【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶硅锭制造装置、多晶硅锭的制造方法及多晶硅锭
本专利技术涉及一种通过使积存于坩埚内的硅熔融液单向凝固来制造多晶硅锭的多晶硅锭制造装置、多晶硅锭的制造方法及通过该制造方法得到的多晶硅锭。本申请主张基于2010年7月22日在日本申请的日本专利申请2010-164774号的优先权,其内容援引于本说明书中。
技术介绍
为了制造多晶硅晶片,例如如专利文献1中所记载,首先,将多晶硅锭切片为预定的厚度来制造多晶硅切片。接着,通过将该多晶硅切片切取成预定尺寸来制造多晶硅晶片。该多晶硅晶片主要作为太阳能电池用基板的原材料而被利用。在太阳能电池中,作为太阳能电池用基板的原材料的多晶硅锭的特性较大地影响转换效率等性能。尤其,若多晶硅中所含的氧量或杂质量较多,则太阳能电池的转换效率大幅下降。因此,有必要降低成为太阳能电池用基板的多晶硅中的氧量或杂质量。将在坩埚内使硅熔融液单向凝固来制造的多晶硅锭、即通过朝向一个既定的方向逐次凝固而得到的多晶硅锭作为太阳能电池基板的原材料而利用时,在作为凝固开始部分的底部及作为凝固结束部分的顶部,有氧量或杂质量增加的倾向。因此,为了降低氧量及杂质量,切断 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.22 JP 2010-1647741.一种多晶硅锭制造装置,具有:水平截面为矩形的坩埚;配设于该坩埚的上方的上部加热器;配设于所述坩埚的下方的下部加热器;及配设于所述坩埚的外周侧的绝热壁,使积存于所述坩埚内的硅熔融液从所述坩埚的底面朝向上方单向凝固,其特征在于,具备对所述坩埚的侧壁部中所述底面侧的一部分进行加热的辅助加热器及配设成与所述坩埚的开口部对置的盖部,所述辅助加热器构成为对所述侧壁部的由水平截面所形成的环状矩形的各一边的中央区域进行加热,相对于所述侧壁部中所述一边的全长L,该中央区域沿所述底面的方向的长度l设定在0.3×L≤l≤0.7×L的范围内,所述辅助加热器配设成与所述坩埚的侧壁部中所述底面侧的一部分对置,相对于所述坩埚的总高HP,所述辅助加热器的高度h设定在0.1×HP≤h≤0.3×HP的范围内,所述盖部连接于插通在所述上部加热器的支撑轴的下端部,在所述支撑轴的前端设置有朝向所述坩埚内的硅熔融液供给惰性气体的开口孔。2.一种多晶硅锭的制造方法,其特征在于,该方法利用...
【专利技术属性】
技术研发人员:续桥浩司,胁田三郎,池田洋,金井昌弘,
申请(专利权)人:三菱综合材料株式会社,三菱材料电子化成株式会社,
类型:
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。