衬底承载装置及金属有机化学气相沉积设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基片承载装置，所述基片承载装置应用于金属有机化学气相沉积设备中，所述基片承载装置包括承载板，所述承载板包括支撑面，待处理衬底设置于所述支撑面，所述承载装置进一步包括多个定位销，所述定位销设置于所述支撑面，所述定位销用于限定待处理衬底在所述支撑面上的位置。本发明专利技术的基片承载装置使得待处理衬底温度分布均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造设备
，特别涉及一种衬底承载装置及应用所述衬底承载装置的金属有机化学气相沉积设备。
技术介绍
自GaN基第三代半导体材料的兴起，蓝光LED研制成功，LED的发光强度和白光发光效率不断提高。LED被认为是下一代进入通用照明领域的新型固态光源，因此得到广泛关注；而金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备是生长LED外延片的重要设备。请参阅图1，图1是现有技术的一种MOCVD设备的剖面结构示意图。所述MOCVD设备I包括腔体11、设置于所述腔体11顶部的进气装置12、设置于所述腔体11底部的衬底承载装置13和加热器14 ;所述进气装置12优选的为喷淋头组件。所述进气装置12与所述衬底承载装置13相对设置。所述加热器14设置于所述衬底承载装置13背离所述进气装置12的一侧，所述加热器14用于加热所述衬底承载装置13，进而加热设置在所述衬底承载装置12上的待处理衬底15。所述衬底承载装置13包括面向所述进气装置12的支撑面131。请同时参阅图2，图2是图1所示衬底承载装置13的俯视结构示意图。所述支撑面131包括若干用于收容待处理衬底15的凹槽132。所述待处理衬底15在所述凹槽132被加热。请参阅图3， 图3是图1所示凹槽132结构的放大示意图。所述凹槽132包括底面133和侧壁134。所述底面133平行所述支撑面131 ;所述侧壁134围绕所述底面133。所述待处理衬底15设置在所述凹槽132中时，所述待处理衬底15支撑在所述底面133上，所述侧壁134围绕在所述待处理衬底15的周围。在所述加热器14加热时，所述凹槽132的底面133和侧壁134将具有基本相同的温度。所述凹槽132的底面133将对所述待处理衬底15整体进行加热；而所述凹槽132的侧壁134由于围绕在所述待处理衬底15的周围，因此，所述凹槽132的侧壁134只对所述待处理衬底的15的边缘区域加热，使得衬底的15的边缘区域温度较高。造成所述衬底的温度分布不均匀。因此，有必要研发一种能够使得待处理衬底温度分布均匀的衬底承载装置和使用所述衬底承载装置的金属有机化学气相沉积设备。
技术实现思路
使用现有技术的衬底承载装置承载和加热衬底会使得待处理衬底温度分布不均匀，因此，本专利技术提供一种能解决上述问题的衬底承载装置。一种衬底承载装置，其包括承载板，所述承载板包括支撑面，待处理衬底设置于所述支撑面，所述承载装置进一步包括多个定位销，所述定位销设置于所述支撑面，所述定位销用于限定待处理衬底在所述支撑面上的位置。本专利技术同时提供一种使用上述衬底承载装置的金属有机化学气相沉积设备。一种金属有机化学气相沉积设备，其包括腔体，设置在所述腔体上部的进气装置、设置在所述腔体底部的衬底承载装置以及加热器，所述衬底承载装置与所述进气装置相对设置，所述加热器加热所述衬底承载装置，其中所述衬底承载装置为如上所述的衬底承载 装直。与现有技术相比较，本专利技术的衬底承载装置中，待处理衬底直接放置在所述衬底承载装置的支撑面上，所述待处理衬底通过定位销在所述支撑面上定位，如此，所述衬底承载装置通过所述支撑面对所述待处理衬底整体进行加热，所述待处理衬底边缘区域的温度没有了围绕在其周围的侧壁的加热影响，因此，所述待处理衬底的温度分布均匀。本专利技术的金属有机化学气相沉积设备具有基本相同的技术效果。附图说明图1是现有技术的一种MOCVD装置设备的剖面结构示意图。图2是图1所示衬底承载装置的俯视结构示意图。图3是图1所示凹槽132结构的放大示意图。图4是本专利技术MOCVD设备第一实施方式的剖面结构示意5是图4所示衬底承载装置第一种衬底排布方式的俯视结构示意图。图6是图4所示衬底承载装置第二种衬底排布方式的俯视结构示意图。图7是图4所示衬底承载装置第三种衬底排布方式的俯视结构示意图。图8是图4所示衬底承载装置第四种衬底排布方式的俯视结构示意图。图9是图4所示衬底承载装置结构部分放大示意图。具体实施例方式现有技术的金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备中，使用现有技术的衬底承载装置承载和加热待处理衬底会使得待处理衬底温度分布不均匀；为解决现有技术的问题，本专利技术提供一能够使得待处理衬底温度均匀的衬底承载装置。所述衬底承载装置包括承载板，所述承载板包括支撑面，待处理衬底设置于所述支撑面，所述承载装置进一步包括多个定位销，所述定位销设置于所述支撑面，所述定位销用于限定待处理衬底在所述支撑面上的位置。本专利技术还提供一种应用所述衬底承载装置的MOCVD设备。与现有技术相比较，本专利技术的衬底承载装置中，待处理衬底直接放置在所述承载板的支撑面上，所述待处理衬底通过定位销在所述支撑面上定位，如此，所述衬底承载装置通过所述支撑面对所述待处理衬底整体进行加热，所述待处理衬底边缘区域的温度没有了围绕其周围的侧壁的加热影响，因此，所述待处理衬底的温度分布均匀。本专利技术的金属有机化学气相沉积设备具有基本相同的技术效果。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。请参阅图4，图4是本专利技术MOCVD设备第一实施方式的剖面结构示意图。所述MOCVD设备2优选的为用于生长LED外延片的MOCVD设备。所述MOCVD设备包括腔体21和设置于所述腔体21内的进气装置22、衬底承载装置23和加热器。所述进气装置22设置在所述腔体21的顶部，所述衬底承载装置23设置在所述腔体21的底部并与所述进气装置22相对设置；所述衬底承载装置23与所述进气装置22之间限定一反应区域27。所述加热器24设置在所述衬底承载装置23背离所述进气装置22的一侧。所述加热装置24用于加热所述衬底承载装置23，进而加热设置在所述衬底承载装置23上衬底25。所述进气装置22用于向所述反应区域27引入反应气体和载气。优选的，所述反应气体包括II族反应气体和VI族反应气体或所述反应气体包括III族反应气体和V族反应气体，其中III反应气体优选的为镓(Ga)金属有机源气体，所述V族反应气体优选的为氮源气体，如所述V族反应气体为氨气。所述载气可选的为氢气或氮气。所述进气装置22在本实施方式中为喷淋组件；所述喷淋组件用于在所述反应区域27中形成垂直所述衬底承载装置23面向所进气装置22的表面的气流。所述进气装置22还可以是一中心进气装置，所述中心进气装置用于在所述反应区域27形成平行所述衬底承载装置23面向所进气装置22的表面的气流。所述衬底承载装置23用于承载衬底25，所述衬底承载装置包括承载板233和多个定位销26。所述承载板233优选的为石墨材料构成的盘，所述承载板233还可以由碳化硅、表面具有碳化硅涂层的石墨或耐高温金属钥构成的盘。所述承载板233还可以由多块子板拼接而成，所述子板优选的成扇形，所述多块子板拼接形成盘状的所述承载板233。所述承载板233包括面向所述进气装置22的支撑面231。所述多个待处理衬底25设置于所述支撑面231。优选的，所述支撑面231是一平面。所述多个定位销26设置在所述支撑面231上。所述定位销26用于限定待处理衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底承载装置，其包括承载板，所述承载板包括支撑面，待处理衬底设置于所述支撑面，其特征在于：所述承载装置进一步包括多个定位销，所述定位销设置于所述支撑面，所述定位销用于限定待处理衬底在所述支撑面上的位置。

【技术特征摘要】
1.一种衬底承载装置，其包括承载板，所述承载板包括支撑面，待处理衬底设置于所述支撑面，其特征在于:所述承载装置进一步包括多个定位销，所述定位销设置于所述支撑面，所述定位销用于限定待处理衬底在所述支撑面上的位置。2.根据权利要求1所述的衬底承载装置，其特征在于:所述定位销的横截面积小于或等于4平方毫米。3.根据权利要求2所述的衬底承载装置，其特征在于:待处理衬底设置在所述支撑面上并与所述定位销接触时，待处理衬底与定位销点接触。4.根据权利要求2所述的衬底承载装置，其特征在于:所述定位销的横截面为圆形、多边形或椭圆形。5.根据权利要求2至4中任一个所述的衬底承载装置，其特征在于:所述定位销在所述支撑面上的设置使得待处理衬底能够在所述支撑面上呈蜂窝状排列。6.根据权利要求1所述的衬底承载装置，其特征在于:所述支撑面具有多个定位孔，所述定位销通过插入到所述定位孔中而设置在所述支撑面。7.根据权利要求6所述的衬底承载装置，其特征在于:所述多个定位孔在所述支撑面上的排布设置使得待处理衬底可以以多种排布方式在所述支撑面上排布。8.根据权利要求7所述的衬底承载装置，其特征在于:所述待处理衬底包括大衬底和小衬底，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：