化合物半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT(高电子迁移率晶体管)具有：化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的上侧的保护膜以及填充开口并且具有骑在化合物半导体层上的形状的栅电极，其中保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构，并且，开口包括形成在下绝缘膜中的第一开口和形成在上绝缘膜中且比第一开口宽的第二开口，第一开口与第二开口彼此连通。

【技术实现步骤摘要】

本文中讨论的实施方案涉及。
技术介绍
通过利用氮化物半导体器件的如高饱和电子速度和宽带隙等特性，已经将氮化物半导体器件活跃地发展为高耐受电压、高功率的半导体器件。已经做了大量关于场效应晶体管、特别是作为氮化物半导体器件的HEMT (高电子迁移率晶体管)的报道。特别地，使用 GaN作为电子传输层并且使用AlGaN作为电子供给层的AlGaN/GaN HEMT已经引起注意。在 AlGaN/GaN HEMT中，在AlGaN中发生由于GaN与AlGaN之间的晶格常数的差异而导致的畸变。由于由畸变引起的压电极化并且由于AlGaN的自发极化，获得了高浓度的二维电子气 (2DEG)。这使得能够实现高耐受电压和高输出功率。专利文献1:日本公开特许公报号2002-359256在用于高功率和高频率的氮化物半导体器件如AlGaN/GaN HEMT中，在高压下操作的问题中之一是电流崩塌现象。该电流崩塌是指由于应用高压而使导通电阻增加的现象， 并且据认为该电流崩塌的发生的原因是电子被陷获在半导体晶体、半导体与绝缘膜之间的界面等中，并且，相应地，这些区域中的2DEG的浓度降低。场板结构是广泛已知的作为一种抑制电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；具有开口并且覆盖所述化合物半导体层的上侧的保护膜；和填充所述开口并且具有骑在所述化合物半导体层上的形状的电极，其中所述保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构，并且其中所述开口具有形成在所述下绝缘膜中的第一开口和形成在所述上绝缘膜中并且比所述第一开口宽的第二开口，所述第一开口和所述第二开口彼此连通。

【技术特征摘要】
2011.09.29 JP 2011-2152801.一种化合物半导体器件，包括化合物半导体层；具有开口并且覆盖所述化合物半导体层的上侧的保护膜；和填充所述开口并且具有骑在所述化合物半导体层上的形状的电极，其中所述保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构，并且其中所述开口具有形成在所述下绝缘膜中的第一开口和形成在所述上绝缘膜中并且比所述第一开口宽的第二开口，所述第一开口和所述第二开口彼此连通。2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中在所述上绝缘膜和所述电极之间形成有由所述上绝缘膜与所述电极之间的反应得到的氧化物膜。3.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，其中所述氧化物膜由NiO或CuO制成。4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述上绝缘膜包含NiO。5.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中所述上绝缘膜仅设置在所述电极的下部周边上。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：多木俊裕，冈本直哉，美浓浦优一，牧山刚三，尾崎史朗，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：