【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产设备领域，尤其涉及采用光加热的PVD设备。
技术介绍
由于半导体集成制造的过程中需要由多个工艺分步完成，如清洗处理、干燥处理、隔离处理、PVD镀膜等等，且每一工艺步骤均需要在密闭的环境下进行，对此现有技术中通常采用集成密封制造系统，使每一步工艺在同一密闭的环境下进行。在整个半导体集成制造过程中，PVD镀膜是半导体成型的核心步骤。PVD指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基板表面上的过程。在目前的半导体制造过程中，PVD镀膜技术的基本方法有真空蒸发、真空溅射和真空离子镀膜的方法。真空蒸发是指将膜材置于真空室内的蒸发源中，在高真窒条件下，通过蒸发加热使其蒸发，当蒸汽分子的平均自由程大于真空室的线性尺寸后，蒸汽状态下的原子和分子从蒸发源表面逸出后，很少受到其他分子或原子的冲击与阻碍，可直接到达被镀的基板表面上，由于基板温度较低，便凝结于其上而形成镀膜。现有技术中，半导体集成制造系统中，当完成一工艺流程后，需将半导体半成品取出，以进行下一步的工艺处理，但其对取出后的空间真空度要求较高，因此造成半导体集成制造设备制造困难，厂房的规模巨...
【技术保护点】
采用光加热的PVD设备，包括一壳体，其特征在于：所述壳体横向两侧分别设有供放置待镀膜材料的传输带通过的入口和出口，且所述传输带将所述壳体分隔成上腔与下腔，所述壳体内入口和出口处分别设有动态夹持所述传输带并带动其移动的滚筒组，各所述滚筒组包括贴设于传输带上侧的上滚筒和贴设于传输带下侧的下滚筒，所述壳体上还设有驱动所述滚筒组运转的第一伺服电机；所述下腔内设有用于放置靶材的移动靶舟及对所述移动靶舟提供热源的光热装置，所述移动靶舟上端具有一朝向所述传输带的喷气口，所述光热装置设于所述移动靶舟下端。
【技术特征摘要】
1.米用光加热的PVD设备,包括一壳体,其特征在于:所述壳体横向两侧分别设有供放置待镀膜材料的传输带通过的入口和出口，且所述传输带将所述壳体分隔成上腔与下腔，所述壳体内入口和出口处分别设有动态夹持所述传输带并带动其移动的滚筒组，各所述滚筒组包括贴设于传输带上侧的上滚筒和贴设于传输带下侧的下滚筒，所述壳体上还设有驱动所述滚筒组运转的第一伺服电机；所述下腔内设有用于放置靶材的移动靶舟及对所述移动靶舟提供热源的光热装置，所述移动靶舟上端具有一朝向所述传输带的喷气口，所述光热装置设于所述移动靶舟下端。2.根据权利要求1所述的采用光加热的PVD设备，其特征在于:所述下腔内设有一转动的丝杆，所述移动靶舟设有与所述丝杆适配的螺纹孔，所述移动靶舟由所述螺纹孔安装于所述丝杆上。3.根据权利要求1所述的采用光加热的PVD设备，其特征在于:所述光热装置包括设于所述移动靶舟下端的光腔、设于所述光腔内并聚焦于所述移动靶盘下端的聚焦镜头及柔性的导光管，所述导光管的一端插设于所述光腔内并朝向所述聚焦镜头，另一端与光源设备连接。4.根据权利要求...
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