一种NOR闪存器件的退火工艺及NOR闪存器件制造技术

本发明专利技术公开了一种NOR闪存器件的退火工艺，该工艺包括在形成阱区的过程中，以变温的方式退火，具体为将温度以从950℃降至750℃，且以较慢优选为2.5℃/Min的速度降低温度。本发明专利技术还公开了一种采用该工艺制作的闪存器件。该发明专利技术通过单步工艺优化就能大幅度降低NOR闪存器件的静态工作电流，从而大幅度地降低NOR闪存器件的失效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及NOR闪存器件领域，尤其涉及一种NOR闪存器件的退火工艺以及采用该工艺制作的NOR闪存器件。
技术介绍
NOR闪存是市场上主要的非易失闪存技术之一。NOR闪存器件提供了高可靠性和快速读取性能，是在手机和其他电子器件中进行代码存储与直接执行的理想之选。NOR闪存器件制备过程中的退火工艺非常重要，在形成阱区的过程中，在离子注入之后要进行退火工艺改善掺杂原子的分布情况。除此之外，在形成闪存器件的其它工艺中，如将氧化膜调整为致密氧化膜等也要使用退火步骤。目前对于退火工艺也有许多改进的措施，如公开号为CN101872746A的中国专利提出采用ND3退火，使遂穿氧化层和硅衬底界面处的悬挂键可以被硅-氘键饱和，同时不稳定的硅-氢键可以被硅-氘键取代，这样就大大提高了界面处的电学特性，进而可以提高闪存器件可靠性。但目前的退火工艺大都恒温退火方式，是以使晶片在某一温度点停留一定时间的方式进行退火。如公开号为CN1797724A的中国专利公开了于氮气环境中在700-1000°C进行10-30Min的退火的技术方案；授权公告号为CN100514607C的中国专利公开了于氮气、真空或氢气气氛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NOR闪存器件的退火工艺，包括：在半导体衬底上形成阱区，对所述阱区进行退火，其特征在于，所述退火是变温退火，即是在退火气氛下，将温度从900?1000℃中的某一温度降至700?800℃中的某一温度，完成对所述阱区的退火。

【技术特征摘要】
1.一种NOR闪存器件的退火工艺，包括: 在半导体衬底上形成阱区， 对所述阱区进行退火，其特征在于，所述退火是变温退火，即是在退火气氛下，将温度从900-1000°C中的某一温度降至700-800°C中的某一温度，完成对所述阱区的退火。2.根据权利要求1所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，所述降温是从950°C降至750°C。3.根据权利要求1所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，所述降温是从1000 °C 降至 800 °C。4.根据权利要求1所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，所述降温是从900°C降至700 °C。5.根据权利要求1-4中任一项所述的NOR闪存器件的退火工艺，其特征在于，所述的降温速度为:1_5°C /Min。6.根据权利要求1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，黄兆兴，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：