有机发光像素及包括有机发光像素的有机发光显示装置制造方法及图纸

公开了有机发光像素及有机发光显示装置，有机发光像素包括用于发射具有第一波长的第n阶谐振模的光的第一有机发光二极管，n为至少为1的自然数；用于发射具有第二波长的第n阶谐振模的光的第二有机发光二极管，第二波长比第一波长短；以及用于发射具有第三波长的第m阶谐振模的光的第三有机发光二极管，第三波长比第一波长和第二波长短，并且m为大于n的自然数。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用于2015年7月29日在韩国知识产权局提交的名为“有机发光像素及包括有机发光像素的有机发光显示装置”的第10-2015-0107358号韩国专利申请通过引用全部并入本文。
实施方式涉及有机发光像素和包括有机发光像素的有机发光显示装置。
技术介绍
有机发光二极管是自发射型装置并具有宽视角和优良的对比度。有机发光二极管也具有快速的响应时间、高照度以及低驱动电压。有机发光二极管可包括阳极和依次层压在阳极上的空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极。例如，空穴传输层、发光层以及电子传输层可以是包括有机化合物的有机薄膜。有机发光二极管的工作原理可以是如下的。当不同的电压被分别施加至阳极和阴极时，空穴可从阳极注入并可通过空穴传输层移动至发光层，并且电子可从阴极注入并可通过电子传输层移动至发光层。空穴和电子可在发光层中复合以产生激子。光随着激子从激发态移动到基态而产生。
技术实现思路
实施方式涉及有机发光像素及包括有机发光像素的有机发光显示装置。实施方式可通过提供有机发光像素实现，该有机发光像素包括用于发射具有第一波长的第n阶谐振模的光的第一有机发光二极管，n为至少为1的自然数；用于发射具有第二波长的第n阶谐振模的光的第二有机发光二极管，第二波长比第一波长短；以及用于发射具有第三波长的第m阶谐振模的光的第三有机发光二极管，第三波长比第一波长和第二波长短，并且m为比n大的自然数。第一有机发光二极管可包括第一阳极、第一空穴控制层、第一谐振控制层、第一发光层、第一电子控制层以及第一阴极，其中，第一空穴控制层位于第一阳极上，第一谐振控制层位于第一空穴控制层上，第一发光层位于第一谐振控制层上，第一电子控制层位于第一发光层上，第一阴极位于第一电子控制层上；第二有机发光二极管可包括第二阳极、第二空穴控制层、第二谐振控制层、第二发光层、第二电子控制层以及第二阴极，其中，第二空穴控制层位于第二阳极上，第二谐振控制层位于第二空穴控制层上，第二发光层位于第二谐振控制层上，第二电子控制层位于第二发光层上，第二阴极位于第二电子控制层上，第二阴极与第一阴极是一体的；以及第三有机发光二极管可包括第三阳极、第三空穴控制层、第三谐振控制层、第三发光层、第三电子控制层以及第三阴极，其中，第三空穴控制层位于第三阳极上，第三谐振控制层位于第三空穴控制层上，第三发光层至少位于第三谐振控制层上，第三电子控制层位于第三发光层上，第三阴极位于第三电子控制层上，第三阴极与第二阴极是一体的。第一空穴控制层、第二空穴控制层以及第三空穴控制层可以是一体的，并且一体的第一空穴控制层、第二空穴控制层以及第三空穴控制层可以是公共空穴控制层。公共空穴控制层可包括将空穴传输至第一发光层、第二发光层和第三发光层的空穴传输层。空穴传输层可包括在空穴传输层的厚度方向上所划分的掺杂层和无掺杂层，无掺杂层比掺杂层更靠近第一发光层、第二发光层和第三发光层，掺杂层可包括p型掺杂剂和空穴传输材料，并且无掺杂层可包括空穴传输材料。公共空穴控制层还可包括将空穴从第一阳极、第二阳极和第三阳极注入至空穴传输层的空穴注入层。有机发光像素还可包括位于公共空穴控制层与第一阳极、第二阳极和第三阳极之间并产生空穴的中间层。中间层可包括六氮杂苯并菲六腈、三氧化钼或富勒烯。第一电子控制层、第二电子控制层以及第三电子控制层可以是一体的，并且一体的第一电子控制层、第二电子控制层以及第三电子控制层可以是公共电子控制层。第三发光层可包括与第一发光层重叠的第一部分，与第二发光层重叠的第二部分以及与第三谐振控制层重叠的第三部分。第三发光层可包括双极性化合物。双极性化合物可包括蒽、9-苯基蒽、9,10-二苯基蒽、或苯并(B)萘并(2,3-D)呋喃。第一部分可位于公共空穴控制层和第一发光层之间，第二部分可位于公共空穴控制层和第二发光层之间，并且第三部分可位于第三谐振控制层和公共电子控制层之间。第一谐振控制层可具有比第一发光层的LUMO能级高至少0.2eV的LUMO能级。第一部分可位于公共电子控制层和第一发光层之间，第二部分可位于公共电子控制层和第二发光层之间，并且第三部分可位于第三谐振控制层和公共电子控制层之间。第一波长可以是约620至约750nm，第二波长可以是约495至约570nm，并且第三波长可以是约450至约495nm。n可以为1并且m可以为2。第一有机发光二极管可具有根据下列等式1的第一谐振长度(Lc1)：第二有机发光二极管可具有根据下列等式2的第二谐振长度(Lc2)：以及第三有机发光二极管可具有根据下列等式3的第三谐振长度(Lc3)，其中，在等式1至等式3中，Nc1是提供第一有机发光二极管的第一谐振长度的第一谐振结构的第一折射率，λ1是第一波长，Nc2是提供第二有机发光二极管的第二谐振长度的第二谐振结构的第二折射率，λ2是第二波长，Nc3是提供第三有机发光二极管的第三谐振长度的第三谐振结构的第三折射率，以及λ3是第三波长。n可以为1并且m可以为2。实施方式可通过提供有机发光显示装置实现，该有机发光显示装置具有第一光发射区、第二光发射区和第三光发射区以及邻近于第一光发射区、第二光发射区和第三光发射区的非光发射区，该装置包括基础层；第一有机发光二极管，在第一光发射区中位于基础层上，用于发射具有第一波长的第一阶谐振模的光；第二有机发光二极管，在第二光发射区中位于基础层上，用于发射具有第二波长的第一阶谐振模的光，第二波长比第一波长短；以及第三有机发光二极管，在第三光发射区中位于基础层上，用于发射具有第三波长的第二阶谐振模的光，第三波长比第一波长和第二波长短。有机发光显示装置还可包括位于基础层上的像素限定膜，像素限定膜包括分别覆盖第一光发射区、第二光发射区和第三光发射区的第一开口、第二开口和第三开口。第一有机发光二极管可包括第一阳极、第一空穴控制层、第一谐振控制层、第一发光层、第一电子控制层以及第一阴极，其中，第一阳极位于第一光发射区中，第一空穴控制层位于第一阳极上，第一谐振控制层位于第一空穴控制层上，第一发光层位于第一谐振控制层上，第一电子控制层位于第一发光层上，第一阴极位于第一电子控制层上；第二有机发光二极管可包括第二阳极、第二空穴控制层、第二谐振控制层、第二发光层、第二电子控制层以及第二阴极，其中，第二阳极位于第二光发射区中，第二空穴控制层位于第二阳极上，第二谐振控制层位于第二空穴控制层上，第二发光层位于第二谐振控制层上，第二电子控制层位于第二发光层上，第二阴极位于第二电子控制层上；第三有机发光二极管可包括第三阳极、第三空穴控制层、第三谐振控制层、第三发光层、第三电子控制层以及第三阴极，其中，第三阳极位于第三光发射区中，第三空穴控制层位于第三阳极上，第三谐振控制层位于第三空穴控制层上，第三发光层位于第三谐振控制层上并与第一光发射区、第二光发射区和第三光发射区以及非光发射区重叠，第三电子控制层位于第三发光层上，第三阴极位于第三电子控制层上，第一空穴控制层、第二空穴控制层和第三空穴控制层可以是一体的公共空穴控制层的部分，第一电子控制层、第二电子控制层和第三电子控制层可以是一体的公共电子控制层的部分，并且第一阴极、第二阴极和第三阴极可以是一体的公共阴极的部分。公共空穴控制层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光像素，包括：第一有机发光二极管，发射具有第一波长的第n阶谐振模的光，n是至少为1的自然数；第二有机发光二极管，发射具有第二波长的所述第n阶谐振模的光，所述第二波长比所述第一波长短；以及第三有机发光二极管，发射具有第三波长的第m阶谐振模的光，所述第三波长比所述第一波长和所述第二波长短，并且m为大于n的自然数。

【技术特征摘要】
2015.07.29 KR 10-2015-01073581.一种有机发光像素，包括：第一有机发光二极管，发射具有第一波长的第n阶谐振模的光，n是至少为1的自然数；第二有机发光二极管，发射具有第二波长的所述第n阶谐振模的光，所述第二波长比所述第一波长短；以及第三有机发光二极管，发射具有第三波长的第m阶谐振模的光，所述第三波长比所述第一波长和所述第二波长短，并且m为大于n的自然数。2.根据权利要求1所述的有机发光像素，其中：所述第一有机发光二极管包括第一阳极、位于所述第一阳极上的第一空穴控制层、位于所述第一空穴控制层上的第一谐振控制层、位于所述第一谐振控制层上的第一发光层、位于所述第一发光层上的第一电子控制层以及位于所述第一电子控制层上的第一阴极；所述第二有机发光二极管包括第二阳极、位于所述第二阳极上的第二空穴控制层、位于所述第二空穴控制层上的第二谐振控制层、位于所述第二谐振控制层上的第二发光层、位于所述第二发光层上的第二电子控制层以及位于所述第二电子控制层上的第二阴极，所述第二阴极与所述第一阴极是一体的；以及所述第三有机发光二极管包括第三阳极、位于所述第三阳极上的第三空穴控制层、位于所述第三空穴控制层上的第三谐振控制层、至少位于所述第三谐振控制层上的第三发光层、位于第三发光层上的第三电子控制层以及位于所述第三电子控制层上的第三阴极，所述第三阴极与所述第二阴极是一体的。3.根据权利要求2所述的有机发光像素，其中：所述第一空穴控制层、所述第二空穴控制层以及所述第三空穴控制层是一体的，以及一体的所述第一空穴控制层、所述第二空穴控制层以及所述第三空穴控制层为公共空穴控制层。4.根据权利要求3所述的有机发光像素，其中，所述公共空穴控制层包括空穴传输层，所述空穴传输层将空穴传输至所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层。5.根据权利要求4所述的有机发光像素，其中：所述空穴传输层包括在所述空穴传输层的厚度方向上所划分的掺杂层和无掺杂层，所述无掺杂层比所述掺杂层更靠近所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层，所述掺杂层包括p型掺杂剂和空穴传输材料，以及所述无掺杂层包括空穴传输材料。6.根据权利要求4所述的有机发光像素，其中，所述公共空穴控制层还包括空穴注入层，所述空穴注入层将空穴从所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极注入至所述空穴传输层。7.根据权利要求3所述的有机发光像素，还包括产生空穴的中间层,所述中间层位于所述公共空穴控制层与所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极之间。8.根据权利要求7所述的有机发光像素，其中，所述中间层包括六氮杂苯并菲六腈、三氧化钼或富勒烯。9.根据权利要求3所述的有机发光像素，其中：所述第一电子控制层、所述第二电子控制层以及所述第三电子控制层是一体的，以及一体的所述第一电子控制层、所述第二电子控制层以及所述第三电子控制层为公共电子控制层。10.根据权利要求9所述的有机发光像素，其中，所述第三发光层包括：第一部分，与所述第一发光层重叠，第二部分，与所述第二发光层重叠，以及第三部分，与所述第三谐振控制层重叠。11.根据权利要求10所述的有机发光像素，其中，所述第三发光层包括双极性化合物。12.根据权利要求11所述的有机发光像素，其中，所述双极性化合物包括蒽、9-苯基蒽、9,10-二苯基蒽、或苯并(B)萘并(2,3-D)呋喃。13.根据权利要求10所述的有机发光像素，其中：所述第一部分位于所述公共空穴控制层与所述第一发光层之间，所述第二部分位于所述公共空穴控制层与所述第二发光层之间，以及所述第三部分位于所述第三谐振控制层与所述公共电子控制层之间。14.根据权利要求13所述的有机发光像素，其中，所述第一谐振控制层具有比所述第一发光层的最低未占分子轨道能级高至少0.2eV的最低未占分子轨道能级。15.根据权利要求10所述的有机发光像素，其中：所述第一部分位于所述公共电子控制层与所述第一发光层之间，所述第二部分位于所述公共电子控制层与所述第二发光层之间，以及所述第三部分位于所述第三谐振控制层与所述公共电子控制层之间。16.根据权利要求1所述的有机发光像素，其中：所述第一波长为620nm至750nm，所述第二波长为495nm至570nm，以及所述第三波长为450nm至495nm。17.根据权利要求1所述的有机发光像素，其中，n为1并且m为2。18.根据权利要求1所述的有机发光像素，其中所述第一有机发光二极管具有根据下列等式1的第一谐振长度Lc1：所述第二有机发光二极管具有根据下列等式2的第二谐振长度Lc2：以及所述第三有机发光二极管具有根据下列等式3的第三谐振长度Lc3，其中，在等式1至等式3中，Nc1是提供所述第一有机发光二极管的所述第一谐振长度的第一谐振结构的第一折射率，λ1是所述第一波长，Nc2是提...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋河珍，朴兴洙，李范锡，李相雨，表相佑，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR