有机像素及其制造方法和包括其的装置制造方法及图纸

技术编号:8595009 阅读:273 留言:0更新日期:2013-04-18 08:40
本发明专利技术提供了一种有机像素,包括:包括像素电路的半导体基板;互连层,具有形成在半导体基板上的第一接触和第一电极;和形成在互连层上的有机光电二极管。例如,有机光电二极管包括:形成在第一电极上的绝缘层;第二电极;和形成在第一接触、绝缘层和第二电极之间的光电转换区。光电转换区包括给电子有机材料和受电子有机材料。有机光电二极管还可以包括电连接到第一接触的第二接触。第二接触与绝缘层之间的水平距离可以小于或等于数微米,例如10微米。

【技术实现步骤摘要】
有机像素及其制造方法和包括其的装置
本专利技术构思的示例实施方式涉及一种有机光电二极管,例如涉及包括有机光电二极管的有机像素、该有机像素的制造方法和操作方法和/或包括该有机像素的装置,该有机像素可以响应于传送控制信号的电压来划分并执行电荷累积操作和电荷传输操作。
技术介绍
光电二极管是光电转换元件或光电探测器的示例,其可以将光能转换为诸如电流或电压的电信号。光电二极管可以具有P-N结结构或PIN结构,通过利用光电效应来产生自由电子和空穴。由于光电转换功能或光电探测功能,光电二极管被广泛用在CMOS图像传感器中。 CMOS图像传感器可以包括多个像素传感器的阵列作为图像传感器。多个像素传感器可以由CMOS工艺和/或与其相关的特定工艺制造。多个像素传感器的每个可以包括诸如光电二极管的光电探测器,还可以包括有源放大器。从该阵列输出的像素信号通过各种处理工序,例如相关双采样(⑶S)和模拟到数字转换,被转换为数字信号。该数字信号可以通过图像信号处理器被处理,经处理的信号可以通过显示器显示。通过显示器显示的图像质量可以根据包括例如光电二极管的像素传感器的性能来确定。因此,已经开展了提高像素传感器的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机像素,包括:互连层,在包括像素电路的半导体基板上,所述互连层包括第一接触和第一电极;和有机光电二极管,在所述互连层上,其中所述有机光电二极管包括:绝缘层,在所述第一电极上;第二电极;和光电转换区,在所述第一接触、所述绝缘层和所述第二电极之间,所述光电转换区包括给电子有机材料和受电子有机材料。

【技术特征摘要】
2011.10.14 KR 10-2011-01052051.一种有机像素,包括 互连层,在包括像素电路的半导体基板上,所述互连层包括第一接触和第一电极;和 有机光电二极管,在所述互连层上, 其中所述有机光电二极管包括 绝缘层,在所述第一电极上; 第二电极;和 光电转换区,在所述第一接触、所述绝缘层和所述第二电极之间,所述光电转换区包括给电子有机材料和受电子有机材料。2.根据权利要求1所述的有机像素,其中所述第一电极和所述光电转换区被所述绝缘层绝缘。3.根据权利要求2所述的有机像素,其中所述有机光电二极管还包括电连接到所述第一接触的第二接触, 其中所述第一电极和所述光电转换区被所述绝缘层绝缘,所述第二接触与所述绝缘层之间的距离小于或等于10微米。4.根据权利要求1所述的有机像素,其中所述有机像素是处于4晶体管操作模式中的单元。5.根据权利要求1所述的有机像素,其中所述互连层还包括 通孔,连接所述第一接触与所述像素电路的连接节点;和 金属线,提供传送控制信号到所述第一电极。6.根据权利要求5所述的有机像素,其中所述连接节点为所述像素电路的浮置扩散节点和连接到所述浮置扩散节点的中间存储节点中的至少一个。7.根据权利要求6所述的有机像素,还包括开关,所述开关配置为响应于开关信号连接所述中间存储节点和所述浮置扩散节点。8.根据权利要求1所述的有机像素,其中所述绝缘层的厚度小于或等于10微米。9.根据权利要求1所述的有机像素,其中所述第二电极是透明电极。10.一种图像传感器,包括 根据权利要求1所述的有机像素;和 行驱动器,配置为输出用于控制所述有机像素的电荷传输操作的传送控制信号。11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中所述有机光电二极管还包括电连接到所述第一接触的第二接触, 其中所述第一电极和所述光电转换区被所述绝缘层绝缘,所述第二接触与所述绝缘层之间的距离小于或等于10微米。12.根据权利要求10所述的图像传感器,其中所述互连层还包括 通孔,连接所述第一接触和所述像素电路;和 金属线,提供传送控制信号到所述第一电极, 其中所述行驱动器在光电荷累积操作期间提供具有第一电平的传送控制信号到所述金属线并在光电荷传输期间提供具有低于所述第一电平的第二电平的传送控制信号到所述金属线。13.一种图像处理装置,包括根据权利要求10所述的图像传感器;和 处理器,配置为控制所述图像传感器的操作。14.根据权利要求13所述的图像处理装置,其中所述有机光电二极管还包括电连接到所述第一接触的第二接触, 其中所述第一电极和所述光电转换区被所述绝缘层绝缘,所述第二接触与所述绝缘层之间的距离小于或等于10微米。15.根据权利要求13所述的图像处理装置,其中所述互连层还包括 通孔,连接所述接触与所述像素电路;和 金属线,提供所述传送控制信号到所述第一电极, 其中所述行驱动器在光电荷累积操作期间提供具有第一电平的传送控制信号到所述金属线并在光电荷传输期间提供具有低于所述第一电平的第二电平的传送控制信号到所述金属线...

【专利技术属性】
技术研发人员:秋教轸誥成后藤金奎植金允璟朴敬培徐振豪薛相哲李景镐李光熙
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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