【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种多层膜的栅结构。本专利技术还涉及所述栅结构的制造方法。
技术介绍
在目前的半导体工艺方法中，有这样一种工艺方法，在硅片上先形成沟槽，然后进行氧化，生成一层氧化膜作为栅氧化膜(下述简称“栅氧”)，之后再生长一层掺磷的高掺杂多晶硅或无定型硅，用高掺杂多晶硅或无定型硅填满整个沟槽(参见图1)。在整个沟槽填满后再进行回刻，将没有沟槽处的高掺杂多晶硅或无定型硅全部刻掉，而在沟槽里留下的高掺杂多晶硅或无定型硅就用来作为栅极，而无定型硅经过后续的高温工艺后会变为多晶硅。上述栅氧工艺的处理基本上是一种单层膜单浓度结构。为了提高器件的速度，就要求增加多晶硅或无定型硅中掺磷的浓度来降低多晶硅或无定型娃的电阻，但当掺磷超过一定的浓度，而且掺磷多晶娃或无定型娃超过一定厚度(由于沟槽要求全部填满)时，回刻之后的表面形状就有许多的凹陷(参见图2)，当凹陷发生在沟槽的中心时，使沟槽中心本来较深的凹陷变得更深，当栅接触孔落在沟槽中时，会带来接触孔性能的不稳定，甚至在后来生成金属膜时形成空洞，影响器件的性能。为了解决以上问题，中国技术专利ZL 02...
【技术保护点】
一种多层膜的栅结构，包括：在沟槽中形成的栅氧；其特征在于，还包括：在栅氧之上的第一层掺磷浓度高的多晶硅或无定型硅，所述第一层多晶硅或无定型硅的掺磷浓度为1E20?10E20atm/cm3；在所述第一层多晶硅或无定型硅之上的第二层掺磷浓度低的无定型硅或多晶硅，所述第二层多晶硅或无定型硅的掺磷浓度等于或小于第一层无定型硅或多晶硅的掺磷浓度的1/2倍。
【技术特征摘要】
1.一种多层膜的栅结构，包括在沟槽中形成的栅氧；其特征在于，还包括在栅氧之上的第一层掺磷浓度高的多晶硅或无定型硅，所述第一层多晶硅或无定型硅的掺磷浓度为lE20-10E20atm/cm3 ;在所述第一层多晶硅或无定型硅之上的第二层掺磷浓度低的无定型硅或多晶硅，所述第二层多晶硅或无定型硅的掺磷浓度等于或小于第一层无定型硅或多晶硅的掺磷浓度的1/2倍。2.如权利要求1所述的栅结构，其特征在于还包括位于第二层多晶硅或无定型硅之上的第三层多晶硅或无定型硅；第三层多晶硅或无定型硅的掺磷浓度低于第二层多晶硅或无定型娃的掺磷浓度或不掺磷，其浓度为O lE20atm/cm3。3.—种如权利要求1或2所述栅结构的制造方法，包括以下步骤 步骤一、完成沟槽刻蚀并经过表面处理后，利用热氧化完成栅氧化膜的淀积，形成栅氧；其特征在于，还包括 步骤二、进行第一层掺磷高的多晶硅或无定型硅的淀积，所述第一层多晶硅或无定型娃的掺磷浓度为1E20 10E20atm/cm3,第一层多晶娃或无定型娃淀积后将所述沟槽填满； 步骤三、进行第二层掺磷浓度低的无定型硅或多晶硅的淀积，所述第二层多晶硅或无定型硅的掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖胜安，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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