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本发明公开了一种多层膜的栅结构，包括：在沟槽中形成的栅氧；在栅氧之上的第一层掺磷浓度高的多晶硅或无定型硅，所述第一层多晶硅或无定型硅的掺磷浓度为1E20-10E20atm/cm3；在所述第一层多晶硅或无定型硅之上的第二层掺磷浓度低的无定型硅...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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