用于制造双芯片装置的方法以及相应的双芯片装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于制造双芯片装置的方法和一种相应的双芯片装置。所述方法包括以下步骤：提供具有第一厚度的晶片，其具有前侧和背侧并且具有第一数量的多个第一芯片，其可连接在前侧上；将第二数量的多个第二芯片施加在晶片的前侧上，使得每一个第一芯片分别与一个第二芯片连接并且形成一个相应的双芯片对；在晶片的前侧上形成连通的模制壳体，使得第二芯片被封装；从背侧起将晶片背面减薄到第二厚度，所述第二厚度小于第一厚度；从背侧起形成通到第二芯片的覆镀通孔；以及将双芯片对分割成相应的双芯片装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于制造双芯片装置的方法以及一种相应的双芯片装置。
技术介绍
尽管也可应用任意的微机械部件或者微电子部件，但借助微机械传感器装置来阐述本专利技术及其基于的问题。目前，对于消费应用而言主要以QFN (Quad Flat No Leads :四方平面无引脚)壳体、LGA (Land GridArray :接点栅格阵列)壳体或BGA (Ball Grid Array :球栅格阵列)壳体来封装微机械传感器装置。在此，在侧向上需要用于构造引线键合的位置。在单芯片的情况下，开始实施晶片级封装(WLP),也称作Wafer-Level-Chip-Size-Package (WL-CSP :晶片级芯片尺寸封装)。US7, 838，975和US7, 446，405公开了晶片级芯片尺寸封装。
技术实现思路
本专利技术提出了根据权利要求1所述的用于制造双芯片装置的方法以及根据权利要求11所述的相应双芯片装置。优选的改进方案是相应从属权利要求的主题。本专利技术的优点本专利技术能够实现作为芯片尺寸封装的双芯片装置的稳健制造，其方式是，在制造连通的(zusammenhSngend)、单侧的模制壳体之后背面减薄晶片并且从背侧施加覆镀通孔。通过根据本专利技术的操作方法可以避免晶片折断和生产率降低。附图说明本专利技术的其他特征和优点以下借助实施方式参照附图来阐述。附图示出图la) -g)示出了用于阐述根据本专利技术的一个实施方式的用于制造微机械传感器装置的形式的双芯片装置的方法的示意性横截面图。具体实施例方式在附图中相同的附图标记表示相同或功能相同的元件。图la) -g)是用于阐述根据本专利技术的一个实施方式的用于制造微机械传感器装置形式的双芯片装置的方法的示意性横截面图。在图1a)中，附图标记I表不娃晶片，其具有如侧VS和背侧RS。在娃晶片I中设有多个第一芯片la、lb、lc，它们是ASIC芯片。第一芯片la、lb、lc在前侧VS上具有第一电连接区域Ml、M2或者M3、M4或者M5、M6的对。附图标记10表示施加在晶片I的前侧VS上的调整装置，例如调整标记或者图案。继续参照图lb)，相应多个第二芯片2a、2b、2c通过常见方法施加在晶片I的前侧VS上，使得每个第一芯片la、lb、Ic分别与一个第二芯片2a、2b、2c连接并且形成一个相应的双芯片对。在施加时，第一电连接区域M1、M2或者M3、M4或者M5、M6的对与第二芯片2a、2b,2c的第二连接区域21、22或者23、24或者25、26的相应对连接。在当前实施方式中，以倒装芯片技术进行第二芯片2a、2b、2c的安装，所述第二芯片在此情况下是微机械传感器芯片，其中第二芯片2a、2b、2c的前侧VS’朝向晶片I的前侧VS而第二芯片2a、2b、2c的背侧RS’背离晶片I的前侧VS。同样可能的是，将芯片2a、2b、2c粘接到晶片I的前侧VS上并且与引线键合连接接通。继续参照图lc)，随后在晶片I的前侧VS上如此形成连通的、单侧的模制壳体MG，使得第二芯片2a、2b、2c被封装。这通过常见的注射方法——例如转移模制或压缩模制或者通过常见的压铸方法来实现。通过模制，晶片I对于随后的处理步骤是足够稳定的。优选地，在过模制(Obermolden)时晶片边缘用于压紧在模具中并且由此与模制材料脱离。不过模制调整装置10，因为在随后的处理步骤中需要所述调整装置10。继续参照图ld)，从背侧RS开始通过研磨方法来背面减薄晶片1，其中将晶片I从第一厚度dl背面减薄到第二厚度d2，其中dl的典型值在600 ii m至800 u m之间而d2的典型值在50iim至150iim之间。在随后的处理步骤中(其在图1e)中示出)，从背侧RS开始形成通到第一电连接区域 Ml、M2、M3、M4、M5、M6 的覆镀通孔(Durchkontaktierung) Dl、D2、D3、D4、D5、D6，其中第一连接区域Ml至M6用作终止面。通过常见的光蚀刻技术来进行覆镀通孔的形成。为了将覆镀通孔Dl至D6调整到前侧VS上的相应目标结构上，可以使用调整装置10，或替代地或者附加地借助反射的红外线来观察前侧。为了调整装置10在所述步骤中是可见的，模制壳体MG不延伸到调整装置10上。继续参照图1f )，在形成覆镀通孔Dl至D6之后在背侧上形成一些第三电连接区域Ul至U6，这些第三电连接区域也可以设有(未示出的)再布线，其中最终焊接凸点(Lotbump) 11、12、13、14、15、16设在第三电连接区域Ul至U6上。随后将具有芯片la、2a或者lb、2b或者lc、2c的双芯片对分割成相应的双芯片装置。在图1g)中示出了具有芯片la、2a的双芯片装置3a形式的最终产品。尽管以上借助两个实施例阐述了本专利技术，但本专利技术不限于此而是可以以多种方式变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制造双芯片装置的方法，所述方法具有以下步骤：提供具有第一厚度（d1）的晶片（1），所述晶片具有前侧（VS）和背侧（RS）并且所述晶片具有第一数量的多个第一芯片（1a，1b，1c），将第二数量的多个第二芯片（2a，2b，2c）施加在所述晶片（1）的前侧（VS）上，使得每一个第一芯片（1a，1b，1c）分别与一个第二芯片（2a，2b，2c）连接并且形成一个相应的双芯片对；在所述晶片（1）的前侧（VS）上形成连通的、单侧的模制壳体（MG），使得所述第二芯片（2a，2b，2c）被封装；从所述背侧（RS）起将所述晶片（1）背面减薄到第二厚度（d2），所述第二厚度小于所述第一厚度（d1）；从所述背侧（RS）起形成通到所述第二芯片（2a，2b，2c）的覆镀通孔（D1?D6）和电连接端子（U1?U6）；以及将所述双芯片对分割成相应的双芯片装置（3a，3b，3c）。

【技术特征摘要】
2011.09.29 DE 102011083719.11.用于制造双芯片装置的方法，所述方法具有以下步骤 提供具有第一厚度(dl)的晶片(1)，所述晶片具有前侧(VS)和背侧(RS)并且所述晶片具有第一数量的多个第一芯片(la, lb, Ic), 将第二数量的多个第二芯片(2a，2b，2c)施加在所述晶片(I)的前侧(VS)上，使得每一个第一芯片(la, lb, Ic)分别与一个第二芯片(2a, 2b, 2c)连接并且形成一个相应的双芯片对； 在所述晶片(I)的前侧(VS)上形成连通的、单侧的模制壳体(MG)，使得所述第二芯片(2a，2b，2c)被封装； 从所述背侧(RS)起将所述晶片(I)背面减薄到第二厚度(d2)，所述第二厚度小于所述第一厚度(dl)； 从所述背侧(RS)起形成通到所述第二芯片(2a，2b，2c)的覆镀通孔(D1-D6)和电连接端子(U1-U6);以及 将所述双芯片对分割成相应的双芯片装置(3a，3b，3c)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一芯片(la,lb, Ic)在所述晶片(I)的前侧(VS)上具有第一电连接区域(M1-M6)，所述第一电连接区域在施加所述第二数量的多个第二芯片(2a，2b，2c)时与所述第二芯片(2a，2b，2c)的相应的第二连接区域(21_26)连接。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一连接区域(M1-M6)在形成所述覆镀通孔(D1-D6)时用作终止面。4.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，通过研磨工艺来进行所述背面减薄。5.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，通过注射方法或压铸方法来形成所述模制壳...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·布林德尔，F·哈格，J·弗莱，R·施派歇尔，J·弗里茨，L·劳舍尔，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：