本发明专利技术是有关高容量MLDC(积层薄膜电容，Multi-Layer?Deposition?Capacitor)制造设备的发明专利技术。已公示的本发明专利技术设备中为晶片的出入，侧面安装了多个闸阀。具备通过闸阀传送晶片的机械臂转换室和利用转换室供应晶片的卡座；卡座上下移动而安装的装载室；从转换室根据返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过溅镀方式蒸镀内部电极的溅镀室；从转换室利用返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过原子层蒸镀(ALD)方式将电层蒸镀的原子层蒸镀室(ALD?Chamber)；安装在转换室、溅镀室及原子层蒸镀室(ALD?Chamber)而提供真空压力的真空终端。具备上述结构的本发明专利技术中所有功能室将相互连接，从而通过返回机械臂的传送能够独立的控制各功能室之间的工程，具有同时执行物理气化蒸镀(PVD)和化学气化蒸镀(CVD)的功能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关积层薄膜电容制造设备的专利技术，是将形成电极图像的金属电极和电层通过多个真空蒸镀过程进行积层化的积层薄膜电容制造设备有关的专利技术。
技术介绍
通常情况下MLCC (积层陶瓷电容、Mult1-Layer Ceramic Capacitor)是通过修墨刀(Doctor Blade)方式的湿式方法将生成的电介质薄片和通过列印方式形成在表面的列印内部电极图像的薄膜进行积压，再通过高温烧结进行制造。在这里说明的修磨方式是指以均匀的厚度涂抹粘合剂的方式，是利用磨刀细致的将液体物质涂抹的方式。MLCC是由积层的金属镀金膜制作的电容器，是能暂时存储电能的部品。即，利用交流电可以通过直流电不能通过的特点，在移动通讯设备、数码AV设备、电脑等的电子仪器中以DC-blocking、By-passing、连接器等多种用途被使用的电子部品。通常情况下MLCC的制造过程是从制造根据一般陶瓷制造工程制成的粉末(Powder)开始的。此时，粉末是将含有一定可调整性的基础原料与蒸馏水进行混合后，在特定温度下经过一定时间的煅烧(calcination)过程而形成。而且，为了提高成型性，粉末(powder)中会添加PVA等binder,形成衆(slurry)状态后，利用修墨(doctor bladecasting)方式,铸造为陶瓷生片(ceramic green sheet)状态。之后Ag、Pd、Pt等符合条件的内部电极(internal electrode)将会被丝印(screen-painting)在薄片上面。而且，生片(green sheet)会被积层并切割为芯片(chip)状态。之后，芯片上升至一定温度(约400 500°C )时粘结剂(binder)被烧掉(burnout)，重新利用一定的高温进行烧结后，最终外部电极粘贴在两面而形成MLCC。通过传统制造方式制造的MLCC是把列印电极图像的陶瓷材质生片的电介质薄片积层化成多层，与多个电容器并列连接有着相同的构造。此时，通过修墨刀方式把电介质薄片积层化成积层构造的烧结过程会发生许多问题，具有很难得到一定厚度电层的缺点。而且，利用此方法制作的MLCC，根据目前电子仪器的轻便型、大容量化，积层陶瓷电容的容量是呈现增加的趋势。这时积层陶瓷电容的微型化中不可避免被积层的积层薄片的更细密的薄膜化和积层化。根据高容量MLCC制造而进行的电介质薄片的薄膜化及积层化及积层化过程中将会发生如下问题。首先，积层列印内部电极的电介质薄片形成MLCC时，电介质薄片中列印内部电极的部分和没有被列印内部电极的部分会形成厚度差异。积层多个电介质薄片时这样的厚度差异会更加明显的显示出来。在此，积压积层的电介质薄片是由拥有压缩一定厚度功能的压缩设备来完成的。此时列印内部电极的部分因内部电极的厚度形成的厚度相比没有被列印内部电极的部分要高。即使压缩积层的电介质薄片时，列印内部电极的部分也会因内部电极的厚度而形成突出的形态。MLCC形态中突出的形态在MLCC安装在电子仪器时，会成为传输不良的主要原因。根据修墨刀(Doctor Blade)方式铸造形态(Tape casting)时,有会加剧厚度差异、积层以后烧结的过程中也会发生破裂(crack)，使内部电极有缺陷等问题。通常使用的蒸镀系统是使用物理蒸镀(PVD)或化学蒸镀(CVD)中任意一种的系统，根据本专利技术的系统具备功能室的结构相互复合而又相互独立的构成，因此蒸镀完成后可利用转换室100的返回机械臂110进行晶片的功能室间的传送。而且，依据上述制造方式的积层电容制造设备与半导体制造设备相同。与此相同的传统的制造设备是把形成电介质层的PECVD(Plasma_enhanced chemical vapordeposition)设备和为形成电极膜而使用的溅镀设备一体化，局限于薄膜晶体管(thinfilm transistor)制造方法。传统的制造设备只能在一个功能室中采用一种方法形成薄膜，形成薄膜后解除真空状态，再重新传入晶片，因此对晶片的薄膜可能存在氧化或异物侵入的影响。
技术实现思路
要解决的课题本专利技术是为了解决传统技术的问题点而提案的，消除对内部电极膜的厚度段差，从而提供均匀改善积层面的积层薄膜电容的制造设备的专利技术。而且本专利技术不需要高温下的烧结过程，还提供最小化作业以后压缩烧制工程中发生的陶瓷板材的缺陷的积层薄膜电容的制造设备。而且，本专利技术能够提供:通过原位(In-Situ)及通过真空的薄膜蒸镀，几乎不存在陶瓷板材上生成气孔的现象的积层薄膜 电容的制造设备。本专利技术能够提供:通过原子层蒸镀方式进行的蒸镀，根据时间的蒸镀速度调节起来容易，按周期减少传统电介质层厚度偏差的积层薄膜电容的制造设备。而且，本专利技术所有工程都通过晶片的一次性传入在原位状态下完成，因此可以避免薄膜品质损伤，可以一次实施不是从物理蒸镀工程或化学蒸镀工程的两个工程中引起的的选择性工程的复合工程，因此通过有机的工程配合蒸镀积层薄膜的设备。课题解决手段依据本专利技术积层薄膜电容的制造设备的构成是，为晶片的出入在侧面安装了多个闸阀，具备通上述闸阀传送晶片的机械臂的转换室；利用上述转换室供应晶片的卡座，为上述卡座上下移动而安装的装载室；从上述转换室根据返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过溅镀方式蒸镀内部电极的溅镀室；从上述转换室利用返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过原子层蒸镀(ALD)方式将电介质层蒸镀的原子层蒸镀室(ALD Chamber);及包括安装在上述转换室、上述溅镀室、原子层蒸镀室(ALD Chamber)，提供真空压力的真空端口。上述转换室的侧面由6个表面构成，上述闸阀能够各各安装在上述6个表面。上述的返回机械臂由多个关节构成，上述多关节机械臂包括安装在上述转换室中央的可回转的基臂、上述基臂中安装的可回转的中心臂、及安装在中心臂中的可回转的传送臂。而且，从上述转换室依据返回的机械臂接收晶片，还包括对上述电介质层进行热处理(Annealing)的热处理室(Annealing Chamber)。此时上述溅镀室的内部为了金属膜蒸镀而设置可以上下移动的阴极。而且上述原子层蒸镀室内(ALD Chamber)里设置可以上下移动的热处理块，上述原子层蒸镀室内(ALDChamber)里设置与上述热处理块相连的可以上下移动热处理块的加热升降气缸。上述原子层蒸镀室(ALD Chamber)包括:提供上述晶片进入空间的蒸镀盒；安装在上述蒸镀盒内部通过上述闸阀固定进入的晶片的晶片固定平台；安装在上述蒸镀盒上端密封上述蒸镀盒的功能室门；及安装在上述蒸镀盒内部给上述晶片固定平台上的晶片供应原子层蒸镀气体或净化气的气体喷头。上述气体喷头由上喷射嵌板和下喷射嵌板构成，上述的上喷射嵌板及下喷射嵌板中有喷射对应上述晶片固定平台宽度的气体的狭缝喷嘴，上述狭缝喷嘴的侧面有与上述狭缝喷嘴隔离依据上述狭缝喷嘴的长度方向供应气体的供应线路，上述狭缝喷嘴和气体供应线路间有多个连接线路。在此，上述上喷射嵌板和下喷射嵌板的气体供应线路终端有连接供应气体的气体线路的供应平台。而且，上述气体供应线路应以从供应平台向末端慢慢变窄来设置最合理。效果依据如上述的本专利技术的积层薄膜电容的制造设备省略了湿式工程中必须的烧结工程，从而最小化层间界面的不良，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种积层薄膜电容的制造设备，包括：为晶片的出入，侧面安装了多个闸阀，具备通过上述闸阀传送晶片的机械臂转换室；具备向上述转换室供应晶片的卡座，安装的上述卡座可以上下移动的装载室；从上述转换室根据上述返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过溅镀方式蒸镀内部电极的溅镀室；从上述转换室利用上述返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过原子层蒸镀方式将电层蒸镀的原子层蒸镀室；及安装在上述的转换室、溅镀室、原子层蒸镀室，提供真空压力的真空端口。
【技术特征摘要】
1.一种积层薄膜电容的制造设备，包括: 为晶片的出入，侧面安装了多个闸阀，具备通过上述闸阀传送晶片的机械臂转换室； 具备向上述转换室供应晶片的卡座，安装的上述卡座可以上下移动的装载室； 从上述转换室根据上述返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过溅镀方式蒸镀内部电极的溅镀室； 从上述转换室利用上述返回的机械臂接收晶片，在晶片上通过原子层蒸镀方式将电层蒸镀的原子层蒸镀室；及 安装在上述的转换室、溅镀室、原子层蒸镀室，提供真空压力的真空端口。2.根据权利要求1所述的积层薄膜电容的制造设备，其特征在于: 上述转换室的侧面由6个面构成，上述闸阀能够各各安装在上述6个表面。3.根据权利要求1所述的积层薄膜电容的制造设备，其特征在于: 上述返回机械臂由多个关节构成， 上述多关节机械臂包括安装在述转换室中央可回转的基臂； 安装在上述基臂上可回转的中心臂；及 安装在上述中心臂上可回转的传送臂。4.根据权利要求1所述的积层薄膜电容的制造设备，其特征在于: 从上述转换室依据返回的机械臂接收晶片，更包括对电介质层进行退火操作的热处理室。5.根据权利要求1所述的积层薄膜电容的制造设备，其特征在于: 上述溅镀室内部为形成金属膜蒸镀而安装可上下移动的卡座。6.根据权利要求1所述的积层薄膜电容的制造设...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹剑，安荣宽，
申请(专利权)人：尹剑，
类型：发明
国别省市：
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