用于减少非易失性存储器中的状态分布的展宽的擦除和编程技术制造技术

给出了用于存储器器件中以通过降低状态分布中的展宽来改进可靠性和耐用性的技术，这发生在多个写/擦除循环之后。一组技术使用预调节操作，其中可以包括编程和温和擦除的脉冲序列被施加到一条或多条字线，同时在字线方向、位线方向或这两者上施加电压差。另一组技术使用双脉冲或者多脉冲编程处理，其中在一对的第一脉冲中使用增加的字线到字线差。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及非易失性存储器的擦除和编程，更具体地，涉及用于减少可能由于例如存储器单元之间的电荷陷阱(charge trap)引起的状态分布的展宽的技术。
技术介绍
在诸如快闪EEPROM器件的非易失性存储器系统中，数据的准确存储依赖于数据准确被写入和被读回两者。数据的准确编程依赖于各个存储器单元被写到对于存储器单元可以存储的数据状态的每个的阈值电压值的良好定义的分布中。这对多状态器件特别正确，随着器件尺寸缩小和分配给增加数量的状态的电压窗变得更小，情况甚至变得更严重。从而，存在改进用于在写操作期间提供更紧凑的状态分布的技术的当前需求。
技术实现思路
根据第一组方面，给出了操作非易失性存储器阵列的方法。该阵列包括一个或多个擦除块，每个擦除块具有沿着位线和字线形成的多个存储器单元。该方法包括对一个或多个所选的擦除块的存储器单元进行擦除操作，其中该擦除操作包括进行加应力阶段和擦除阶段。该加应力阶段包括将电压电平的样式施加到与所选擦除块对应的位线，其中该样式包括对应的位线中的至少一对相邻位线之间的电压差，以及在向位线施加电压电平的样式时，向与所选擦除块对应的字线中的一条或多条字线施加正电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷波，梁癸容，A·坎德尔瓦尔，万钧，
申请(专利权)人：桑迪士克科技股份有限公司，
类型：
国别省市：