透明导电性薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术的目的在于，制造在透明薄膜基材上形成有结晶的铟系复合氧化物膜的长条状的透明导电性薄膜。本发明专利技术的制造方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至170℃～220℃的加热炉内，所述非晶膜被结晶化。前述结晶化工序中的加热炉内的温度优选为170℃～220℃。另外，前述结晶化工序中的薄膜长度的变化率优选为+2.5%以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在透明薄膜基材上形成有结晶透明导电性薄膜的。
技术介绍
在透明薄膜基材上形成有透明导电性薄膜的透明导电性薄膜被广泛利用于太阳能电池、无机EL元件、有机EL元件用的透明电极、电磁波屏蔽材料、触摸面板等。尤其是近年来，触摸面板在移动电话、便携式游戏机等上的安装率上升，能够多点检测的静电容量方式的触摸面板用的透明导电性薄膜的需求急速扩大。作为用于触摸面板等的透明导电性薄膜，广泛使用在聚对苯二甲酸乙二酯薄膜等挠性透明基材上形成有铟·锡复合氧化物(ITO)等导电性金属氧化物膜的薄膜。例如，对于ITO膜，通常使用与在基材上形成的ITO的膜组成相同的氧化物靶、或由In-Sn合金形成的金属靶，导入单独的非活性气体(Ar气)、以及根据需要的氧气等反应性气体，通过溅射法来成膜。在由像聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜那样的高分子成型物形成的透明薄膜基材上使ITO等铟系复合氧化物膜成膜时，存在由基材的耐热性导致的限制，因此无法在高温度下进行溅射成膜。因此，刚刚成膜之后的铟系复合氧化物膜成为非晶膜(也有部分结晶化的情况)。对于这种非晶的铟系复合氧化物膜，存在泛黄强而透明性差，加湿加热试验后的电阻变化大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎由佳，梨木智刚，菅原英男，待永广宣，佐佐木惠梨，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：
国别省市：