等芯片和其他片式元件高密度组装在LTCC多层基板或薄膜多层微波互联基板上，形成2D多芯片模块，再采用毛纽扣或绝缘子等互联技术，在Z轴方向上将不同功能的多芯片模块层叠互联，实现多层垂直互联结构，形成三维微波多芯片组件。这种三维微波多芯片组件存在以下劣势：（1）需要对大量毛纽扣进行精确的定位和互联，给装配带来了很大的难度。（2）需要装配到金属盒体中，采用锡封或激光封焊的方式达到密封效果，这种封帽方式对焊缝的结构和工艺参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型三维微波多芯片组件结构，其特征在于：自下而上包括底层硅片（1）、MMIC芯片（2）、顶层硅片（4）、ASIC芯片（6）；所述底层硅片（1）上腐蚀有芯片安装槽，并在表面电镀第一金属层（11），MMIC芯片（2）通过导电胶层（10）粘结在芯片安装槽底部，且MMIC芯片（2）的上表面与底层硅片（1）的上表面在同一平面，在MMIC芯片（2）的上表面与底层硅片（1）的上表面上依次生长有密封保护层（9）、第二金属层（8）、第一阻焊层（7），所述顶层硅片（4）底部与底层硅片（1）的芯片安装槽对应位置腐蚀有底部凹槽（16），所述顶层硅片（4）下表面依次生长有第三金属层（12）、第二阻焊层（13）；顶层...

【技术特征摘要】
1.一种新型三维微波多芯片组件结构，其特征在于：自下而上包括底层硅片（1）、MMIC芯片（2）、顶层硅片（4）、ASIC芯片（6）；所述底层硅片（1）上腐蚀有芯片安装槽，并在表面电镀第一金属层（11），MMIC芯片（2）通过导电胶层（10）粘结在芯片安装槽底部，且MMIC芯片（2）的上表面与底层硅片（1）的上表面在同一平面，在MMIC芯片（2）的上表面与底层硅片（1）的上表面上依次生长有密封保护层（9）、第二金属层（8）、第一阻焊层（7），所述顶层硅片（4）底部与底层硅片（1）的芯片安装槽对应位置腐蚀有底部凹槽（16），所述顶层硅片（4）下表面依次生长有第三金属层（12）、第二阻焊层（13）；顶层硅片（4）上表面依次生长有第四金属层（14）、第三阻焊层（15）；所述顶层硅片（4）内刻蚀有连通第四金属层（14）和第三金属层（12）的硅通孔（5），所述底层硅片（1）和顶层...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵永志，王绍东，王志强，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：河北;13