曝光装置的控制方法、曝光方法及组件制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种曝光装置的控制方法、曝光方法及组件制造方法。提供曝光装置（EX），其具备投影光学系统（PL），该投影光学系统（PL）具有最靠近投影光学系统（PL）的像面的第1光学元件（LS1）。曝光装置（EX）具备：第1液浸机构（1），用以在设置于投影光学系统（PL）像面侧的透明构件（64）的上面（65）与第1光学元件（LS1）之间形成第1液体（LQ1）的第1液浸区域（LR1）；及观察装置（60），用以观察第1液浸区域（LR1）的状态。从而，能掌握液体的液浸区域的状态，执行最适当的液浸曝光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及透过液体使基板曝光的曝光装置及组件制造方法。
技术介绍
半导体组件或液晶显示组件，系通过将形成于掩模上之图案转印于感旋光性基板上，即所谓光刻方法来制造。在其光刻步骤所使用之曝光装置，具有支撑掩模之掩模载台与支撑基板之基板载台，边逐次移动掩模载台与基板载台边透过投影光学系统将掩模之图案转印于基板上。近年来，为应对组件图案之更高集成化而期待投影光学系统之更高分辨率化。所使用之曝光波长越短、且投影光学系统之数值孔径越大，投影光学系统之分辨率越高。为此，曝光装置所使用之曝光波长逐年短波长化，投影光学系统之数值孔径亦增大。又，现在主流之曝光波长虽系KrF准分子激光光之248nm，但更短波长之ArF准分子激光光之193nm亦已实用化。又，在要进行曝光时，焦点深度(DOF)亦与分辨率同样重要。分辨率R、及焦点深度S分别以下式表示。R=Ic1X 入/NA ... (I)S = ± k2 X 入 /NA2 …(2)在此，A系曝光波长，NA系投影光学系统之数值孔径，kp k2系比例系数。从式(I)、式(2)得知，若为提高分辨率R而缩短曝光波长\、增大数值孔径NA，则会使焦点深度6变小。若本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光装置的控制方法，透过液浸区域的液体将基板曝光，其特征在于包含以下步骤：通过从供应口供应液体，并且将从上述供应口所供应的液体从设置有多孔质的回收口回收，以在最靠近投影光学系统的像面的第1光学元件之下形成液浸区域；判断上述液浸区域是否为期望状态；及以边抑制上述液浸区域的液体从第1载台与第2载台的间隙流出，边在上述投影光学系统的像面侧的光路空间填满上述液体的状态下在上述第1载台上与上述第2载台上之间移动上述液浸区域的方式，在上述第1载台与上述第2载台接近的状态下，在上述投影光学系统的像面侧一起移动上述第1载台与上述第2载台。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大和壮一，长坂博之，菅原龙，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：