一种去除SixNy残留物的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种去除SixNy残留物的处理方法，具体步骤如下：（1）将氢氧化钠、H2O2水溶液加热升温；（2）将硅片放入上述溶液中浸泡；（3）水洗；（4）将水中浸泡的硅片慢慢提拉，然后烘干即可。本发明专利技术能够处理氢氟酸溶液不能完全去除SixNy膜的异常片，对其进行处理后可重新制绒，工艺简单，无需增加额外的设备，对硅片性能无影响，提高生产线的良率。?

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池硅片处理方法，具体地说是一种去除硅片上SixNy残留物的处理方法。
技术介绍
随着市场品质要求日益增高，对电池片外观的要求越来越严格。其中在镀膜过程中会形成很多的不良半成品片，例如发红片、彩虹片、色差片、脏片等，这些异常片会造成产线的良率下降以及客户抱怨的增多，所以处理这些不良半成品片在所难免。高浓度的氢氟酸对于SixNy膜具有很好的去除作用，但是受清洗时间、溶液浓度、 清洁度影响，硅片表面残留物可能不能完全去除，此时就不能重新制绒以免造成污染。
技术实现思路
专利技术目的是针对现有技术存在的不足，提供一种能够彻底去除硅片上SixNy残留物的处理方法。技术方案为实现上述目的，本专利技术提供了，该方法的具体步骤如下(1)将质量百分比为1%-1.2%的氢氧化钠NaOH、体积比3. 0%-3. 6% H2O2溶液混合，加热升温到 63 0C -67 0C ；(2)将硅片放入上述溶液中浸泡3min-4min ；(3)将浸泡后的娃片放入在水中浸泡40s_60s；(4)将水中浸泡的硅片慢慢提拉，硅片慢提拉速度用时间评估，时间为20-40S，然后烘干即可。本专利技术利用N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除SixNy残留物的处理方法，其特征在于：具体步骤如下：（1）将质量百分比为1%?1.2%的氢氧化钠NaOH、体积比3.0%?3.6%?H2O2溶液混合，加热升温到63℃?67℃；（2）将硅片放入上述溶液中浸泡3?min?4min；（3）将浸泡后的硅片放入在水中浸泡40s?60s；（4）将水中浸泡的硅片慢慢提拉，硅片慢提拉速度用时间评估，时间为20?40s，然后烘干即可。

【技术特征摘要】
1.一种去除SixNy残留物的处理方法，其特征在于具体步骤如下(1)将质量百分比为1%_1.2%的氢氧化钠NaOH、体积比3. 0%-3. 6% H2O2溶液混合，加热升温到 63 0C -67 0C ；(2)将硅片放入上述溶液中浸泡3min-4min ；(3)将浸泡后的娃片放入在水中浸泡40s_60s；(4)将水中浸泡的硅片慢慢提拉，硅片慢提拉速度用时间评估，时间为20-4...

【专利技术属性】
技术研发人员：王虎，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：