多层介质刻蚀方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一多层介质刻蚀方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层；以图形化的光阻材料层为掩膜，对刻蚀气体为碳氟化合物气体、氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体等离子化，并以此对多层介质进行刻蚀至暴露出半导体基底表面。该方法采用高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体作为主刻蚀气体，并添加一定流量的氮氧气体，能够通过一次等离子体刻蚀达到刻蚀不同材料形成的多层介质的目的，而无需按照材料分层多步进行。同时，其对作为掩膜的光阻材料层具有较低的刻蚀速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及半导体制备过程中层间介质层等多层介质结构的刻蚀技术。
技术介绍
半导体集成电路的制备是一个极其复杂的过程，其目的在于将特定电路所需的各种半导体器件结构和金属互连，小尺寸的制备在尽可能小面积的半导体衬底上。其中，各半导体器件结构必须经由适当的金属互连来实现电性连接，才能发挥预期的电路功能。随着集成电路的制备向超大规模集成电路(ULSI)发展，其内部的半导体器件结构密度即器件集成度越来越大。而随着集成电路芯片中所包含的半导体元器件数量不断增加，实际上半导体结构表面金属连线的可用空间就大大的减少了。这一问题的解决方法采用多层金属导线设计，利用多层绝缘层和导电层相互叠加进行多层连接，这其中，需要刻蚀多层不同介质材料形成的介质层以制备用于层间金属互连的接触孔。此外，随着半导体技术的发展，半导体器件结构逐渐多样化、复杂化，在半导体器件制备过程中，同样涉及对由不同介质材料形成的层间介质层的刻蚀，用以形成通孔、沟槽等半导体结构。在半导体器件制备过程中，常用的绝缘介质材料以及层间介质层材料包括二氧化硅、氮化硅、含碳的氮化硅(NDC)以及低介电常数材料等。要实现半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层介质刻蚀方法，包括以下步骤：提供半导体基底，所述半导体基底表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层；其特征在于：以所述图形化的光阻材料层为掩膜，激发刻蚀气体为碳氟化合物气体、碳氢化合物或氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体以产生等离子体，以对所述多层介质进行刻蚀至暴露出所述半导体基底表面。

【技术特征摘要】
1.一种多层介质刻蚀方法，包括以下步骤提供半导体基底，所述半导体基底表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层；其特征在于以所述图形化的光阻材料层为掩膜，激发刻蚀气体为碳氟化合物气体、碳氢化合物或氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体以产生等离子体，以对所述多层介质进行刻蚀至暴露出所述半导体基底表面。2.根据权利要求1所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述多层介质为包括二氧化硅、氮化硅、含碳的氮化硅以及低介电常数材料中任意两种或两种以上不同材料形成的叠层介质层。3.根据权利要求2所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述低介电常数材料的介电常数小于2. 8，为多孔硅、碳掺杂氧化硅或碳化硅。4.根据权利要求2所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述多层介质与图形化的光阻材料层之间，还包括顶层介质层，所述顶层介质层表面全部覆盖有图形化的光阻材料层。5.根据权利要求2所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括Ar。6.根据权利要求2所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟化合物气体为 CF4, C4F8, C4F6中任意一种或几种的混合气体。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜若昕，王兆祥，刘骁兵，刘志强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：