一种集成电路缺陷的光学检测方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种集成电路缺陷的光学检测方法和装置，其中，所述方法包括：在Fourier平面设置螺旋相位片，通过所述螺旋相位片，接收集成电路上缺陷的散射光和反射光，其中，所述散射光经过所述螺旋相位片，在图像接收平面形成圆圈形状图像；所述反射光经过所述螺旋相位片的中心，在图像接收平面形成同相位均匀背景光；所述圆圈形状图像与同相位均匀背景光在图像接收平面发生相位干涉，形成包含亮斑和暗斑的光斑图像；根据所述光斑图像，确定所述集成电路上缺陷的类别。通过本发明专利技术实施例，能够提高集成电路中缺陷检测的精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，更具体地说，涉及一种集成电路缺陷的光学检测方法和装置。
技术介绍
电路缺陷存在于任何半导体制作的过程中，是量产前的工艺研发过程中所要面对的主要问题。缺陷不仅来自于芯片制作中由于环境中污染成分带来的随机缺陷，而且也来自于由于工艺的不完善所带来的系统缺陷。作为电子产业的基础和核心，集成电路产业的设计工艺将进入22纳米及以下技术代。因此，如何在研发过程中不断完善制作工艺、将制作过程中出现的电路缺陷控制到最少是22纳米及以下是该工艺成功与否的关键所在。由于特征尺寸的减小，电路图形的材料表面和边缘粗糙度逐渐成为科研人员关注的重点。虽然电路图形的材料表面和边缘粗糙度在22纳米以上的工艺中已经存在，但是直到22纳米工艺中才成为影响电路性能的重要因素。边缘粗糙度是芯片制作过程中的必有现象，由光刻技术精度和光刻胶蚀刻工艺决定。由于光刻工艺的误差，线宽和边缘的误差可达到几个纳米。在22纳米工艺中，图形特征尺寸小，严重的边缘粗糙度会形成边缘突起，甚至形成短路断路，直接造成芯片的性能破坏。22纳米及以下工艺中缺陷出现可能性更高。因此，纳米量级的缺陷检测是集成电路制作过程中不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路缺陷的光学检测方法，其特征在于，在Fourier平面设置螺旋相位片，包括：通过所述螺旋相位片，接收集成电路上缺陷的散射光和反射光，其中，所述散射光经过所述螺旋相位片，在图像接收平面形成圆圈形状图像；所述反射光经过所述螺旋相位片的中心，在图像接收平面形成同相位均匀背景光；所述圆圈形状图像与同相位均匀背景光在图像接收平面发生相位干涉，形成包含亮斑和暗斑的光斑图像；根据所述光斑图像，确定所述集成电路上缺陷的类别。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路缺陷的光学检测方法，其特征在于，在Fourier平面设置螺旋相位片，包括 通过所述螺旋相位片，接收集成电路上缺陷的散射光和反射光，其中，所述散射光经过所述螺旋相位片，在图像接收平面形成圆圈形状图像；所述反射光经过所述螺旋相位片的中心，在图像接收平面形成同相位均匀背景光；所述圆圈形状图像与同相位均匀背景光在图像接收平面发生相位干涉，形成包含亮斑和暗斑的光斑图像； 根据所述光斑图像，确定所述集成电路上缺陷的类别。2.根据权利要求1所述的集成电路缺陷的光学检测方法，其特征在于，所述螺旋相位片的螺旋相位范围为(O, 2 )。3.根据权利要求1所述的集成电路缺陷的光学检测方法，其特征在于，所述方法还包括调节所述缺陷的散射光和反射光的光强相当。4.根据权利要求3所述的集成电路缺陷的光学检测方法，其特征在于，所述调节所述缺陷的散射光和反射光的光强相当，包括 在所述缺陷的反射光进入所述螺旋相位片之前的光路上设置可调节光衰减片，通过所述可调节光衰减片调节所述缺陷的散射光和反射光的光强相当。5.根据权利要求1-4中任一项所述的集成电路缺陷的光学检测方法，其特征在于，所述根据所述光斑图像，确定所述集成电路上缺陷的类别，包括 根据所述光斑图像中亮斑和暗斑的分布属性，确定所述集成电路上...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鲁，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：