透明导电性薄膜的制造方法技术

本发明专利技术提供可以缩短用于使具有铟系复合氧化物的非晶质层结晶化的加热时间的透明导电性薄膜的制造方法。本发明专利技术的透明导电性薄膜的制造方法具备如下工序：第1工序，在厚度为10～50μm的薄膜基材的第一表面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层；第2工序，在利用输出辊输送层叠有上述非晶质层的薄膜基材并在卷绕辊上卷绕的中途，将该薄膜基材在160℃以上的温度下加热，使上述非晶质层结晶化而形成透明导体层；第3工序，在上述薄膜基材的第二表面上形成粘合剂层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
迄今为止，提出有在厚度25 μ m左右的较薄的薄膜基材的一个面上形成有透明导体层的透明导电性薄膜(例如，专利文献I)。形成于该薄膜上的透明导体层是如下所述形成的。首先，在薄膜基材的一个面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层并对其进行加热而发生结晶化，由此形成透明导体层。这时，由于薄膜基材的厚度小，因此，有因加热而导致薄膜基材产生皱褶之虞。因此，在制造上述透明导电性薄膜时，在薄膜基材的一个面上形成非晶质层后，在薄膜基材的另一个面上层叠粘合剂层和脱模膜以增大薄膜整体的厚度，然后将其在140°C左右的低温下进行加热。这样可防止透明导电性薄膜产生皱褶。 现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-251529号公报
技术实现思路
_6] 专利技术要解决的问题然而，如上所述在低温下进行加热时，存在加热时间延长的问题，专利文献I中记载的是需要90分钟左右的时间。本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供可以缩短用于使由铟系复合氧化物形成的非晶质层结晶化的加热时间的。用于解决问题的方案本专利技术的具备如下工序 第I工序，在厚度为10 50 μ m的薄膜基材的第一表面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层；第2工序,在输出辊和卷绕辊之间输送层叠有所述非晶质层的薄膜基材的中途，将该薄膜基材在160°C以上的温度下加热，使所述非晶质层结晶化而形成透明导体层；第3工序，在所述薄膜基材的第二表面上形成粘合剂层。根据该构成，由于将形成了铟系复合氧化物的非晶质层的薄膜基材在160°C以上进行加热，因此，可以缩短非晶质层结晶化所需要的时间。其结果，可以提高辊输送的输送速度。在该温度下，与以往例相比，可以大幅度缩短加热时间，例如，可以使其为20分钟以下。进而，通过在180 200°C下进行加热，还可以使加热时间为30秒 5分钟。另外，这时，由于薄膜基材在辊间输送，因此张力发挥作用。由此，可以防止薄膜基材产生皱褶。进而，由于在加热薄膜基材而使非晶质层结晶化后层叠粘合剂层，因此，可以避免粘合剂层被直接加热。由此，可以防止粘合剂层发生黄变。进而，在由树脂形成薄膜基材的情况下，有聚合物中的低分子量物质转移至粘合剂层而发生不良情况之虞，该构成还可以防止这些不良情况。如上所述，根据本专利技术的制造方法，可以得到品质优异的透明导电性薄膜。需要说明的是，在第2工序中在输出辊和卷绕辊之间输送薄膜基材，但第I工序及第3工序也可以同样地构成。例如，可以在同一对输出辊和卷绕辊之间输送薄膜基材的过程中，进行第I工序至第3工序。或者，也可以在一对输出辊和卷绕辊之间进行第2工序后，在另外一对输出辊和卷绕辊之间进行第3工序。S卩，各工序中，至少一个以上工序可以使用不同的输送系统。例如，还可以用一个制造设备进行第I工序、用其他制造设备进行第2工序及第3工序。在上述制造方法中，作为对薄膜基材进行加热的方法，有各种方法，例如，可以使薄膜基材通过室温为160°C以上的加热室。由此，可以均匀地加热薄膜基材整体。另外，在上述第2工序中，可以使加热室内的温度为180 200°C、通过加热室的时间为30秒 5分钟。需要说明的是，加热室内的温度是对薄膜基材进行加热的温度。专利技术的效果 根据本专利技术的，可以缩短加热时间。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式的透明导电性薄膜的剖面图。图2是表示图1的的一部分的示意图。图3是表示薄膜基材的加热温度和非晶质层的结晶化时间的关系的图表。图4是表示薄膜基材的加热温度和输送时间的关系的图表。附图标记说明I薄膜基材2透明导体层3粘合剂层10输出辊20卷绕辊30加热室具体实施例方式下面，对于本专利技术的的一个实施方式，参照附图进行说明。图1是该透明导电性薄膜的剖面图。需要说明的是，在以下的说明中，为了方便说明，以图1的上侧为“上”、下侧为“下”进行说明，但各部件的配置位置、朝向等并不限定于此。首先，对用本实施方式的制造方法制造的透明导电性薄膜进行说明。如图1所示，该透明导电性薄膜由透明的薄膜基材1、形成于其上表面(第一表面)的透明导体层2、形成于薄膜基材I的下表面(第二表面)的粘合剂层3形成。薄膜基材I的厚度优选为10 50 μ m、进一步优选为10 30 μ m。这是因为，当厚度超过50 μ m时，作为透明导电性薄膜有体积增大、且品质下降之虞。例如，当厚度增大时，如后所述，作为透明导体层2，在形成非晶质的铟系复合氧化物时，有从薄膜基材I产生的挥发成分增多而非晶质层产生缺陷之虞。对于用于形成该薄膜基材I的材料，只要具有透明性，就没有特别限制，例如，可以举出 聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯系树脂、聚环烯烃系树脂、聚碳酸酯系树月旨、乙酸酯系树脂、聚醚砜系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、(甲基)丙烯酸系树脂、聚丙烯酸酯系树脂等。如上所述，在该薄膜基材I的上表面形成有透明导体层2，为了提高与该导体层2的密合性，还可以在上述材料的薄膜的上表面与透明导体层2之间形成透明的底涂层，将其作为薄膜基材I。底涂层可以由无机物、有机物、或无机物与有机物的混合物形成。例如，作为无机物，优选SiO2。透明导体层2由透明性及电导率高的铟系复合氧化物形成。作为透明性的指标，例如,可以举出在可见光的波长区域380 780nm处透射率为80%以上。透射率例如可以利用JISK-7105进行测定。另外，作为电导率的指标，例如，可以举出每单位面积的表面电阻率为500Ω/0 (欧姆每平方(ohms per square))以下。该表面电阻率例如可以利用根据JIS K7194(1994年)的四探针法进行测定。作为上述铟系复合氧化物，例如，可以设定为掺杂了 4价金属元素的氧化铟(In2O3)。具体而言，可以设定为4价金属离子取代氧化铟的晶格中的3价In离子的晶格点而得到的铟系复合氧化物。作为铟系复合氧化物，可以代表性地举出铟 锡复合氧化物、铟 锌复合氧化物。例如，可以使用含有氧化锡(SnO2)的氧·化铟(In2O3),在这种情况下,优选含有氧化铟90 99重量％及氧化锡I 10重量％。进一步优选含有氧化铟95 98重量％及氧化锡2 5重量％。需要说明的是，氧化锡的含量(重量％)可以用X100表示。另外，对于透明导体层2的厚度，例如，优选为10 35nm、进一步优选为20 30nm。这是因为，当厚度变得过大时，有透明性下降之虞，另一方面，当厚度变得过小时，有表面电阻率升高之虞。粘合剂层3是为了将该透明导电性薄膜安装在触摸面板等对象物上而使用的，可以将厚度设定为例如10 80 μ m。对于形成上述粘合剂层3的材料，只要是透明的，就没有特别限制，例如，可以使用以丙烯酸系聚合物、有机硅系聚合物、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、环氧系、氟系等聚合物为基础聚合物的材料。尤其，从光学透明性优异、且显示出适当的润湿性、凝聚性及粘接性等粘合特性、并且耐候性、耐热性等也优异的观点考虑，优选使用丙烯酸系粘合剂。需要说明的是，在粘合剂层3的下表面，还可以任意设置脱模膜等薄膜。接着，对于如上所述构成的，参照图2进行说明。图2是表示该的一部分的示意图。首先，在薄膜基材I的上表面层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层(第I工序)。作为形成该非晶质层的方法，有各种方法，例如，可以采用溅射法。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电性薄膜的制造方法，其具备如下工序：第1工序，在厚度为10～50μm的薄膜基材的第一表面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层；第2工序，在利用输出辊输送层叠有所述非晶质层的薄膜基材并在卷绕辊上卷绕的中途，将该薄膜基材在160℃以上的温度下加热，使所述非晶质层结晶化而形成透明导体层；第3工序，在所述薄膜基材的第二表面上形成粘合剂层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎由佳，梨木智刚，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：