【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的制造工艺，特别是涉及一种。
技术介绍
在半导体制造工艺中，需要腐蚀场氧化层。一般的，可以采用湿法腐蚀方法来腐蚀场氧化物。对于一些半导体器件，例如VDMOS、IGBT等，需要获得一个较小的氧化层角度，如图1所示。而传统的湿法腐蚀工艺腐蚀后氧化层角度较大，难以满足需求。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的湿法腐蚀方法得到的氧化层角度较大的问题，提供一种能够得到较小的氧化层角度的。一种，包括下列步骤对晶圆上的场氧化层的表层进行离子注入，注入氩离子；对所述晶圆进行阱区光刻；湿法腐蚀所述场氧化层。在其中一个实施例中，所述离子注入的氩离子的能量为6(Tl00kev，注入剂量为1*1014 1*1015/平方厘米。在其 中一个实施例中，所述湿法腐蚀的腐蚀剂为氧化层刻蚀缓冲液。在其中一个实施例中，所述腐蚀剂腐蚀时的温度为8 12摄氏度。在其中一个实施例中，所述温度为10摄氏度。在其中一个实施例中，所述半导体器件是垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管。在其中一个实施例中，所述半导体器件是绝缘栅双极型晶体管。上述，通过对场氧化层的表层注入氩离子，使注入有氩离...
【技术保护点】
一种半导体器件场氧化层的腐蚀方法，包括下列步骤：对晶圆上的场氧化层的表层进行离子注入，注入氩离子；对所述晶圆进行阱区光刻；湿法腐蚀所述场氧化层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件场氧化层的腐蚀方法，包括下列步骤 对晶圆上的场氧化层的表层进行离子注入，注入氩离子； 对所述晶圆进行阱区光刻； 湿法腐蚀所述场氧化层。2.根据权利要求1所述的半导体器件场氧化层的腐蚀方法，其特征在于，所述离子注入的氩离子的能量为6(Tl00kev，剂量为1*1014 1*1015/平方厘米。3.根据权利要求1所述的半导体器件场氧化层的腐蚀方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的腐蚀剂为氧化层刻蚀缓冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：王民涛，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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