等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具有简单的装置结构而实现小型化，且能够有效降低基板或托盘上的气体的流动或压力分布偏差的等离子体处理装置。干式蚀刻装置(1)的腔室(5)具备：具有顶壁(8)、底壁(7)、侧壁(9)、端壁(11)及开口端(12)的一体结构的腔室主体(6)；封闭开口端(12)的盖体(16)。在处理对象物支承台(26)的基座(31)的侧部(31a)设有凹部(51)，该凹部(51)确保气体在端壁(11)和处理对象物支承台(26)间流动的充分空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体处理装置。
技术介绍
在等离子体处理装置中，不仅将基板自身收容于腔室内进行处理，也通过利用能够搬运多个基板的托盘而实现分批处理。伴随基板或托盘的大型化，导致等离子体处理装置尤其是腔室大型化。若基板或托盘大型化，则向腔室内导入及排出的气体的流动或压力在基板或托盘上的分布产生偏差而出现不均化，在处理特性(例如蚀刻特性)方面分布不均。已知有如下作为使基板或托盘上的气体的流动或压力分布偏差消失的主要対策。第一对策是在腔室的载置基板或托盘的下部电极的正下方配置包含TMP (涡轮式分子泵)的排气机构(专利文献I)。第二对策为设置多个排气机构(专利文献2)。第三对策是在腔室内设置与配置下部电极的处理室独立的大型的排气室(专利文献3)。在先技术文献专利文献专利文献I日本特开平4-53126号专利文献2日本特开2004-47558号专利文献3日 本特开平11-40544号最近，尤其是在LED制造等领域，更加谋求装置的低价化。然而，第一对策导致装置结构复杂及大型化以及由其引起的设置成本等的高成本化。另外，在第一对策中，存在产生故障时异物侵入排气机构的TMP内的危险性。进而，第二及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，具备：一体结构的腔室主体，其具备：在上下方向上相互对置的顶壁及底壁、相互对置的一对侧壁、设置有等离子体处理的处理对象物的搬入搬出口的一端侧的端壁、另一端侧的开口端；盖体，其固定在所述腔室主体上且以划分产生等离子体的腔室的方式封闭所述开口端；处理对象物支承台，其在作为所述腔室的所述端壁侧的区域的处理室内保持配置在所述底壁上的所述处理对象物；气体供给口，其设置在所述处理对象物支承台的上方，用于向所述腔室内供给等离子体产生用的气体；排气口，其在作为所述腔室的所述开口端侧的区域的排气室内设置在所述底壁上，用于排出所述腔室内的所述气体；第一凹部，其设置在所述处理对象物支承台的侧部的...

【技术特征摘要】
2011.11.07 JP 2011-2432681.种等离子体处理装置，具备: 一体结构的腔室主体，其具备:在上下方向上相互对置的顶壁及底壁、相互对置的一对侧壁、设置有等离子体处理的处理对象物的搬入搬出口的一端侧的端壁、另一端侧的开口端; 盖体，其固定在所述腔室主体上且以划分产生等离子体的腔室的方式封闭所述开口端; 处理对象物支承台，其在作为所述腔室的所述端壁侧的区域的处理室内保持配置在所述底壁上的所述处理对象物； 气体供给口，其设置在所述处理对象物支承台的上方，用于向所述腔室内供给等离子体产生用的气体； 排气口，其在作为所述腔室的所述开口端侧的区域的排气室内设置在所述底壁上，用于排出所述腔室内的所述气体； 第一凹部，其设置在所述处理对象物支承台的侧部的至少与所述端壁及所述侧壁对置的部位。2.据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于， 具备第二凹部，该第二凹部设置在所述端壁的内侧面的比所述搬入搬出口靠下方侧的位置。3.据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于， ...

【专利技术属性】
技术研发人员：置田尚吾，渡边彰三，岩井哲博，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：