本发明专利技术公开的用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，步骤包括：先用去离子水清洗表面具有固定LED芯片和键合线区域的陶瓷基板，烘干后再进行射频清洗；然后在陶瓷基板覆盖掩模板，利用掩模板遮盖住固定LED芯片和键合线区域，在其上涂布硅胶、扩散粉、抗沉淀粉和荧光粉的均匀混合物；揭去掩模板，加热固化，即得到涂布了反光层的陶瓷基板，可用于制备LED面光源。陶瓷基板的表面经本发明专利技术处理后，可有效增加陶瓷基板的反射率，减少向下透过基板损失的光通量，提高LED面光源的光效，并更好地保护陶瓷基板表面性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，属于LED封装
技术介绍
LED (Light Emitting Diode)作为一种新型光源产品，具有寿命长、光效高、稳定性高、安全性好、无汞、无辐射、低功耗等优点，正在各个领域中逐步取代传统光源。使用陶瓷基板制作LED面光源具有散热好、无眩光、发光均匀、耐高压等优点，是封装技术发展的主导方向之一。·目前用于LED面光源的陶瓷基板大多采用氧化铝或氧化铝/氮化铝复合陶瓷，基板上具有固定LED芯片和键合线区域，基板本身存在一定的光线透过率，在LED通电点亮时会有较多的光线透过基板后损失，因此采用陶瓷基板制备的LED面光源，在光效指标上低于常见的直插式和贴片式封装产品。目前产业界为提高陶瓷基板表面的反射率，常采用陶瓷基板表面镀银的工艺，但是在长期工作的使用过程中，Ag层会被硫化，黑色的硫化银会吸收LED发出的光，降低光效维持能力。
技术实现思路
本专利技术的目的在于改进现有的技术不足，提供一种用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，以增加基板反射率、提高光效和改善光衰减性能。本专利技术的用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，包括以下步骤 (1)用去离子水清洗表面具有固定LED芯片和键合线区域的陶瓷基板，然后在8(Tl2(TC温度下烘干； (2)在等离子清洗机中对步骤(I)得到的陶瓷基板进行射频处理，射频功率为150 250W，Ar气流量为20 35 SCCM，处理时间I 3min ； (3)将硅胶、扩散粉、抗沉淀粉和荧光粉以1:2飞0. oro. 08 :0. 02、. 15的重量比混合，在真空脱泡搅胶机中搅拌5!Omin ； (4)在经步骤(2)处理的陶瓷基板上覆盖掩模板，利用掩模板遮盖住固定LED芯片和键合线区域，将步骤(3)得到的混合物涂布在有掩模板的陶瓷基板上； (5)揭去掩模板，将陶瓷基板置于80 150°C的烘箱中烘烤2 5h，得到涂布了反光层的用于LED面光源的陶瓷基板。本专利技术中，所述的陶瓷基板可以为氧化铝、氮化铝、氧化锆和氧化硅中的一种或几种。上述基板的表面也可以有镀Ag层。本专利技术中，所述的扩散粉可以是Ti02、Zr02、Al203和有机硅树脂微球中的一种或几种。本专利技术中，所述的抗沉淀粉为Si02、BaS04和CaCO3中的一种或几种。本专利技术中，所述的荧光粉为钇铝石榴石(YAG)、铽铝石榴石(TAG)、镥铝石榴石(LuAG)、硅酸盐、氮化物和氮氧化物中的一种或几种。本专利技术中，所述的涂布可以采用丝网印刷、喷涂、辊涂或刷涂。本专利技术对陶瓷基板进行表面处理，涂布反光层，可有效提高陶瓷基板的反射率，减少向下透过基板损失的光通量，提高LED面光源的光效，减少光衰减；反光层同时具有保护作用，提高LED面光源的长期稳定性；另外，反光层中添加了荧光粉，可充分利用芯片发出的蓝光。附图说明图1为本专利技术处理后的陶瓷基板表面示意图；图中阴影部分为涂布反光层区域，空白区域I为固定芯片的位置，空白区域2为固定键合线的位置。图2为实施例4的陶瓷基板制备成LED面光源的光衰减趋势对比 图3为实施例4的陶瓷基板制备成LED面光源的光通量变化对比图。具体实施例方式实施例1 (1)用去离子水清洗表面具有固定LED芯片和键合线区域的氧化铝陶瓷基板，然后在120°C烘箱中烘干30min ； (2)在等离子清洗机中对步骤(I)得到的氧化铝陶瓷基板进行射频处理，射频功率为250W, Ar气流量为20 SCCM,处理时间Imin ； (3)将KER-2500(硅胶，日本信越化学产)、Ti02、SiO2和YAG-04(黄色荧光粉，美国英特美产)以1:5 :0. 08 :0. 15的重量比混合在一起，在真空脱泡搅胶机中搅拌IOmin ； (4)在经步骤(2)处理的氧化铝陶瓷基板上覆盖掩模板，利用掩模板遮盖住固定LED芯片和键合线区域，将步骤(3)得到的混合物以丝网印刷的方式涂布在有掩模板的陶瓷基板上； (5)揭去掩模板，得到如图1所示的氧化铝陶瓷基板，图中阴影部分为涂布反光层区域，空白区域I为固定芯片的区域，空白区域2为固定键合线的区域。将氧化铝陶瓷基板置于150°C的烘箱中烘烤2h，得到涂布了反光层的氧化铝陶瓷基板，可用于制备LED面光源。实施例2 (1)用去离子水清洗表面具有固定LED芯片和键合线区域的氧化铝/氮化铝复合陶瓷基板，然后在80°C烘箱中烘干60min ； (2)在等离子清洗机中对步骤(I)得到的氧化铝/氮化铝复合陶瓷基板进行射频处理，射频功率为150W，Ar气流量为35 SCCM，处理时间3min ； (3)将0E-6650(硅胶，美国道康宁产)、Zr02、Si02、Y4156 (绿色硅酸盐荧光粉，美国英特美产)和BR-102D(氮化物红色荧光粉，日本三菱化学产)以1:2 :0. 01 :0. 015 :0. 005的重量比混合在一起，在真空脱泡搅胶机中搅拌5min ； (4)在经步骤(2)处理的氧化铝/氮化铝复合陶瓷基板上覆盖掩模板，利用掩模板遮盖住固定LED芯片和键合线区域，将步骤(3)得到的混合物以喷涂的方式涂布在有掩模板的陶瓷基板上；(5)揭去掩模板，将陶瓷基板置于80°C的烘箱中烘烤5h，得到涂布了反光层的氧化铝/氮化铝复合陶瓷基板，可用于制备LED面光源。实施例3 (1)用去离子水对表面镀Ag且具有固定LED芯片和键合线区域的的氮化铝陶瓷基板表面进行清洗，将表面清洗后的陶瓷基板在120°C烘箱中烘干45min ； (2)在等离子清洗机中对步骤(I)得到的表面镀Ag的氮化铝陶瓷基板进行射频处理，射频功率为200W，Ar气流量为30 SCCM，处理时间2min ； (3)将HK-Si5 40(硅胶，中国杭科光电产)、Ti02、SiO2,Y36E (黄绿色铝酸盐荧光粉，台湾奇美实业产)和BR-102D(氮化物红色荧光粉，日本三菱化学产)以1:3. 5 :0. 05 0. 08 :0. 01的重量比混合在一起，在真空脱泡搅胶机中搅拌8min ； (4)在经步骤(2)处理的氮化铝陶瓷基板上覆盖掩模板，利用掩模板遮盖住固定LED芯片和键合线区域，将步骤(3)得到的混合物以辊涂的方式涂布在有掩模板的陶瓷基板上； (5)揭去掩模板，将氮化铝陶瓷基板置于120°C的烘箱中烘烤3h，得到涂布了反光层的表面镀Ag的氮化铝陶瓷基板，可用于制备LED面光源。实施例4 应用比较 例 选取480颗晶粒，随机分成三组，每组160粒，按照4粒串联4粒并联的方式固晶、引线键合在氧化铝陶瓷基板上，每组各十个。其中第一组为未进行涂布工艺直接固晶、第二组为进行涂布工艺但其中未添加荧光粉、第三组为涂布材料中包含荧光粉。具体如下 (I)取30片氧化铝陶瓷基板用去离子水清洗、100°C烘干，并对氧化铝陶瓷基板进行等离子清洗，射频功率为200W，清洗时间为2min。将第一组直接进行固晶、键合金线、点胶、烘烤、测试，得到光通量数值，具体数据见表I。(2)对第二组进行配胶，硅胶(KER-2500，日本信越化学产)、Zr02粉、SiO2粉的重量比例为1:3 :0. 05，混合均匀，用喷涂方式使混合物均匀涂布于氧化铝陶瓷基板上。150°C烘烤本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，包括以下步骤：(1)用去离子水清洗表面具有固定LED芯片和键合线区域的陶瓷基板，然后在80~120℃温度下烘干；(2)?在等离子清洗机中对步骤(1)得到的陶瓷基板进行射频处理，射频功率为150~250W，Ar气流量为20~35?SCCM，处理时间1~3min；(3)?将硅胶、扩散粉、抗沉淀粉和荧光粉以1：2~5：0.01~0.08：0.02~0.15的重量比混合，在真空脱泡搅胶机中搅拌5~10min；(4)?在经步骤(2)处理的陶瓷基板上覆盖掩模板，利用掩模板遮盖住固定LED芯片和键合线区域，将步骤(3)得到的混合物涂布在有掩模板的陶瓷基板上；(5)?揭去掩模板，将陶瓷基板置于80～150℃的烘箱中烘烤2~5h，得到涂布了反光层的用于LED面光源的陶瓷基板。
【技术特征摘要】
1.一种用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，包括以下步骤 (1)用去离子水清洗表面具有固定LED芯片和键合线区域的陶瓷基板，然后在8(Tl2(TC温度下烘干； (2)在等离子清洗机中对步骤(I)得到的陶瓷基板进行射频处理，射频功率为150 250W，Ar气流量为20 35 SCCM，处理时间I 3min ； (3)将硅胶、扩散粉、抗沉淀粉和荧光粉以1:2飞0. 0Γ0. 08 0. 02、. 15的重量比混合，在真空脱泡搅胶机中搅拌5 10min ； (4)在经步骤(2)处理的陶瓷基板上覆盖掩模板，利用掩模板遮盖住固定LED芯片和键合线区域，将步骤(3)得到的混合物涂布在有掩模板的陶瓷基板上； (5)揭去掩模板，将陶瓷基板置于80 150°C的烘箱中烘烤2飞h，得到涂布了反光层的用于LED面光源的陶瓷基板。2.根据权利要求1所述的用于LED面光源...
【专利技术属性】
技术研发人员：严钱军，高基伟，杨敬葵，徐小秋，李红兰，
申请(专利权)人：杭州杭科光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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