【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的制造工艺，特别是涉及一种。
技术介绍
在半导体制造工艺中，需要腐蚀场氧化层。一般的，可以采用湿法腐蚀方法来腐蚀场氧化物。对于一些半导体器件，例如VDMOS、IGBT等，需要获得一个较小的氧化层角度，如图1所示。而传统的湿法腐蚀工艺腐蚀后氧化层角度较大，难以满足需求。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的湿法腐蚀方法得到的氧化层角度较大的问题，提供一种能够得到较小的氧化层角度的。一种，包括下列步骤对晶圆上的场氧化层的表层进行离子注入，注入氩离子；对所述晶圆进行阱区光刻；湿法腐蚀所述场氧化层。在其中一个实施例中，所述离子注入的氩离子的能量为6(Tl00kev，注入剂量为1*1014 1*1015/平方厘米。在其 中一个实施例中，所述湿法腐蚀的腐蚀剂为氧化层刻蚀缓冲液。在其中一个实施例中，所述腐蚀剂腐蚀时的温度为8 12摄氏度。在其中一个实施例中，所述温度为10摄氏度。在其中一个实施例中，所述半导体器件是垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管。在其中一个实施例中，所述半导体器件是绝缘栅双极型晶体管。上述，通过对场氧化层的表层注入氩离子，使注入有氩离子的表层比没有氩离子的场氧化层底层获得更快的湿法腐蚀速率，从而能够得到较小的氧化层角度。附图说明图1是场氧化层的氧化层角度示意图；图2是一实施例中的流程图；图3是本专利技术一个氧化层角度为23°的实施例在显微镜下的照片。具体实施例方式为使本专利技术的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。图2是一实施例中的流程图，包括下列步骤S10，对晶圆上的场氧化层...
【技术保护点】
一种半导体器件场氧化层的腐蚀方法，包括下列步骤：对晶圆上的场氧化层的表层进行离子注入，注入氩离子；对所述晶圆进行阱区光刻；湿法腐蚀所述场氧化层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件场氧化层的腐蚀方法，包括下列步骤 对晶圆上的场氧化层的表层进行离子注入，注入氩离子； 对所述晶圆进行阱区光刻； 湿法腐蚀所述场氧化层。2.根据权利要求1所述的半导体器件场氧化层的腐蚀方法，其特征在于，所述离子注入的氩离子的能量为6(Tl00kev，剂量为1*1014 1*1015/平方厘米。3.根据权利要求1所述的半导体器件场氧化层的腐蚀方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的腐蚀剂为氧化层刻蚀缓冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：王民涛，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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