探针阻抗匹配方法组成比例

本发明专利技术公开了一种探针阻抗匹配方法。首先，提供具有一初始阻抗值的一探针半成品，该探针半成品包含一接地层、一基板及一探针层，该接地层与该探针层由该基板绝缘地间隔开。接着，形成一具特定介电常数的介电层于该基板及该探针层之上，以使该初始阻抗值降低至一目标阻抗值。故借由本发明专利技术的阻抗匹配调整方法，便可使探针具有所需的特性阻抗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种探针阻抗匹配向下调整方法，特别是加工一具有高于目标阻抗值的探针半成品，以使最终的探针产品具有与目标阻抗值相同或极接近的探针阻抗匹配方法。
技术介绍
随着科技日新月异，各种电子产品逐趋复杂，而针对产品内部的组件性质检测精准度要求，亦有日渐提升的趋势。无论是印刷电路板或是电子零件，其是否能正常运作，阻抗是否匹配是其关键因素。因此对高速产品出厂前，阻抗是否匹配是必经的测试。对相关制造组装者而言，对产品阻抗的量测通常借由时域反射法（Time domain reflectometry,TDR）及TDR探针量测，透过收发侦测波以判断各种特性及阻抗是否匹配。为得到好的量测结果，探针本身必须是阻抗匹配或接近阻抗匹配，在探针的制造过程中，由于阻抗易受到材料介电常数变化（material dielectric constant variation）、走线蚀刻过程质量控制或走线金属厚度等许多因素所影响，囿于蚀刻或其他制程中所产生难以避免的误差，制造商难以将探针成品的线路阻抗值（trace impedance）恰好符合所需的目标阻抗值（target impedance）。而此项制程技术问题，不仅造成探针成品于使用时的检测讯号有误，使探针无法确切发挥功效，更容易毁败制造商的信誉。有鉴于此，提供一种探针阻抗匹配方法，使探针于制造过程中能轻易达成所欲的目标阻抗，以使探针运作良好顺畅，便为此一业界亟欲达成的目标。>
技术实现思路
本专利技术的一目的为提供一种探针的阻抗匹配方法，避免探针因制程的误差影响侦测值。为达上述目的及其他目的，本专利技术的探针阻抗匹配方法，包含：提供一探针半成品，该探针半成品包含一接地层、一基板及一探针层，该接地层与该探针层由该基板绝缘地间隔开，该探针半成品具有一初始阻抗值；以及，形成至少一具特定介电常数的介电层于该基板及该探针层之上，以使该初始阻抗向下调整至一目标阻抗值。于一实施例中，本专利技术的探针阻抗匹配方法于执行形成至少一介电层于该基板及该探针层之上的步骤后，还包含于该至少一具特定介电常数的介电层上形成至少一调节块的步骤。为了让上述的目的、技术特征和优点能够更为本领域的技术人员所知悉并应用，下文以本专利技术的数个较佳实施例以及附图进行详细的说明。附图说明图1A为本专利技术第一实施例的探针上视图；图1B为图1A的探针局部剖面示意图；图2为本专利技术第一实施例的探针阻抗匹配流程图；图3A为本专利技术第二实施例的探针上视图；图3B为图3A的探针局部剖面示意图；以及图4为本专利技术第二实施例的探针阻抗匹配流程图。具体实施方式以下将透过实施例来解释本
技术实现思路
，然而，关于实施例中的说明仅为阐释本专利技术的
技术实现思路
及其目的功效，而非用以直接限制本专利技术。须说明者，以下实施例以及附图中，与本专利技术非直接相关的组件已省略而未绘示；且图标中各组件的尺寸及相对位置关系仅用以示意俾便了解，非用以限制实施比例及尺寸大小。请同时参考图1A及图1B，图1A为本专利技术的第一实施例的探针上视图，图1B则为图1A的探针沿X-X’线的局部剖面示意图。于本实施例中，探针1包含依序层迭的一接地层11、一基板13、一探针层15及一第一介电层17a及一第二介电层17b。其中，接地层11与探针层15由导体制成，而基板13与介电层17均由绝缘材料制成。借此，设置于接地层11与探针层15之间的基板13可将两者绝缘地间隔开。请同时参考图2，为使上述探针1具有所需的目标阻抗值，本实施例便于制造探针1的过程中同时进行阻抗的匹配调整。首先，于步骤101中，提供一探针半成品；此探针半成品包含接地层11、基板13及探针层15，如前所述，接地层11与探针层15由基板13绝缘地间隔开。此时，探针半成品具有一初始阻抗值，其为大于探针1所需的一目标阻抗值约3%至5%。接着于步骤103中，形成第一介电层17a于基板13及探针层15的表面上。如图1A所示，探针层15形成于基板13之上，而探针层15小于基板13，是以第一介电层17a将同时覆盖基板13与探针层15。此时，执行步骤105以检测覆盖第一介电层17a后的探针半成品的阻抗值，确认其是否降低至目标阻抗值。若是，则完成探针的阻抗匹配；若否，则再次执行步骤103，形成一第二介电层17b于第一介电层17a的表面上，并再次执行步骤105的检测动作，亦即重复步骤103及步骤105直到整体的阻抗值降低到目标阻抗值为止。于本专利技术一实施例中，基板可为陶瓷基板、硅基板、玻璃基板或FR-4基板；第一介电层及第二介电层的一材料，可包含氧化物、氮化物或高分子聚合物，例如氟硅玻璃（FGS）或氮化硅层、二氧化硅等，第一介电层与第二介电层可由相同或不同的介电材料制成，且第一介电层及第二介电层可借由沉积、涂布或印刷等方式形成。于本专利技术一实施例中，探针层的一材料可选自金、铜、镍、镍锰合金、镍铁合金、镍钴合金、锡铅合金，而此探针层可借由沉积、电镀、溅镀、蒸镀、印刷涂布搭配微影蚀刻而形成。另需说明的是，具有本专利
的技术人员亦可先于基板上沉积一种子层，作为基板上方的探针层的电镀起始层，以使探针层与基板间具有良好的附着性。此外，于实际制作探针时，常无法于探针纵向上的每一区段保持相同一致阻抗值，为解决上述问题，请同时参考图3A及图3B，图3A为本专利技术的第二实施例的探针上视图，图3B则为图3A的探针沿Y-Y’线的局部剖面示意图。于本实施例中，探针3包含依序层迭的一接地层31、一基板33、一探针层35及一第一介电层37a、一第二介电层37b及调节块39。由于本实施例的组件及制程方法与前一实施例相似，故相同处便不在此重复赘述。请同时参考图4，为使上述探针3于纵向上的每一区段具有所需的目标阻抗值，本实施例便于制造探针3的过程中同时进行阻抗的匹配调整。首先，于步骤301中，提供一探针半成品；此探针半成品包含接地层31、基板33及探针层35，如前所述，接地层31与探针层35系由基板33绝缘地间隔开。此时，探针半成品具有一初始阻抗值，其系大于探针3所需的一目标阻抗值约3%至5%。接着针对探针半成品进行大约的阻抗匹配。亦即于步骤103中，形成第一介电层37a于基板33及探针层35的表面上。此时，执行步骤305以检测覆盖第一介电层17a后的探针半成品的阻抗值，确认其是否接近至目标阻抗值。若是，则完成探针3的大约阻抗匹配；若否，则再次执行步骤303，形成一第二介电层37b本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种探针阻抗匹配方法，包含：提供一探针半成品，该探针半成品包含一接地层、一基板及一探针层，该接地层与该探针层由该基板绝缘地间隔开，该探针半成品具有一初始阻抗值；及形成至少一介电层于该基板及该探针层之上，以使该初始阻抗值降低至一目标阻抗值。

【技术特征摘要】
1.一种探针阻抗匹配方法，包含：
提供一探针半成品，该探针半成品包含一接地层、一基板及一探针层，
该接地层与该探针层由该基板绝缘地间隔开，该探针半成品具有一初始阻抗
值；及
形成至少一介电层于该基板及该探针层之上，以使该初始阻抗值降低至
一目标阻抗值。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行形成至少一介电层于该基板
及该探针层之上的步骤后，还包含于该至少一介电层上形成至少一调节块的
步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，该初始阻抗值大于该目标阻抗值
3...

【专利技术属性】
技术研发人员：李心贤，方子正，
申请(专利权)人：世鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71