一种单片集成的射频高增益低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种单片集成的射频高增益低噪声放大器，包括输入匹配电路、第一级放大电路、第二级放大电路和输出匹配电路；所述第一级放大电路采用典型的带有源极电感负反馈的共源共栅结构，第二级放大电路为带电阻反馈的共源极结构，采用chrt0.18umRFCMOS工艺实现了所有的有源和无源器件完全在片集成的电路设计。本发明专利技术同时完成了最优噪声匹配和输入阻抗匹配，不仅可以使电路具有最佳的噪声性能，而且可以使电路实现较好功率传输。另外本发明专利技术在获得高增益的同时具有更好的稳定性，也使得电路结构具有更高的实用价值。经验证该电路的输入输出匹配良好，具有27dB以上的增益以及2dB的噪声。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种射频低噪声放大器，特别是涉及一种工作于2.4GHz单片集成的高增益噪声放大器，它可以直接应用于电子通讯、蓝牙接收等领域。
技术介绍
近年来，随着集成电路技术的快速发展，我们的日常生活中越来越离不开无线通信产品，例如工作于880-915MHZ的GSM无线通信网络、工作于2.4Ghz的蓝牙通信产品等。射频低噪声放大器是这些产品中无线接收机模块前端的关键部分。它的作用是将通过天线接收到的微弱信号进行放大，以便接收机后面的模块进行处理。低噪声放大器是现代射频通信系统的关键部件，长期以来一直是人们研究的热点。低噪声放大器处于整个射频接收系统的最前端如附图说明图1所示，其性能的好坏直接决定了整个接收机的性能，对整个接受系统性能的提高也起着决定性的作用。天线接收的信号在亚微伏量级，甚至会完全淹没在噪声里，将如此微弱的信号进行放大而不恶化信噪比是低噪声放大器设计的技术难题。对于低噪声放大器的基本要求为噪声系数低、足够的功率增益、工作稳定性好、较低的功耗和大的动态范围。由于这些指标相互关联、相互制约，因此找到合适的折衷方案来提高低噪声的整体性能成为设计的主要难点。根据国内外对低噪声本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单片集成的射频高增益低噪声放大器，其特征在于，包括输入匹配电路、第一级放大电路、第二级放大电路和输出匹配电路；所述输入匹配电路由输入端电感L2、MOS管M2、与MOS管M2的栅极并联的电容C1以及与MOS管M2相连的源极电感L3组成；输入端的射频信号通过电感L2输入到MOS管M2的栅极，MOS管M2的源极通过电感L3接地，同时，电容C1并联在MOS管M2的栅极两端；所述第一级放大电路，包括由MOS管M2和MOS管M3组成的共源共栅放大电路、电感L1、以及由电阻R1、电阻R2和MOS管M1组成的第一直流偏置电路；其中，所述MOS管M1和MOS管M2组成电流镜结构用于实现电流的复制；MOS管M...

【技术特征摘要】
1.一种单片集成的射频高增益低噪声放大器，其特征在于，包括输入匹配电路、第一级放大电路、第二级放大电路和输出匹配电路； 所述输入匹配电路由输入端电感L2、MOS管M2、与MOS管M2的栅极并联的电容Cl以及与MOS管M2相连的源极电感L3组成；输入端的射频信号通过电感L2输入到MOS管M2的栅极，MOS管M2的源极通过电感L3接地，同时，电容Cl并联在MOS管M2的栅极两端；所述第一级放大电路，包括由MOS管M2和MOS管M3组成的共源共栅放大电路、电感L1、以及由电阻R1、电阻R2和MOS管Ml组成的第一直流偏置电路；其中，所述MOS管Ml和MOS管M2组成电流镜结构用于实现电流的复制；M0S管M3的源极连接到MOS管M2的栅极，MOS管M3的栅极接到电源VDD上，MOS管M3的漏极通过电感LI连接到电源VDD上；电阻Rl 一端连接到电源VDD上，电阻Rl的另一端与栅漏相接的MOS管Ml的漏极相连，MOS管Ml的源极接地；所述电阻R2的两端分别与MOS管Ml的栅极和MOS管M2的栅极相接，从而为M...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦国轩，杨来春，闫月星，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12