与大豆抗疫霉根腐病候选基因RpsWD15-1共分离的分子标记及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种与大豆抗疫霉根腐病候选基因RpsWD15-1共分离的分子标记及其应用，以抗病品种皖豆15作为父本，感病品种Williams（rps）作为母本，杂交产生F1代，通过自交产生F2:3群体作为作图群体，用已公布的大豆SSR标记和根据大豆基因组序列开发新的SSR标记，对皖豆15含有的抗病基因进行遗传作图和精细定位。抗病基因RpsWD15-1被定位在第17号染色体上，位于标记Sattwd15-24/25(0.5cM)和Sattwd15-47(0.8cM)之间。同时，还获得与基因RpsWD15-1共分离的分子标记Sattwd15-28。该标记可用于大豆抗疫霉根腐病的辅助选择育种中。

【技术实现步骤摘要】
与大豆抗疫霉根腐病候选基因RpsWDI5-1共分离的分子标记及其应用
本专利技术属于农业生物技术工程和农作物抗病遗传育种领域，具体地说，涉及一种与大豆抗疫霉根腐病候选基因RPSWD15-1共分离的分子标记及其应用。
技术介绍
由大豆疫霉(Phytophthora sojae Kaμ fmann & Gerdemann)引起的大豆疫霉根腐病是危害大豆生产的主要病害之一。近年来，该病害在大豆主产区黑龙江省危害日益突出，危害大豆面积达15 X IO4公顷。该病害可在大豆的任何生育阶段造成危害，一般田块减产10-30%，严重地块可达60-90%，甚至造成绝产，对大豆生产造成严重威胁。目前，大豆疫霉根腐病已经成为威胁我国大豆生产的常见病害，所以对该病害的防治刻不容缓。实践证明，培育和种植抗病品种是最为安全、经济和有效的措施。为此，许多学者在筛选抗性资源及抗病基因定位方面做了大量的研究。研究表明，大豆对疫霉根腐病的抗性分为质量性状抗性(小种抗性)和数量性状抗性。质量性状抗性由显性基因控制，具有完全抗性。迄今，国外已在大豆基因组9个位点上鉴定了 15个抗大豆疫霉根腐病基因(Rps)， 即 本文档来自技高网...

【技术保护点】
与大豆抗疫霉根腐病候选基因RpsWD15?1共分离的分子标记，其特征在于，所述候选基因RpsWD15?1位于大豆第17号染色体上，且位于标记Sattwd15?24/25和Sattwd15?47之间，与这两个标记的遗传距离分别为0.5cM和0.8cM；所述分子标记为Sattwd15?28，含重复基序(AT)23，且用于扩增分子标记Sattwd15?28的特异性PCR引物对为：上游引物F：5′?GCTTCCTATCACTCTTTGCTG?3′和下游引物R：5′?TTAGGCTAATGATGCTG?3′。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱振东，张吉清，王晓鸣，夏长剑，段灿星，
申请(专利权)人：中国农业科学院作物科学研究所，
类型：发明
国别省市：