差分式低噪声并行多频放大器制造技术

技术编号:8735950 阅读:206 留言:0更新日期:2013-05-26 12:01
本发明专利技术涉及一种差分式低噪声并行多频放大器,其包含一多频段LNA输入匹配网络,一差分放大结构,一电容交叉耦合结构和一多频段LNA输出匹配网络。电路的主结构是差分放大结构,实现电路的放大功能;多频段LNA输入输出匹配网络保证电路能够在双中心频段内具有良好的电路匹配;电容交叉耦合结构用于拓宽放大器的工作频带,使电路实现以双频为中心的多频段放大功能,并能有效抑制共源管的栅漏寄生电容。本发明专利技术适用于工作在以两频率为中心的多频接收设备的输入端。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种差分式低噪声并行多频放大器,其包括一差分放大结构、一多频段低噪声放大器输入输出匹配网络和一电容交叉耦合结构,所述多频段低噪声放大器输入输出匹配网络的输入匹配网络、输出匹配网络分别连接所述差分放大结构的输入端和输出端,所述电容交叉耦合结构与所述差分放大结构相连接;其特征在于:所述差分放大结构包括两组共源共栅放大结构,第一MOS管M1和第二MOS管M2组成一组共源共栅放大结构,第三MOS管M3和第四MOS管M4组成另一组共源共栅放大结构,所述第一MOS管M1的漏极和第二MOS管M2的源极连接,所述第三MOS管M3的漏极和第四MOS管M4的源极连接,所述第二MOS管M2的栅极和第四MOS管M4的栅极分别串接第三电阻R3、第四电阻R4后都连接地,所述第一MOS管M1的栅极和第三MOS管M3的栅极为所述差分放大结构的输入端,所述第二MOS管M2的漏极和第四MOS管M4的漏极为所述差分放大结构的输出端,所述第一MOS管M1的源极和第三MOS管M3的源极都接地;所述多频段低噪声放大器输入匹配网络包括第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第七电感L7、第八电感L8、第九电感L9和第十电感L10,所述第七电容C7和第九电感L9并联后与第九电容C9、第七电感L7串接在第一MOS管M1的栅极上,所述第八电容C8和第十电感L10并联后与第十电容C10、第八电感L8串接在第一MOS管M1的栅极上。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘海牛晓聪程雪崔海娜
申请(专利权)人:中国矿业大学
类型:发明
国别省市:

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