基板处理设备以及阻抗匹配方法组成比例

提供一种基板处理设备和阻抗匹配方法。该基板处理设备包括：高频功率源，其用于产生高频功率；处理室，其用于通过使用高频功率来执行等离子体处理；匹配电路，其用于对处理室的变化阻抗进行补偿；以及变压器，其被设置在处理室和匹配电路之间，以减少处理室的阻抗。

【技术实现步骤摘要】

本文中公开的本专利技术涉及，并且更特别地，涉及用于在等离子体处理期间进行阻抗匹配的。
技术介绍
由于在等离子体处理期间使用高频功率来使用等离子体处理基板，所以阻抗匹配是至关重要的。阻抗匹配是:等同地控制在功率的发送终端和接收终端处的阻抗，以便有效地传送功率。等离子体处理需要在提供高频功率的功率源与接收高频功率的室之间的阻抗匹配，以产生和保持等离子体。由于等离子体的阻抗基于不同变量(例如源气体的类型、温度和压力)而确定，所以在处理期间室的阻抗持续变化。因此，在等离子体处理期间阻抗匹配通过具有电容器和电感器的匹配电路而对室的变化阻抗进行补偿。然而，由于当通过对电容量或电感量进行调整而补偿阻抗时存在响应速度的限制，所以在阻抗匹配期间发生了时间延迟。特别地，当在初始处理期间产生等离子体而使室的阻抗剧烈变化时，由于对室阻抗的非足够快响应产生了反射波，因而出现了室中的等离子体的密度偏离和电弧。
技术实现思路
本专利技术提供了一种执行快速阻抗匹配的基板处理设备以及基板处理方法。本专利技术还提供一种在宽频带中的高频功率上执行阻抗匹配的基板处理设备以及基板处理方法。本专利技术实施例提供了基板处理设备，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理设备，包括：高频功率源，其用于产生高频功率；处理室，其用于通过使用所述高频功率来执行等离子体处理；匹配电路，其用于对所述处理室的变化阻抗进行补偿；以及变压器，其被设置在所述处理室和所述匹配电路之间，以便减少所述处理室的阻抗。

【技术特征摘要】
2011.10.31 KR 10-2011-0112415;2011.12.22 KR 10-201.一种基板处理设备，包括: 高频功率源，其用于产生高频功率； 处理室，其用于通过使用所述高频功率来执行等离子体处理； 匹配电路，其用于对所述处理室的变化阻抗进行补偿；以及 变压器，其被设置在所述处理室和所述匹配电路之间，以便减少所述处理室的阻抗。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述变压器是RuthiOfT变压器。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述RuthiOfT变压器是1: 4不平衡-不平衡变压器。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的设备，还包括: 阻抗测量单元，其用于测量所述处理室的阻抗； 反射功率测量单元，其用于测量反射功率；以及 控制器，其用于基于所述阻抗测量单元和所述反射功率测量单元的测量值来控制所述匹配电路。5.根据权利要求4所述的设备，其中， 所述匹配电路包括彼此平行设置的多个电容器和分别连接到所述多个电容器的多个开关; 所述控制器基于所述测量值来产生控制信号；并且 所述匹配电路响应于所述控制信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈鲁秋恩·梅利基扬，孙德铉，朴源泽，成晓星，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：