校正试样和荧光X射线分析装置与荧光X射线分析方法制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种校正试样和荧光X射线分析装置与荧光X射线分析方法，提供液体试样的荧光X射线分析用的校正试样等，其可长期使用，且可进行正确的偏差校正。本发明专利技术的校正试样为固体的校正试样，该校正试样用于在液体试样的荧光X射线分析中，校正分析对象金属元素的测定X射线强度的伴随时间的变化，其中，包含分析对象金属元素的金属层与厚度为1mm以上的轻元素层重合地形成，该轻元素层中，氢、硼、碳、氮、氧和氟中的至少1种轻元素具有最大摩尔份数，在上述金属层中，与轻元素层相对的那一面的相反侧表面为分析面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及荧光X射线分析用的校正试样和具有它的荧光X射线分析装置与采用该装置的荧光X射线分析方法。
技术介绍
在过去，在测定对试样照射一次X射线而产生的荧光X射线的强度的荧光X射线分析装置中，定期地进行所谓的偏差校正，其中，对同一试样的测定X射线强度因各种原因产生的伴随时间而发生变化(drift)的情况进行校正。如果进行该偏差校正，则针对比如用于形成标准曲线的全部标准试样，针对每个元素修正测定X射线强度，则每当校正时需要许多的工夫和时间。于是，在用于偏差校正时事先设定校正试样、测定构成基准的X射线强度，在进行偏差校正时，仅仅测定已设定的校正试样，根据此时的测定X射线强度和构成上述基准的测定X射线强度，求出偏差校正系数，将该偏差校正系数用于分析对象试样的测定X射线强度，进行校正。由此，在荧光X射线分析中，采用各种校正试样。比如，用于对在硅衬底上形成金属膜的试样进行分析的场合，具有在硅衬底上形成Au、Pt、Co等的金属膜的校正试样(专利文献I)。另外，具有装载于薄膜上的微量粉末试样、保持于滤纸、聚合物膜上的微量溶液试样、薄膜试样等的荧光X射线分析所采用的校正试样。该校正试样由聚酰亚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种校正试样，其为固体校正试样，该校正试样用于在液体试样的荧光X射线分析中，对分析对象金属元素的测定X射线强度的伴随时间的变化进行校正，其中，包含分析对象金属元素的金属层与厚度为1mm以上的轻元素层重合地形成，该轻元素层中，氢、硼、碳、氮、氧和氟中的至少1种轻元素具有最大摩尔份数，在上述金属层中，与上述轻元素层相对的那一面的相反侧表面为分析面。

【技术特征摘要】
2011.10.17 JP 2011-2276241.一种校正试样，其为固体校正试样，该校正试样用于在液体试样的荧光X射线分析中，对分析对象金属元素的测定X射线强度的伴随时间的变化进行校正， 其中，包含分析对象金属元素的金属层与厚度为1_以上的轻元素层重合地形成，该轻元素层中，氢、硼、碳、氮、氧和氟中的至少I种轻元素具有最大摩尔份数， 在上述金属层中，与上述轻元素层相对的那一面的相反侧表面为分析面。2.—种荧光X射线分析方法,其采用权利要求1所述的校正试样进行液体试样的分析。3.根据权利要求2所述的荧光X射线分析方法，其还采用本底校正试样，该本底校...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林宽，
申请(专利权)人：株式会社理学，
类型：发明
国别省市：