一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水及其制备方法技术

本发明专利技术涉及杀菌消毒领域，特别涉及一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水及其制备方法。本发明专利技术的低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，包括以下步骤：（1）提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元；（2）提供pH值调节单元；（3）将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其甲磺酸根离子的含量不高于1.2mol/L。与现有的酸性氧化电位杀菌水相比，本发明专利技术的氧化电位杀菌水的制备方法制备的杀菌水可降低对金属的腐蚀性，从而扩大了应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及杀菌消毒领域，特别涉及。
技术介绍
消毒领域中引入氧化还原电位的概念是源于日本20世纪80年代研制生产的酸性氧化电位水生成机及由生成机产生的酸性氧化电位水。酸性氧化电位水(简称:E0W)是指具有高氧化还原电位(ORP)、低pH值特性和低浓度有效氯(ACC)的水。酸性氧化电位水杀菌的机理如下:首先，自然界中大多数种类的微生物生活在pH4_9的环境中，而酸性氧化电位水的PH值可影响微生物生物膜上的电荷以及养料的吸收、酶的活性，并改变环境中养料的可给性或有害物质的毒性，从而快速杀灭微生物。其次，由于氢离子、钾离子、钠离子等在微生物生物膜内外的分布不同，使得膜内、外电位达到动态平衡时有一定的电位差，一般约为-700 +900mV。酸性氧化电位水中的氧化、还原物质和pH等因素，使其具有高ORP (即0RP>1100mV)。EOW接触微生物后迅速夺取电子，干扰生物膜平衡，改变生物膜内外电位差、膜内外的渗透压，导致生物膜通透性增强、细胞肿胀及生物代谢酶的破坏，使膜内物质溢出、溶解，从而快速杀灭微生物。最后，有效氯能使细胞的通透性发生改变，或使生物膜发生机械性破裂，促使膜内物质向外渗出，致使微生物死亡。并且，次氯酸为中性小分子物质，易侵入细胞内与蛋白质发生氧化作用或破坏其磷酸脱氢酶，使糖代谢失调致使微生物死亡，从而快速杀灭微生物。EOW系统的杀菌能力是以ACC为主导，低pH值及高ORP为重要促进的三者协同作用的结果。该系统协同效果远高于单一的ACC、低pH值及高ORP作用的简单加和，其ACC越高、PH值越低、ORP越高，系统综合灭菌效果越好。但是，现有的酸性氧化电位水具有普遍的金属腐蚀性。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于提供一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，以解决现有技术中的酸性氧化电位水具有普遍金属腐蚀性的技术性问题。本专利技术的第二目的在于提供一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，以解决现有技术中的酸性氧化电位水具有普遍金属腐蚀性的技术性问题。 本专利技术目的通过以下技术方案实现:一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，包括以下步骤:(I)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元；(2)提供pH值调节单元；(3)将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其甲磺酸根离子的含量不高于1.2mol/L。优选地，所述强氧化性溶液的pH值在5.0-7.0间，其氧化还原电位为700-1 IOOmV,其有效氯含量为3-1000mg/L，其甲磺酸根离子的含量为10_1(l-0.lmol/L。优选地，在步骤(I)中还包括:对所述有效氯提供单元进行降低甲磺酸根离子的含量的预处理。优选地，在步骤(2)中还包括:对所述pH值调节单元进行降低甲磺酸根离子的含量的预处理。优选地，在步骤(3)中还包括:对所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后的混合液进行降低甲磺酸根离子的含量的后处理。优选地，所述降低甲磺酸根离子的含量的处理方法可选自加入化学失活剂、膜分离法、电化学法、层析法、吸附法或离子交换法中的一种或者几种。优选地，所述pH值调节单元包含酸性物质、碱性物质或酸性物质与碱性物质的组口 ο一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，包括使用前独立分装的pH值调节单元和有效氯提供单元；所述有效氯提供单元为含有有效氯或者可以产生有效氯的制剂，所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其甲磺酸根离子的含量不高于 1.2mol/L0 优选地，所述强氧化性溶液的pH值在5.0-7.0间，其氧化还原电位为700_1100mV，其有效氯含量为3-1000mg/L，其甲磺酸根离子的含量为10_1(l-0.lmol/L。一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水，所述杀菌水的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV,其有效氯含量不低于3mg/L,其甲磺酸根离子的含量不高于1.2mol/L。优选地，所述杀菌水的pH值在5.0-7.0间，其氧化还原电位为700_1100mV，其有效氯含量为3-1000mg/L,其甲磺酸根尚子的含量为10 10-0.lmol/L。与现有的酸性氧化电位杀菌水相比，本专利技术有以下优点:1、本专利技术的氧化电位杀菌水的制备方法制备的杀菌水可降低对金属的腐蚀性，从而扩大了应用范围；2、在使用前，本专利技术的氧化电位杀菌水的pH值调节单元和有效氯提供单元单独存放，当要使用时，再将PH值调节单元和有效氯提供单元混合，解决了氧化电位杀菌水的储藏问题，使用非常方便；3、在制备本专利技术的氧化电位杀菌水的过程中，增强了人为可调节性，可根据实际需求调节杀菌水的PH值、ACC含量及ORP值。附图说明图1、图2为pH=2、8的氧化性环境中，甲磺酸根离子与有效氯对铜的腐蚀效果的示意图；图3、图4为pH=2_8的氧化性环境中，甲磺酸根离子与pH对铜的腐蚀效果的示意图。具体实施例方式以下对本专利技术进行详细描述。目前已知，有效氯具有三种基本的存在形式，包括氯气、次氯酸分子和次氯酸根离子，其中氯气及次氯酸分子在溶液中的杀菌性能远远大于次氯酸根离子。因为次氯酸根离子需要缓慢水解，转变为次氯酸分子形态后，才具有杀菌性能，所以控制有效氯溶液的PH值，使有效氯以次氯酸分子及氯气的形式存在，即可保证杀菌性能。次氯酸的酸性电离常数大约为pKa=7.6，因此有效氯溶液的口11值< pKa(7.6)时，溶液的有效氯中分子型有效氯的比例大于离子型有效氯。有效氯溶液的pH值< 8.0时，可以发挥足够量(> 30%)分子型有效氯的活性。有效氯溶液的pH值> 9.0时，分子型有效氯的比例不足4%。目前，酸性氧化电位杀菌水对金属的腐蚀性已经展开了初步研究，已公布的结果显示酸性氧化电位水具有普遍的金属腐蚀性。但是对其腐蚀性的机理的研究并没有进行，其腐蚀性通常被认为是过酸酸性(PH2-3)引起的，甚至认为近中性氧化电位水可以避免金属腐蚀性。已公布的结果显示酸性氧化电位水，对不锈钢基本无腐蚀至轻度腐蚀，对碳钢、铜、铝中度至严重腐蚀，其结论的差异很大。氧化电位水对金属腐蚀的普遍性是由于氧化性及氢离子的综合效应弓丨起，金属在氧化电位水(pH/ACC)中具有形成氧化物的趋势，氧化物在氢离子作用下具有转化为水溶性离子的趋势，从而完成由金属单质到水溶性金属离子的转变，宏观表现为金属普遍被腐蚀。氧化物的形成具有双向作用，可以转变为水溶性离子，造成腐蚀，同时可以阻止腐蚀因子与金属内部的接触，从而阻止进一步腐蚀；游离氢离子的浓度影响了有效氯的氧化性，同时影响了氧化层的溶解速度(如式I所示)。氧化层的生成与溶解形成动态的平衡，宏观表现为金属以一定速率被腐蚀。而pH与氧化性是氧化电位水的理化特质，也是杀菌性能的决定因素，因此，一定意义上，杀菌性能与金属腐蚀性是共存的矛盾体。溶液中酸根离子(侵蚀性阴离子)的产生，在扩散或电场或氧化作用下吸附在钝化膜表面或者通过钝化膜中的小孔或缺陷进入膜中，改变了钝化膜的结构，促进了钝化膜的溶解，加速金属内部发生进一步腐蚀。宏观表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元；（2）提供pH值调节单元；（3）将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2?8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其甲磺酸根离子的含量不高于1.2mol/L。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邵鹏飞，
申请(专利权)人：邵鹏飞，
类型：发明
国别省市：