【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
迄今为止，提出有在厚度25 μ m左右的较薄的薄膜基材的一个面上形成有透明导体层的透明导电性薄膜(例如，专利文献I)。形成于该薄膜上的透明导体层是如下所述形成的。首先，在薄膜基材的一个面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层并对其进行加热而发生结晶化，由此形成透明导体层。这时，由于薄膜基材的厚度小，因此，有因加热而导致薄膜基材产生皱褶之虞。因此，在制造上述透明导电性薄膜时，在薄膜基材的一个面上形成非晶质层后，在薄膜基材的另一个面上层叠粘合剂层和脱模膜以增大薄膜整体的厚度，然后将其在140°C左右的低温下进行加热。这样可防止透明导电性薄膜产生皱褶。 现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-251529号公报
技术实现思路
_6] 专利技术要解决的问题然而，如上所述在低温下进行加热时，存在加热时间延长的问题，专利文献I中记载的是需要90分钟左右的时间。本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供可以缩短用于使由铟系复合氧化物形成的非晶质层结晶化的加热时间的。用于解决问题的方案本专利技术的具备如下工序 第I工序，在厚度为10...
【技术保护点】
一种透明导电性薄膜的制造方法，其具备如下工序：第1工序，在厚度为10～50μm的薄膜基材的第一表面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层；第2工序，在利用输出辊输送层叠有所述非晶质层的薄膜基材并在卷绕辊上卷绕的中途，将该薄膜基材在160℃以上的温度下加热，使所述非晶质层结晶化而形成透明导体层；第3工序，在所述薄膜基材的第二表面上形成粘合剂层。
【技术特征摘要】
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