一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺，涉及多晶硅铸锭领域，用于改善硅锭退火过程中的杂质扩散等问题，其在硅锭凝固完全后不需升高炉温而直接进行降温，避免了升温过程中杂质的扩散，使硅锭头尾及四周低少子寿命区域面积更小，降低了硅锭内部杂质，提高了硅锭的成晶率，从而提高了硅锭质量。

Annealing process for improving crystallization ratio of polycrystalline silicon ingot

The invention discloses a silicon ingot annealing process to improve grain rate, to improve the field of polycrystalline silicon ingot, for impurity diffusion in silicon ingot annealing process, the silicon ingot solidification furnace temperature rise without completely and directly after cooling, avoid the diffusion of impurities in the heating process, the silicon ingot the head and tail and surrounded by low lifetime region area is smaller, reducing the silicon ingot internal impurities, improve the silicon ingot crystallization rate, thereby improving the quality of the ingot.

【技术实现步骤摘要】
一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺
本专利技术涉及多晶铸锭炉
，用于改善硅锭退火过程中的杂质扩散等问题，具体涉及一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺。
技术介绍
目前光伏行业多晶铸锭领域，多晶铸锭工艺包括加热、熔化、长晶、退火和冷却五个阶段。整个过程硅料熔化成液体在由底部至顶部定向凝固成固体，再经过退火减小硅锭顶底温差，消除长晶应力，最后冷却出炉，从而完成铸锭过程。传统多晶铸锭工艺中，在退火步骤为消除长晶热应力，防止硅锭隐裂及硅片碎片率升高，都是通过升高硅锭底部温度，缓慢降低顶部温度，使硅锭顶底温度接近，并保温一段时间使硅锭顶底温度更均匀，从而使硅锭热应力充分释放，确保硅锭不会隐裂，保证硅锭质量。但由于退火过程中温度升高，时间较长，使硅锭头尾及坩埚杂质进一步向硅锭内部扩散，影响硅锭质量，从而使硅锭成晶率降低。现有的技术方案有两类：以GT、京运通、精功、晶盛等厂家铸锭设备为主，退火阶段通过关闭隔热笼使硅锭底部温度升高，同时缓慢降低顶部温度使顶底温差减小，其退火温度1300-1400℃，保温2-5小时，整个退火过程可消除长晶热应力，消除硅锭隐裂。以ALD铸锭设备为主，多晶铸锭炉底部（在D本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺，其特征在于，在退火的全过程中，关闭隔热笼及气冷石墨冷却块的阀门，顶部加热器温度设定范围为1400℃‑1300℃，时间范围50‑70分钟，在此时间范围内温度逐渐降低的进行退火。

【技术特征摘要】
1.一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺，其特征在于，在退火的全过程中，关闭隔热笼及气冷石墨冷却块的阀门，顶部加热器温度设定范围为1400℃-1300℃，时间范围50-70分钟，在此时间范围内温度逐渐降低的进行退火。2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：具体的退火程序依次为1）顶部加热器温度设定为1390℃-1400℃，顶侧系数设定为1.0-1.1，时间设定为10-15分钟；2）顶部加热器温度设定为1350℃-1360℃，顶侧系数设定为1.0-1.1，时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：李旭敏，周晓康，陈发勤，梁学勤，李普，李宏，张军，
申请(专利权)人：宜昌南玻硅材料有限公司，中国南玻集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42