非挥发性记忆体及其制造方法技术

本发明专利技术是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。该非挥发性记忆体的制造方法是先在基底上形成具有突起部的第一氧化物层。然后，在突起部二侧的基底中形成一对掺杂区。接着，在突起部的侧壁上形成一对电荷储存间隙壁。而后，在第一氧化物层与电荷储存间隙壁上形成第二氧化物层。之后，在第二氧化物层上形成导体层。同时本发明专利技术还提供了一种利用上述方法制造的非挥发性记忆体。本发明专利技术通过利用形成于氧化物突起部的侧壁上的电荷储存间隙壁来作为电荷储存区域，因此可以有效地将电荷分别局限于电荷储存间隙壁中，以避免在进行读取操作时产生第二位元效应，以及避免相邻的记忆胞在进行程序化操作时产生程序化干扰的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非挥发性记忆体(non-volatile memory, NVM)及其制造方法，特别是涉及于一种可以避免第二位元效应(second bit effect)与程序化干扰(programdisturbance)的。
技术介绍
非挥发性记忆体由于具有存入的资料在断电后也不会消失的优点，因此许多电器产品中必须具备此类记忆体，以维持电器产品开机时的正常操作。氮化物只读记忆体(read only memory, ROM)为目前常见的一种非挥发性记忆体。在氮化物只读记忆体的记忆胞中，利用由氮化物层所构成的电荷捕捉结构可储存二位元的资料。一般来说，二位元的资料可分别储存于电荷捕捉结构中的左侧(即左位元)或右侧(即右位元)。然而，在氮化物只读记忆体中存在着第二位元效应，即当对左位元进行读取操作时会受到右位元的影响，或者当对右位元进行读取操作时会受到左位元的影响。此外，随着记忆体尺寸逐渐缩小，记忆胞中的通道(channel)长度也随之缩短，造成第二位元效应更为显著，因而影响了操作裕度(operation window)与元件效能。另外，由于记忆体尺寸逐渐缩小，记忆胞之间的间距也随之缩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：在一基底上形成一第一氧化物层，该第一氧化物层具有一突起部；在该突起部二侧的该基底中形成一对掺杂区；在该突起部的侧壁上形成一对电荷储存间隙壁；在该第一氧化物层与该对电荷储存间隙壁上形成一第二氧化物层；以及在该第二氧化物层上形成一导体层。

【技术特征摘要】
1.一种非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其包括以下步骤 在一基底上形成一第一氧化物层，该第一氧化物层具有一突起部； 在该突起部二侧的该基底中形成一对掺杂区； 在该突起部的侧壁上形成一对电荷储存间隙壁； 在该第一氧化物层与该对电荷储存间隙壁上形成一第二氧化物层；以及 在该第二氧化物层上形成一导体层。2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中所述的第一氧化物层的形成方法包括 在该基底上形成一第一氧化物材料层； 在该第一氧化物材料层上形成一图案化罩幕层； 以该图案化罩幕层为罩幕，移除部分该第一氧化物材料层，以形成该突起部；以及 移除该图案化罩幕层。3.根据权利要求2所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中在移除部分该第一氧化物材料层之后，未暴露出位于该突起部二侧的该基底。4.根据权利要求3所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中在形成该突起部之后以及在移除该图案化罩幕层之前，还包括以该图案化罩幕层为罩幕，进行离子植入工艺，以形成该对掺杂区。5.根据权利要求4所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中该对电荷储存间隙壁的形成方法包括 在该第一氧化物层上共形地形成一电荷储存材料层；以及 进行等向性蚀刻工艺，移除部分该电荷储存材料层。6.根据权利要求4所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中该对电荷储存间隙壁的形成方法包括 在该第一氧化物层上共形地形成一电荷储存材料层； 在该电荷储存材料层上形成一第二氧化物材料层；以及 进行等向性蚀刻工艺，移除部分该第二氧化物材料层与部分该电荷储存材料层。7.根据权利要求3所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中在形成该突起部之后以及在移除该图案化罩幕层之前，还包括 在该图案化罩幕层与该突起部的侧壁上形成一对氮化物间隙壁；以及 以该图案化罩幕层与该对氮化物间隙壁为罩幕，进行离子植入工艺，以形成该对掺杂区。8.根据权利要求7所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中在移除该图案化罩幕层时，同时移除该对氮化物间隙壁。9.根据权利要求7所述的非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其中该对电荷储存间隙壁的形成方法包括 在该第一氧化物层上共形地形成一电荷储存材料层；以及 进行等向性蚀刻工艺，移除部分该电荷储存材料层。10.根据权利要求7所述的非挥发...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑致杰，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：