一种低噪声放大器及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种低噪声放大器及其制造方法
本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种低噪声放大器及其制造方法。
技术介绍
无线传感器网络芯片的一个重要的特点就是微型化和集成化，随着对无线传感器网络芯片研究的不断深入，人们已经开始不满足于仅仅实现功能，而是对芯片的成本、集成度、功能方面提出了越来越迫切的要求。系统芯片所带来的单片系统集成芯片解决方案不仅能够明显增加集成度、减小芯片体积、提高封装密度，而且可以有效降低芯片系统的成本和造价。因此，在当前无线传感器网络的芯片设计中，人们已经越来越多地依赖系统集成概念来设计相关电路并开发新一代的芯片产品。随着越来越多的系统集成无线传感器网络芯片的开发，系统集成中不同模块衬底间互相串扰以及高频下衬底较大损耗的问题开始显现并制约着系统集成无线传感器网络芯片的发展。这些问题在目前CMOS工艺所普遍采用的低阻衬底中被表现得更加突出，严重限制了传感器系统芯片的应用和发展。值得注意的是，作为无线传感器网络接收机系统中第一级重要模块的低噪声放大器，其噪声系数的水平将直接影响到整个接收机的性能。现有技术中通常采用通过提升系统复杂度、增加片外原件的方法来降...
【技术保护点】
一种低噪声放大器，包括电感及其他器件，所述电感及其他器件形成在衬底的电感区域及其他器件区域上，所述电感区域下方形成高阻衬底隔离区，其特征在于，所述电感区域被所述其他器件区域隔开。
【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器，包括电感及其他器件，所述电感包括第一电感和第二电感，所述第一电感、第二电感及其他器件分别形成在衬底的第一电感区域、第二电感区域及其他器件区域上，所述第一电感区域和第二电感区域下方均形成高阻衬底隔离区，其特征在于，所述衬底的第一电感区域和第二电感区域分开排布且被所述其他器件区域隔开；所述第一电感区域和第二电感区域的周围设置环状的第一n阱接地保护层，且所述第一n阱接地保护层环绕所述第一电感区域、第二电感区域及所述其他器件区域。2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述其他器件区域周围设置环状的第二n阱接地保护层。3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述高阻衬底隔离区环绕所述其他器件区域周围。4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述高阻衬底隔离区通过衬底高阻化技术形成。5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述衬底高阻化技术包括质子注入技术、微机电技术或衬底高阻氧化技术。6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述电感由顶层金属和次顶层金属绕制而成。7....
【专利技术属性】
技术研发人员：李琛，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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