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本发明涉及半导体技术领域，公开了一多层介质刻蚀方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层；以图形化的光阻材料层为掩膜，对刻蚀气体为碳氟化合物气体、氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体等离子化，并以此对多...
该专利属于中微半导体设备（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）有限公司授权不得商用。

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