一种高增益的宽带低噪声放大器制造技术

一种高增益的宽带低噪声放大器，其特征在于：采用有源跨导增强电路，设有高频扼流单元、负载单元以及第一、第二两个输入放大单元，射频输入信号分别连接第一、第二两个输入放大单元的输入端，第一输入放大单元的输出端将放大信号输入到第二输入放大单元，第二输入放大单元的输出端连接负载单元，负载单元输出射频输出信号，第二输入放大单元的输入端还串联高频扼流单元后接地。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高增益的宽带低噪声放大器，属于射频电路
，其设计结构简单，具有较大的输入输出匹配带宽的同时，改善了噪声与增益性能，在100M-5GHZ频带范围内具有良好的输入阻抗匹配性能，同时有较高的增益和较小的噪声系数。
技术介绍
低噪声放大器是噪声系数很低的放大器，一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器以及高灵敏度电子探测设备的放大电路，对于几乎所有的射频接收机系统， 必不可少的一个模块就是低噪声放大器。由于系统接收到的射频信号幅度通常很弱，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，并且提供一定的电压增益，以提高输出的信噪比。设计高增益、低噪声的放大器电路IP核具有较为广泛的应用前景和应用价值。共栅结构放大器广泛应用于宽带低噪声放大器的设计中，主要原因是其具有宽带输入匹配特性，传统的共栅结构放大器电路如图1所示。信号由晶体管Ml源极输入，通过调整Ml宽长比及栅极偏置电压，可以调整流经Ml电流大小，进而改变Ml的跨导gm，使其输入阻抗与50欧姆匹配。通过调整负载电阻Rl阻值大小，可以获得不同的电压增益。该结构具有较宽的输入带宽和增益带宽。但是，传统的共栅结构放大器具有以下缺点第一是增益低，传统的共栅结构放大器的增益很大程度上取决于负载阻抗大小，但是大负载电阻会带来过多的压降，而有限的电源电压限制了传统的共栅结构放大器的增 .、/■Mo第二是噪声大，传统的共栅结构放大器的噪声系数较大，往往超过4dB。 第三是设计应用缺乏灵活性。传统的共栅LNA和在完成输入匹配后，输入管的跨导也随之确定，电路可以实现的最小噪声系数和最大增益也就确定了，设计缺乏灵活性。另外，有一种基于跨导增强原理被称为电容交叉耦合共栅LNA (CCC-CGLNA)被提出，其电路原理图如图2所示。由于其跨导增强技术通过无源方式实现，对增益和噪声性能改善较小。同时也存在完成输入匹配后，输入管的跨导也随之确定，设计缺乏灵活性。并且， 其只能用在差分信号场合，在单端信号场合无法应用。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的不足，本专利技术提出一种高增益的宽带低噪声放大器，采用有源实现跨导增强技术的宽带LNA，能够大幅改善宽带共栅LNA的增益和噪声性能，并且输入共栅管跨导不受输入匹配的制约，设计灵活。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用如下技术方案一种高增益的宽带低噪声放大器，其特征在于采用有源跨导增强电路，设有高频扼流单元、负载单元以及第一、第二两个输入放大单元，射频输入信号分别连接第一、第二两个输入放大单元的输入端，第一输入放大单元的输出端将放大信号输入到第二输入放大单元，第二输入放大单元的输出端连接负载单元，负载单元输出射频输出信号，第二输入放大单元的输入端还串联高频扼流单元后接地，其中第一输入放大单元包括NMOS管Ml、两个电阻Rl、R2、两个电容Cl、C2，NMOS管Ml 的栅极与电阻Rl的一端以及电容Cl的一端连接，电阻Rl的另一端连接第一偏置电压，电容Cl的另一端连接射频输入信号，NMOS管Ml的漏极串联电阻R2后连接到电源电压，同时， NMOS管Ml的漏极通过电容C2输出放大信号，NMOS管Ml的源极接地；第二输入放大单元包括NMOS管M2、电阻R3，NM0S管M2的栅极连接第一输入放大单元的放大信号输出端，并通过串联电阻R3后连接第二偏置电压，NMOS管M2的源极连接射频输入信号，NMOS管M2的漏极为第二输入放大单兀的输出端；高频扼流单元包括电感LI，电感LI的一端连接到第二输入放大单元NMOS管M2的源极，电感LI的另一端接到地；负载单元包括电阻R4，电阻R4的一端连接第二输入放大单元的输出端，此端也是射频输出信号端，电阻R4的另一端连接电源电压。本专利技术的优点及显著效果(I)高增益。传统的共栅结构放大器的增益很大程度上取决于负载阻抗大小，但是大负载电阻会带来过多的压降，而有限的电源电压限制了传统的共栅结构放大器的增益。 本专利技术采用跨导增强技术，在完成匹配的同时大大减少了共栅LNA的电流，使得在相同压降条件下，负载电阻的取值可以大大增加，从而提高了增益。并且由于本专利技术的跨导增强技术通过有源电路实现，相比采用无源方式的电容交叉耦合共栅LNA，可以大大提升跨导的增强幅度，得到更高的增益。(2)低噪声。传统共栅LNA的噪声系数无法低于l+γ/α。本专利技术采用有源跨导增强技术，大大降低了电路噪声系数。(3)设计与应用灵活。传统的共栅LNA和电容交叉耦合共栅LNA在完成输入匹配后，输入管的跨导也随之确定，电路可以实现的最小噪声系数和最大增益也就确定了，设计缺乏灵活性。而本专利技术在实现输入匹配时有两个参数可供调整第一输入放大单元的增益和第二输入放大单元的跨导，增加了设计的灵活性，可以得到最优的增益和噪声系数。同时电容交叉耦合共栅LNA只能用在差分信号场合，而本专利技术既可以用在差分信号场合，又可以用在单端信号场合。附图说明图1是传统共栅结构低噪声放大器的电路原理图2是电容交叉耦合共栅LNA (CCC-CGLNA)的电路原理图3是本专利技术的电路方框图4是本专利技术的电路原理图5是本专利技术与图1、图2现有技术在完成输入匹配情况下的电压增益仿真曲线比较；图6是本专利技术与图1、图2现有技术在完成输入匹配情况下的噪声系数曲线比较；图7、8、9是图4的另外三种实施电路。具体实施方式参看图3，本专利技术设有高频扼流单元、负载单元以及第一输入放大单元和第二输入放大单元,射频输入信号RFin分别连接两个输入放大单元的输入端,第一输入放大单元的输出端将放大信号输入到第二输入放大单元，第二输入放大单元的输出端连接负载单元， 负载单元输出射频输出信号RFout，第二输入放大单元的输入端还串联高频扼流单元后接地。图4为图3的具体电路。第一输入放大单元设有NMOS管Ml，电阻Rl，R2，电容Cl、 C2 ;第二输入放大单元包括NMOS管M2，电阻R3，负载单元为电阻R4，高频扼流单元为电感 LI。Ml的栅极串联电阻Rl后连接偏置电压1，M1的栅极串联Cl后连接射频输入信号RFin， 漏极连接电阻R2到电源Vcc，同时串联电容C2将信号耦合给第二输入放大单元。M2栅极串联R3后连接偏置电压2，源极连接射频输入信号RFin并且串联高频扼流单元电感LI到地。第一输入放大单元中Ml的漏极通过电容C2连接第二输入放大单元中M2的栅极。M2 的漏极连接负载电阻R4后连接电源电压Vcc，M2的漏极同时输出射频输出信号RFout。图4电路中，第一输入放大单元采用共源结构，第二输入放大单元采用共栅结构， 并在第二输入放大单元的源极和栅极之间引入第一输入放大单元，对其跨导进行了增强。 输入信号通过第一和第二输入放大单元实现50 Ω输入阻抗的宽带匹配特性。负载单元为电阻。第一输入放大单元的栅极接输入信号，源极接地，漏极输出信号经过电容耦合输入到第二输入放大单元的栅极。第二输入放大单元的源极接输入信号并且串联高频扼流单元到地，栅极接第一输入放大单元的反相放大信号，起到跨导增强的作用，提高增益的同时可以抑制整体电路噪声，降低电路的噪声系数，漏极接负载单元，并且输出射频信号。工作原理射频输入信号通过第一和第二输入放大单元输入，对于传统共栅结构 LNA，其输入阻抗约为l/(gm)，此处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高增益的宽带低噪声放大器，其特征在于：采用有源跨导增强电路，设有高频扼流单元、负载单元以及第一、第二两个输入放大单元，射频输入信号分别连接第一、第二两个输入放大单元的输入端，第一输入放大单元的输出端将放大信号输入到第二输入放大单元，第二输入放大单元的输出端连接负载单元，负载单元输出射频输出信号，第二输入放大单元的输入端串联高频扼流单元后接地，其中：第一输入放大单元包括NMOS管M1、两个电阻R1、R2、两个电容C1、C2，NMOS管M1的栅极与电阻R1的一端以及电容C1的一端连接，电阻R1的另一端连接第一偏置电压，电容C1的另一端连接射频输入信号，NMOS管M1的漏极串联电阻R2后连接到电源电压，同时，NMOS管M1的漏极通过电容C2输出放大信号，NMOS管M1的源极接地；第二输入放大单元包括NMOS管M2、电阻R3，NMOS管M2的栅极连接第一输入放大单元的放大信号输出端，并通过串联电阻R3后连接第二偏置电压，NMOS管M2的源极连接射频输入信号，NMOS管M2的漏极为第二输入放大单元的输出端；高频扼流单元包括电感L1，电感L1的一端连接到第二输入放大单元NMOS管M2的源极，电感L1的另一端接到地；负载单元包括电阻R4，电阻R4的一端连接第二输入放大单元的输出端，此端也是射频输出信号端，电阻R4的另一端连接电源电压。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李智群，陈亮，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：