一个晶体管的智能写入制造技术

公开了一个晶体管的智能写入。逐列(逐个单元)地选择性地增加字线上特定非易失性存储单元的阈值电压。在某些单元上执行选择性编程，同时在其他单元上执行编程禁止，这使得全部单元具有在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于一个晶体管器件(“IT S0N0S”)的智能写入。
技术介绍
由于使用了额外的选择晶体管，所以双晶体管的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储(memory)器件(“2T SONOS”)能够忍受单个存储单元的擦除阈值电压(Vt)分布中的较大变化。在这类器件中，没必要由列基础(basis)来调整列上的擦除阈值电压。但是，擦除阈值电压分布没有紧密到足以使一个晶体管(“IT S0N0S”)器件具有功能。由于给定存储行内SONOS器件特性的大的变化，现有技术并不能显著地将扇区内擦除阈值电压的分布变紧密。对于许多先进技术(130nm及以下)来说，随机掺杂波动是Vt变化的重要来源。对于这些技术来说，WL内的Vt分布自然是非常宽的——事实上几乎可以和整个芯片内的Vt分布一样宽。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例公开了一种处理，包括通过在单元的第一子集上执行选择性软编程(soft program),同时在该单元的第二子集上执行编程禁止,逐个单元地选择性地增加同一字线上多个非易失性存储单元中特定存储单元的阈值电压；以及重复该选择性软编程，直到全部单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：通过在单元的第一子集上执行选择性软编程，同时在所述单元的第二子集上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加同一字线上多个非易失性存储单元中的特定存储单元的阈值电压；以及重复所述选择性软编程，直到全部所述单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。

【技术特征摘要】
2011.09.29 US 13/248,2411.一种方法，包括 通过在单元的第一子集上执行选择性软编程，同时在所述单元的第二子集上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加同一字线上多个非易失性存储单元中的特定存储单元的阈值电压；以及 重复所述选择性软编程，直到全部所述单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。2.如权利要求1的方法,进一步包括 逐步增加存储单元的所述第一子集的选择性软编程的重复之间的软编程脉冲间隔。3.如权利要求1的方法,进一步包括 从具有设定为所述单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的单元中读回数据。4.如权利要求3的方法，进一步包括 重复擦除所述字线中的单元，直到每一个单元具有低于所述目标阈值电压的阈值电压，或者直到已经应用了最大数量的擦除。5.如权利要求1的方法,进一步包括 在对所述单元进行软编程之后，从具有设定为比目标阈值电压更负的值的容限模式字线电压的所述单元中读回数据。6.如权利要求1的方法,进一步包括 逐步增加存储单元的所述第一子集的所述选择性软编程的重复之间的软编程脉冲电压电平。7.—种非易失性机器存储电路,包括 多个存储单元；以及 逻辑，用以 通过在单元的第一子集上执行选择性软编程，同时在所述单元的第二子集上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加字线上单元的所述第一子集的阈值电压；以及 在单元的所述第一子集上重复所述选择性软编程，直到所述字线上全部所述单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。8.如权利要求7的非易失性机器存储电路，进一步包括改变单元的所述第一子集的所述软编程的重复之间的软编程脉冲电压电平的逻辑。9.如权利要求7的非易失性机器存储电路，进一步包括在大块擦除字线上的所述单元之后，从具有设定为所述单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的单元中读回数据的逻辑。10.如权利要求7的非易失性机器存储电路，进一步包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：范卡特拉曼·普拉哈卡，斐德列克·杰能，
申请(专利权)人：赛普拉斯半导体公司，
类型：发明
国别省市：