一种大功率半导体器件开通特性试验装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种大功率半导体器件开通特性试验装置，包括恒流源单元、试验主电路单元、加热回路单元和保护回路单元；恒流源单元输出直流电流对可调电容器C进行充电，可调电容器C充电到试验电压，其放电与可调电抗器L谐振产生试验电流，实现大功率半导体器件在不同工作条件下的开通试验，加热回路单元对大功率半导体器件加热到试验结温，保护回路单元防止试验对大功率半导体器件损坏。本发明专利技术可以对被试大功率半导体器件在不同条件下进行开通试验，该装置拓扑结构简单实用，功能全面，能够满足各种条件下器件开通特性测试要求，同时充分考虑了故障情况下装置与被试器件的保护措施，可靠性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电力电子
，具体涉及一种大功率半导体器件开通特性试验装置。
技术介绍
自从50年代，硅晶闸管问世以后，50多年来，功率半导体器件的研究工作者为达到理想化的目标做出了不懈的努力，并以取得了使世人瞩目的成就。60年代后期，可关断晶闸管GTO实现了门极可关断功能，并使斩波工作频率扩展到IKHZ以上。70年代中期，大功率晶体管和功率MOSFET问世，功率器件实现了场控功能，打开了高频应用的大门。80年代，绝缘栅双极晶体管(IGBT)问世，它综合了功率MOSFET和双极型功率晶体管两者的功能。因此，当前功率器件研究工作的重点主要集中在研究现有功率器件的集成性能，MOS门控晶体管的改进，以及采用新型半导体材料制造新型的功率器件等。大功率半导体器件广泛应用于电力、冶金、装备制造、交通运输、国防等行业，尤其是在高压直流输电、脉冲电源、高铁等前沿
优势明显。由于大功率半导体器件通常在要求苛刻的工作条件下使用，任何器件的损坏都将造成安全隐患与经济损失，为了保障器件的安全可靠工作，需要对所用器件各方面的性能指标和参数进行测试，详细了解器件特性，判断能否满足实际工况的需要。而作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率半导体器件开通特性试验装置，其特征在于：所述装置包括恒流源单元、试验主电路单元、加热回路单元和保护回路单元；所述试验主电路单元包括可调电容器C、阻尼电阻R与二极管D1串联而成的R?D1支路和可调电抗器L；所述恒流源单元输出直流电流对可调电容器C进行充电，所述可调电容器C充电到试验电压，其放电与可调电抗器L谐振产生试验电流，实现大功率半导体器件在不同工作条件下的开通特性试验；所述加热回路单元对大功率半导体器件加热到试验结温；保护回路单元防止试验对大功率半导体器件损坏。

【技术特征摘要】
1.一种大功率半导体器件开通特性试验装置，其特征在于所述装置包括恒流源单元、试验主电路单元、加热回路单元和保护回路单元；所述试验主电路单元包括可调电容器C、阻尼电阻R与二极管Dl串联而成的R-Dl支路和可调电抗器L ;所述恒流源单元输出直流电流对可调电容器C进行充电，所述可调电容器C充电到试验电压，其放电与可调电抗器L 谐振产生试验电流，实现大功率半导体器件在不同工作条件下的开通特性试验；所述加热回路单元对大功率半导体器件加热到试验结温；保护回路单元防止试验对大功率半导体器件损坏。2.根据权利要求1所述的大功率半导体器件开通特性试验装置，其特征在于所述大功率半导体器件包括晶闸管和IGBT。3.根据权利要求1所述的大功率半导体器件开通特性试验装置，其特征在于所述不同工作条件包括不同电压、不同频率、不同触发信号、不同结温、不同电流峰值及di/dt。4.根据权利要求1所述的大功率半导体器件开通特性试验装置，其特征在于所述恒流源单元包括可变频高压恒流源G和IGBT串联结构，其中可变频高压恒流源G输出幅值固定且频率可调的直流电流，将可调电容器C充电至试验电压；所述IGBT串联结构则根据试验频率周期性导通或关断，使得每次开通试验周期内断开可变频高压恒流源G与可调电容器C之间的电气连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷小舟，陈争光，高冲，王高勇，
申请(专利权)人：国网智能电网研究院，中电普瑞电力工程有限公司，山东电力集团公司，国家电网公司，
类型：发明
国别省市：