【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高增益的宽带低噪声放大器，属于射频电路
，其设计结构简单，具有较大的输入输出匹配带宽的同时，改善了噪声与增益性能，在100M-5GHZ频带范围内具有良好的输入阻抗匹配性能，同时有较高的增益和较小的噪声系数。
技术介绍
低噪声放大器是噪声系数很低的放大器，一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器以及高灵敏度电子探测设备的放大电路，对于几乎所有的射频接收机系统， 必不可少的一个模块就是低噪声放大器。由于系统接收到的射频信号幅度通常很弱，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，并且提供一定的电压增益，以提高输出的信噪比。设计高增益、低噪声的放大器电路IP核具有较为广泛的应用前景和应用价值。共栅结构放大器广泛应用于宽带低噪声放大器的设计中，主要原因是其具有宽带输入匹配特性，传统的共栅结构放大器电路如图1所示。信号由晶体管Ml源极输入，通过调整Ml宽长比及栅极偏置电压，可以调整流经Ml电流大小，进而改变Ml的跨导gm，使其输入阻抗与50欧姆匹配。通过调整负载电阻Rl阻值大小，可以获得不同的电压增益。该结构具有较宽的输入带...
【技术保护点】
一种高增益的宽带低噪声放大器，其特征在于：采用有源跨导增强电路，设有高频扼流单元、负载单元以及第一、第二两个输入放大单元，射频输入信号分别连接第一、第二两个输入放大单元的输入端，第一输入放大单元的输出端将放大信号输入到第二输入放大单元，第二输入放大单元的输出端连接负载单元，负载单元输出射频输出信号，第二输入放大单元的输入端串联高频扼流单元后接地，其中：第一输入放大单元包括NMOS管M1、两个电阻R1、R2、两个电容C1、C2，NMOS管M1的栅极与电阻R1的一端以及电容C1的一端连接，电阻R1的另一端连接第一偏置电压，电容C1的另一端连接射频输入信号，NMOS管M1的漏极串...
【技术特征摘要】
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